减少钕铁硼磁体裂纹的方法与流程

技术特征：
1.一种减少钕铁硼磁体裂纹的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供某一方向上的尺寸大于60mm的钕铁硼磁体毛坯；(2)将所述毛坯置于真空度小于0.1pa的环境中；(3)以2～5℃/min的第一升温速率升温至第一温度260～300℃，保温30～100min；(4)以1～3.5℃/min的第二升温速率升温至第二温度600～900℃，保温60～380min；(5)以0.5～2.5℃/min的第三升温速率升温至第三温度1000～1100℃，保温30～100min。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一升温速率为2～4℃/min；第二升温速率为1.5～3℃/min；第三升温速率为1～2℃/min。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一温度为290～300℃；第二温度为700～890℃；第三温度为1010～1050℃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：(6)将步骤(5)所得产物保持在真空度小于0.1pa的环境中，自然冷却至200～300℃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述毛坯为直径大于60mm的圆柱体。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述毛坯为长度大于60mm的长方体或者边长大于60mm的的正方体。7.一种减少钕铁硼磁体裂纹的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供重量大于800g的钕铁硼磁体毛坯；(2)将所述毛坯置于真空度小于0.1pa的环境中；(3)以2～5℃/min的第一升温速率升温至第一温度260～300℃，保温30～100min；(4)以1～3.5℃/min的第二升温速率升温至第二温度600～900℃，保温60～380min；(5)以0.5～2.5℃/min的第三升温速率升温至第三温度1000～1100℃，保温30～100min。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：第一升温速率为2～4℃/min；第二升温速率为1.5～3℃/min；第三升温速率为1～2℃/min。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：第一温度为290～300℃；第二温度为700～890℃；第三温度为1010～1050℃。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：(6)将步骤(5)所得产物保持在真空度小于0.1pa的环境中，自然冷却至200～300℃。

技术总结
本发明公开了一种减少钕铁硼磁体裂纹的方法，包括以下步骤：(1)提供某一方向上的尺寸大于60mm的钕铁硼磁体毛坯；(2)将所述毛坯置于真空度小于0.1Pa的环境中；(3)以2～5℃/min的第一升温速率升温至第一温度260～300℃，保温30～100min；(4)以1～3.5℃/min的第二升温速率升温至第二温度600～900℃，保温60～380min；(5)以0.5～2.5℃/min的第三升温速率升温至第三温度1000～1100℃，保温30～100min。本发明可以减少大尺寸钕铁硼磁体裂纹。纹。


技术研发人员：朱南 董义 刁树林 党福柱 林晓勤 周俊义 袁易 陈雅 袁文杰
受保护的技术使用者：包头天和磁材科技股份有限公司
技术研发日：2022.10.20
技术公布日：2023/1/13