切割芯片接合薄膜的制作方法

技术特征：
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，所述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，所述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度-15℃下的所述粘合剂层的剪切储能模量为10mpa以下，使用fox式算出的所述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为-47℃以上且5℃以下。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带的厚度为50μm以上且250μm以下。3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带的25％拉伸强度为2n/10mm以上且50n/10mm以下。4.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材层与所述粘合剂层的180
°
剥离强度在常温下为1.0n/20mm以上。5.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物包含：具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、以及含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元，且包含小于40摩尔％的所述含羟基的(甲基)丙烯酸酯。6.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带在温度-15℃下以拉伸速度1000mm/分钟拉伸200％时，所述粘合剂层不产生破裂。7.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其用于切割半导体晶圆。

技术总结
本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度-15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为-47℃以上且5℃以下。47℃以上且5℃以下。47℃以上且5℃以下。


技术研发人员：杉村敏正 角野雅俊 福井章洋 中浦宏 吉田直子
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：2022.04.18
技术公布日：2022/11/22