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一种近红外发射增强的Ga2O3:Cr

2023-01-15 07:46:29 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料,其特征在于,该发光材料的结构式为ga
2-x-2y
o3:xcr
3
,ym

,yp
5
;其中0.01≤x≤0.1,0.1≤y≤0.5;m为碱金属离子。2.根据权利要求1所述的一种近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料,其特征在于,所述碱金属离子为li、na、k中的任意一种。3.权利要求1-2任一项所述的近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤(1)、按化学式ga
2-x-2y
o3:xcr
3
,ym ,yp
5
的化学计量比,称取三氧化二镓ga2o3、三氧化二铬cr2o3、含有m的碳酸盐和含磷的化合物得到混合物;步骤(2)、将步骤(1)得到的混合物充分研磨混合均匀,在空气气氛下进行高温固相反应,然后冷却到室温,得到所述近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料。4.根据权利要求3所述的近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料的制备方法,其特征在于,所述含有m的碳酸盐为碳酸锂li2co3、碳酸钠na2co3、碳酸钾k2co3中的任意一种。5.根据权利要求3所述的近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料的制备方法,其特征在于,所述含磷的化合物为磷酸二氢铵nh4h2po4和磷酸氢二铵(nh4)2hpo4中的任意一种。6.根据权利要求3所述的近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料的制备方法,其特征在于,所述高温固相反应的反应温度为1400~1450℃。7.根据权利要求3或6所述的近红外发射增强的ga2o3:cr
3
发光材料的制备方法,其特征在于,所述高温固相反应的反应时间为3~7小时。

技术总结
本发明公开一种近红外发射增强的Ga2O3:Cr


技术研发人员:余华 钟家松 毛启楠 邓德刚 陈雷锋 朱怡雯 李心悦 赵红挺
受保护的技术使用者:杭州电子科技大学
技术研发日:2022.10.20
技术公布日:2023/1/13
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