光掩膜版及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板；刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。3.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平时，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽以及覆盖所述透明基板的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形。4.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成第一沟槽后，还包括：沿所述第一沟槽的底部四周刻蚀继续刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通，且所述环形的第二沟槽位于所述第一沟槽的底部四周下方；在所述第一沟槽和环形的第二沟槽中填充满不透光材料，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形底部四周连接的环形的深沟槽结构，所述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。5.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽在所述环形的第二沟槽之前形成或者在所述环形的第二沟槽之后形成。6.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成第一沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第一图形化的掩膜层，所述第一图形化的掩膜层具有暴露出所述透明基板的部分表面的若干第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽。7.如权利要求6所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成环形的第二沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第二图形化的掩膜层，所述第二图形化的掩膜层具有暴露出所述第一沟槽底部四周表面的环形的第二开口；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽。8.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述不透光材料的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。9.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度为50nm-1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um-2.5um。10.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，还包括：在所述透明基板边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架；在所述环形框架的顶部表面形成封闭所述环形框架内空间的保护膜。11.一种光掩膜版，其特征在于，包括：透明基板；
位于所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；填充满所述第一沟槽的遮蔽图形。12.如权利要求11所述的光掩膜版，其特征在于，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。13.如权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，还包括：位于所述第一沟槽的底部四周下方的透明基板中环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通；位于所述第一沟槽中的遮蔽图形；位于所述环形的第二沟槽中的环形的深沟槽结构，所述环形的深沟槽结构与所述遮蔽图形底部四周连接，所述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。14.如权利要求13所述的光掩膜版，其特征在于，所述遮蔽图形和深沟槽结构的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。15.如权利要求13所述的光掩膜版，其特征在于，所述第一沟槽的深度为50nm-1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um-2.5um。16.如权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，还包括：位于所述透明基板边缘区域表面上的绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面的封闭所述环形框架内空间的保护膜。

技术总结
一种光掩膜版及其形成方法，其中所述形成方法包括，提供透明基板后，刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。本申请形成的遮蔽图形位于第一沟槽中，即遮蔽图形深入所述透明基板中遮蔽图形的厚度能较厚，当曝光光线透过透明基板入射到遮蔽图形的边缘时，能防止或减少发生光的散射和/或折射等现象，能防止或减少曝光光线向遮蔽图形底部的不透光区域，提高了曝光后光刻胶层(采用本申请的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。


技术研发人员：祁耀亮
受保护的技术使用者：睿晶半导体（宁波）有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2023/1/31