钡化合物结构体及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种钡化合物结构体，其包含：多个第1化合物粒子，该多个第1化合物粒子包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物；结合部，该结合部覆盖所述多个第1化合物粒子各自的表面且包含具有结晶性的硫酸钡；和多个第2化合物粒子，该多个第2化合物粒子包含具有硅的化合物；所述多个第1化合物粒子各自介由所述结合部及所述多个第2化合物粒子各自的至少任一者而结合。2.根据权利要求1所述的钡化合物结构体，其中，所述钡化合物为钛酸钡及锆酸钡中的至少任一者。3.根据权利要求1或2所述的钡化合物结构体，其中，所述多个第2化合物粒子中所含的化合物为非晶质。4.根据权利要求1～3中任一项所述的钡化合物结构体，其中，所述多个第1化合物粒子相对于所述结合部的体积比为1以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的钡化合物结构体，其中，钡相对于硅的摩尔比为1以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的钡化合物结构体，其中，气孔率为30％以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的钡化合物结构体，其中，所述多个第1化合物粒子的平均粒径为50nm～100μm。8.一种钡化合物结构体的制造方法，其具有以下工序：通过将第1化合物粉末、第2化合物粉末和包含硫酸根离子的水溶液混合而得到混合物的工序，所述第1化合物粉末包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物，所述第2化合物粉末包含具有硅的化合物；和将所述混合物在压力为10～600mpa、并且温度为50～300℃的条件下进行加压及加热的工序。

技术总结
本发明的钡化合物结构体(1)包含多个第1化合物粒子(2)、结合部(3)和多个第2化合物粒子(4)，所述多个第1化合物粒子(2)包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物，所述结合部(3)覆盖多个第1化合物粒子(2)各自的表面，且包含具有结晶性的硫酸钡，所述多个第2化合物粒子(4)包含具有硅的化合物。多个第1化合物粒子(2)各自介由结合部(3)及多个第2化合物粒子(4)各自的至少任一者而结合。(4)各自的至少任一者而结合。(4)各自的至少任一者而结合。


技术研发人员：佐藤夏希 泽亮介 栗副直树 吉冈达郎 关野徹 后藤知代 赵成训 徐宁浚
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：2021.05.17
技术公布日：2023/1/31