一种测试结构的制作方法

1.本技术属于量子芯片制备领域，具体涉及一种测试结构。


背景技术：

2.硅通孔(throughsiliconvia，简称tsv)互连技术是指：通过在硅片上制作z轴方向的通孔，并且在通孔内部填充导电物质来实现不同芯片之间或芯片不同面之间的互连的一种技术。硅通孔互连技术可以实现芯片之间的三维互连和集成。其具有更短的信号线路以及更小的信号延迟和串扰，并且在同样的平面尺寸下可以表现出更高的封装效率。
3.因此，作为一种非常有潜力的芯片互连技术，业内普遍期望将其引入到量子芯片—例如，在本文中所关注的超导量子芯片—的制造工艺中。
4.由于超导量子芯片的操作和测量都需要涉及到射频信号，当超导量子芯片应用硅通孔技术进行互连时需要考虑硅通孔的互连是否满足射频信号的传输的需要。因此，亟需一种能够对超导量子芯片中硅通孔互连结构传输射频信号的性能—如通断性—进行表征的方案。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术公开了一种测试结构，其能够被用于确定硅通孔的通断性，从而有助于用于验证硅通孔的制作工艺参数、缩短芯片的制作周期、提高芯片的制作质量。
6.本技术示例的方案，通过如下内容实施。
7.在第一方面，本技术提出了一种用于确定硅通孔互连结构的连通性的测试结构。
8.该测试结构包括：
9.基准谐振元件，具有第一设计谐振频率；
10.被测谐振元件，具有配置成通过互连结构连接且异面的第一元件和第二元件，被测谐振元件基于设计参数配置而成，且该设计参数是根据第一设计谐振频率而预设产生的；
11.第一电学元件，分别独立地与基准谐振元件和被测谐振元件的第一元件耦合，第一电学元件被配置为接受探测信号以确定被测谐振元件的谐振频率的测量值和基准谐振元件的谐振频率的测量值。
12.在上述测试结构中，基准谐振元件和被测谐振元件具分别具有相应的谐振频率。并且，由于被测谐振元件是基于基准谐振元件的谐振频率而预设的设计参数配置，因此，高质量地被制做的被测谐振元件会具有与设计参数对应和匹配的谐振频率。因此，通过第一电学元件进行测量可以获得被测谐振元件的实际谐振频率。由此，当将被测谐振元件的测量得到的谐振频率与其设计的谐振频率进行比对时，即可通过比对结果确定互连结构的通断性。其中的设计的谐振频率与基准谐振元件的谐振频率是关联，甚至是相等的，即可以通过测量基准谐振元件的谐振频率去推知被测谐振元件的设计谐振频率(即第二设计谐振频率)。
13.因此，例如，当被测谐振元件的谐振频率的测量值与基准谐振元件的谐振频率的测量值相同或接近到一定的程度，则可以认为互连结构是连通的。当被测谐振元件的谐振频率的测量值与基准谐振元件的谐振频率的测量值不同或偏离到一定的程度，则可以认为互连结构断开的。
14.在第二方面，本技术的示例提出了一种用于确定硅通孔互连结构的连通性的测试结构，其包括：
15.读取总线，沿第一预设方向延伸；
16.至少一个互连单元，且每个互连单元包括n个互连结构；
17.与至少一个互连单元一一对应并按照设计谐振频率参数制作的至少一个谐振器，沿第一预设方向间隔并排布置，且每个谐振器由第一端至第二端沿着与第一预设方向不同的第二预设方向延伸；
18.每个谐振器被对应的互连单元中的互连结构所中断而形成m个子元件，并且m个子元件通过互连单元中的互连接结构依次连接；
19.其中m＝n 1，n为大于等于1的整数，谐振器通过位于第一端的子元件与读取总线耦合。
20.有益效果：
21.与现有技术相比，为了测量互连结构的质量—如通断性—本技术示例中的测试结构同时配置了基准谐振元件，以及通过互连结构将自身各构成部分连接而构建的被测谐振元件。并且，在此基础上同时配置第一电学元件。由此，在实施测试方法时，可以通过第一电学元件对基准谐振元件和被测谐振元件的谐振频率进行测定，并且根据测定的结果可以推断并确认前述互连结构的连通性。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
23.图1为本技术实施例提供的测试结构在俯视方向的结构示意图；
24.图2公开了图1的测试结构在轴测方向的局部剖视结构示意图；
25.图3为本技术实施例提供的另一种测试结构在俯视方向的结构示意图；
26.图4示出了本技术实施例中的另外两种测试结构在俯视方向的结构示意图。
27.图5公开了本技术实施例中的测试方法的步骤示意图。
28.图标：101-衬底；102-互连结构；103-第一元件；104-第二元件；201-基准谐振元件；202-被测谐振元件；202a-被测谐振元件；203-第一电路元件；204-第二电路元件。
具体实施方式
29.如前文所提及的那样，在超导量子芯片中往往需要射频信号的参与，以便对其进行操纵和读取。因此，射频信号的稳定传输就显得非常重要。另一方面，为了提高集成度等，超导量子芯片中可以采用硅通孔互连技术进行各种线路、元器件的三维布局、封装。因此，当这些在三维布局的线路或元器件需要与射频信号关联时，就需要确保硅通孔的互连结构的连通性良好(例如通断、连通情况下的质量等)。然而如何对此进行确认是一个难点。
30.就本技术发明人所知，目前主要通过检测和表征互连结构的直流特性来判断互连结构通断性。例如，通过测量电阻进行判断—互连结构连接则表示开路，互连结构短路则表示连接很好。然而，这并不能或者并非总是可以有效地等同于互连结构对射频信号的性能表现。其他一些尝试中，借助于对插损、反射等测量进行射频性能表征。然而，目前的一些超导量子芯片需要降到极低温如10mk水平才能正常工作。在这样的温度下，芯片前级、后级会连接各种射频器件，而tsv互连结构附着的tin进会入超导态，因此其插损和反射极小，表征难度大。
31.有鉴于此，区别于上述尝试，在本技术的示例中，发明人提出一种测试结构和以及可以通过该测试结构进行实施的测试方法。其能够被用于对硅通孔互连结构的连通性进行判断，从而可以提升超导量子芯片的制作质量、缩短其制作周期、提高制作效率。可以理解的是，基于本技术示例的方案，在其他一些领域或者其他类型的量子芯片中，对于具有硅通孔互连结构关联于射频信号性能的连通性的需求的场景同样可以适用。
32.大体上，本技术示例的方案主要通过对谐振频率的测量，并且根据测量结果来对硅通孔互连结构的连通性进行判断。因此，整体选择配置基准器件和待测器件，其中，待测器件设置了互连结构，对应地基准器件未配置互连结构。并且，基准器件和待测器件按照具有相同，或接近或者预期偏差的设计的谐振频率，例如相差频率为50mhz。
33.因此，基于这些设计的谐振频率制作基准器件和待测器件。那么在理论上，当制作工艺良好(包括互连结构的连通性良好)，则基准器件和待测器件的实际谐振频率将会是按照前述的设计方式进行关联—例如相同或接近或者预期偏差。
34.而当出现互连结构的制作工艺等方面的问题时，互连结构的质量变差，因此其连通性也变差。同时，由于基准器件未配置互连结构，前述的制作工艺方面的问题不会影响到基准器件。那么，待测器件的谐振频率会与基准器件的谐振频率发生可识别的不同。通过识别这种不同，就可以确定互连结构已经出现质量问题，即其连通性差。
35.基于这样的认识，发明人在示例中提出了这样的一种能够被用以实施的测试方法，从而确定硅通孔互连结构的连通性的测试结构。
36.请参阅图1和图2。该测试结构包括第一电路元件203(或称第一电学元件)，以及分别与第一电路元件203耦合的基准谐振元件201和被测谐振元件202。
37.其中，图1是本技术示例中的配置于衬底101的测试结构的俯视结构示意图；其中，为了方便描述和展示，包含于被测谐振元件202中的第一元件103和第二元件104分别被以可见的方式表达，但是结合图2可知，第一元件103和第二元件104是分别位于衬底101的两个表面的(正面和背面)；即各元件选择性地位于一个芯片的正面或背面。因此，在图1所示的正面俯视方向，于实际的元件中，第一元件103在正面可见，而第二元件104在背面不可见。
38.其中，图2为图1中的局部剖视结构示意图，其主要公开了互连结构102在衬底101中的分布以及其两端分别与第一元件103和第二元件104的配合关系。在超导量子芯片领域，互连结构102通常被选择为超导材料，且通过在基底上造孔(如刻蚀)，再于内壁镀上一层超导材料薄膜方式被制作。在图2所示的结构中，互连结构102被表示为大致的中空圆柱体结构；在其他一些示例中，工艺可行的条件下还可以被构造为实心圆柱体。根据图1和图2可知，第一电路元件203是与基准谐振元件201共面配置；而被测谐振元件202中的第一元件
103与第一电学元件共面，第二元件104则与之异面。图2中，第一元件和第二元件分别配置有与互连结构102相当的孔；其中所展示的孔的尺寸以及两个元件的相对大小仅作示意表示，不构成具体的限制。
39.其中的基准谐振元件201具有第一设计谐振频率；被测谐振元件202具有第二设计谐振频率；设计谐振频率可以通过电磁仿真软件进行仿真计算获得，从而也可以获得对应的结构设计参数。在理想的条件下，这两种谐振元件被按照预期且高质量地制备时，则基准谐振元件201的谐振频率的测量值与第一设计谐振频率通常是接近，甚至相等的；同样地，被测谐振元件202的谐振频率的测量值与第二设计谐振频率也通常是接近，甚至相等的。并且，通过适当的设计，可以使得第一设计谐振频率与第二设计谐振频率相等，或者二者的差值在给定范围之内。
40.在测试方法的实施过程中，第一电路元件203能够接收探测信号并通过前述与之耦合的两谐振元件的响应结果，通过信号处理和计算等既有方式确定基准谐振元件201的谐振频率的测量值(第一测量值)和被测谐振元件202的谐振频率的测量值(第二测量值)。这样的测量方式例如可以是基于超导量子芯片中的读取总线与读取谐振腔之间的匹配耦合结构实现。因此，第一电路元件203可以是读取总线，基准谐振元件201和被测谐振元件202可以是其对应的读取谐振腔。
41.作为验证硅通孔互连结构102的方案，被测谐振元件202配置有互连结构102。即基准谐振元件201如果是连续地配置的谐振腔结构，如共面波导；那么，被测谐振元件202就可以对应为由硅通孔互连结构102所中断的共面波导。
42.因此，被测谐振元件202可以具有第一元件103和第二元件104；其中以互连结构102作为分界点，临近第一电学元件的一侧的为第一元件103，远离第一电学元件的一侧的为第二元件104。此处以一个被测谐振元件配置一个互连结构为例进行说明；可以知晓，当一个被测谐振元件配置至少两个互连结构时，则该一个被测谐振元件可以具有至少三个元件；例如第一元件、第二元件、第三元件、第四元件等等，依次类推。
43.考虑到硅通孔互连结构102的存在，其中的第一元件103和第二元件104是异面分布。因此一些示例中，测试结构被配置到衬底101，且示例性如前述可以为第一电学元件位于衬底101的正面，基准谐振元件201位于衬底101的正面，被测谐振元件202的第一元件103位于衬底101的正面，被测谐振元件202的第二元件104位于衬底101背面，位于衬底101内的互连结构102从衬底101的正面延伸到衬底101的背面且两端分别与第一元件103和第二元件104连接。
44.鉴于制作工艺、材料等方面的原因，谐振元件的设计谐振频率可能与实际被制作完成后测量得到的谐振频率测量值之间存在差异等情况，本技术示例中配置的被测谐振元件202是基于基准谐振元件201进行设计并制作的。即被测谐振元件202基于设计参数制作而成，并且该设计参数是根据基准谐振元件201的第一设计谐振频率而预设产生。其中的设计参数例如是制作工艺中所选择的材料、环境和工艺条件、结构参数等等。基于此，被高质量地制作的被测谐振元件202和基准谐振元件201的谐振频率的测量值是接近或相同或满足预期的偏差的。
45.在本技术的示例中，被测谐振元件202的数量可以自由地选择。当存在多个被测谐振元件202时，这些被测谐振元件202可以采用相同的结构设计，从而可以避免存在单个或
少量的被测谐振元件202时，测量结果的偏差所导致的在一些情况中的结果的准确度低或不可重复性的问题。进一步地，不同的被测谐振元件202中的互连结构的数量以及互连结构的位置(可以是通过与第一电路元件203之间的距离进行度量)也可以根据需要选择，例如是全部相同或全部不同，或者部分相同、部分相异等。
46.为了研究在被测谐振元件202中的不同位置配置互连结构102所造成的影响，根据互连结构102的位置的不同可以将被测谐振元件202分类为多组，每组含有至少一个被测谐振元件202，且同一组中的被测谐振元件202的互连结构102的位置相同。在这样的一些示例中，每个被测谐振元件202的第一元件103具有第一参数，且第二元件104具有第二参数。基于此，由第一参数和第二参数共同确定被测谐振元件202的谐振频率。其中的第一参数和第二参数例如是其长度，因此二者一同构成被测谐振元件202的长度。对于不同组或不同类的被测谐振元件202，其第一参数可配置为不同。
47.例如在图3所示的测试结构中，包括两类(每一类包括一个，两类共计两个)被测谐振元件202，其中一个被测谐振元件202的互连结构102接近第一电路元件203，而另一个被测谐振元件202a的互连结构102远离第一电路元件203。并且被测谐振元件202的第一元件103的长度小于被测谐振元件202a的第一元件103长度，相应地被测谐振元件202的第二元件104的长度大于被测谐振元件202a的第二元件104的长度。
48.进一步地，基于一些测量的需要，部分示例中还可以配置第二电路元件204。与第一电路元件203类似，其也分别独立地与基准谐振元件201和被测谐振元件202的第二元件104耦合。因此，基准谐振元件201的两端分别与第一电路元件203、第二电路元件204耦合；且被测谐振元件202(图4中未标示)的两端也分别与第一、第二电路元件204耦合。第二电路元件204可以具有与第一电学元件相同的结构，而从功能上而言其同样可以被用于测量基准谐振元件201和被测谐振元件202的谐振频率，获得对应测量值。例如，图4中的a图所示。
49.更进一步地，在a图的基础上，还可以在被测谐振元件202上配置多于一个的互连结构102，例如图4中的b图的每个被测谐振元件202配置了两个互连结构102。并且，因此，被测谐振元件202包括通过两互连结构102依次连接(串联)的第一段元件、第二段元件以及第三段元件。其中，第一段元件与第一电学元件耦合，第三段元件与第二电路元件204耦合。需要指出的是，由于互连结构102是贯穿衬底101且延伸到衬底101的两个表面的结构。因此，前述的第一段元件和第三段元件可以是共面的(还与第一电路元件203、第二电路元件204共面)，且分别与第二段元件异面(还分别与第一电路元件203和第二电路元件204异面)。
50.根据图4中的a图所示结构，在考虑被测谐振元件202配置一个互连结构102以及其位置的基础上，如图4中的b图所示的增加的一个互连结构102被配置到第一元件103和第二元件104中的长度更长的一者，从而使得第一段元件和第二段元件可以是由原来的第一元件103被增加的一个互连结构102中断而产生。那么，此时，其对应的第三段元件则为原第二元件104。类似地还有，第一段元件即为原第一元件103，而第二段元件和第三段元件则是由原来的第二元件104被新增的一个互连结构102中断所产生。
51.如前述，基于超导量子芯片的应用实例，测试结构可以配置为彼此耦合的读取总线以及至少一个读取谐振器。其中，读取总线大致在第一方向/水平方向延伸，每个读取谐振器大致沿着第二方向/垂直方向延伸，且全部的读取谐振器可以是沿着水平方向间隔地排布，如在图4中所展示的那样。
52.相应地，每个读取谐振器配置一个互联单元，则每个互连单元具有正整数个(n个)互连结构102。换言之，在这样的示例中，每个读取谐振器被其对应的互连单元中的互连结构102中断而形成数量比相应的互连结构102的数量多一个(m个，且m＝n 1)的子元件。该示例中，通过读取谐振器的理论谐振频率和实际的谐振频率测量值，也可以尝试对其配置的互连结构是否通断进行判断。
53.由于存在制作工艺的稳定性以及理论设计与实际工艺的偏差，配置一个不具有互连结构102的谐振器作为基准谐振器/基准谐振元件201将会是有益的，且如前文所描述。该基准谐振器可以与具有互连结构102的谐振器具有大致相同的结构和排列方式。此外，该测试结构中同样也可以选择配置两条读取总线，相应地该两条读取总线可以分别与谐振器的位于第一端的子元件和位于第二端的子元件耦合。二者可以分别独立地从谐振器的两端进行谐振频率的测量。
54.在上述结构中，对于谐振频率的测量，本领域技术人员可以采用相关领域中的微波谐振器的技术手段进行测量，为避免予赘述，可以简述为：λ＝v/f；其中，v为波速，f为频率，μ为导磁系数，ε为介电常数。那么频率的计算方式为因此，在基片确定后μ和ε为常量，可以计算知晓谐振器的频率f是与谐振器的长度关联的。那么针对图1中的测式结构，如果互连结构102断开，则只能测到基准谐振元件201的谐振频率，而被测谐振元件202的谐振频率，由于谐振腔(第一元件103)的长度太短而无法测到有效值，第二元件104由互连结构是断开的，因此与第一电路元件203未耦合也测不到其谐振频率。即能测到一个谐振频率，其属于基准谐振元件。如果互连结构102未断开/全连通，则可以通过测到基准谐振元件201和被测谐振元件202的谐振频率，即能测到两个谐振频率。
55.类似地，在图3所示的测试结构中，如果互连结构102全部断开，则只能测到基准谐振元件201和被测谐振元件202a的谐振频率(主要由其第一元件103贡献，而其第二元件104因互连结构102是断开的无法测到)，即两个谐振频率。而被测谐振元件202的谐振频率，由于谐振腔(第一元件103)的长度太短而无法测到有效值。如果互连结构102未断开/全连通，则可以通过测到基准谐振元件201和两个被测谐振元件202的谐振频率，即能测到三个谐振频率。
56.结合上述测试结构，可以实施一种用于确定硅通孔互连结构102的连通性的测试方法。并且，该连通性可以用于验证在制作芯片的硅通孔互连结构102的设计工艺和参数，以便获得更优的硅通孔互连结构102的制作工艺和设计参数，进而获得高质量的硅通孔互连结构102。
57.进一步地，根据所描述的测试结构，通过该测试方法所确定的硅通孔互连结构102的连通性还能很好地反应其在传输射频信号时的性能，因此，在超导量子芯片的制作中具有巨大的潜力和价值。
58.总体上而言，如图5所示，测试方法主要包括以下步骤：
59.s101、获得测试结构。
60.该测试结构可以参考前文所公开的内容进行制作。通常地测试结构可以包括第一电学元件、基准电学元件和待测电学元件。其中，待测电学元件基于由互连结构102中断的基准电学元件制作而成。换言之，除互连结构102之外，待测电学元件可以具有与基准电学
元件相同或近似的设计结构参数、材料以及工艺制作条件。
61.待测电学元件可以通过如下方式制作：
62.在基片/衬底101的上下表面分别制作一段对应材料—可以被描述为异面分布的近端元件和远端元件—并且。其中近端元件接近第一电学元件，远端元件则远离第一电学元件。将基片沿厚度制孔，并于孔内填充相应材料(如导体材料等)，其两端分别于前述的一段对应材料电性接触、连接。在集成电路相关的工艺中，硅通孔互连结构102的制作一般包括通孔的制作、通孔绝缘以及阻挡层、种子层和填镀等操作。
63.由此，第一电学元件与基准电学元件耦合，并且待测电学元件通过前述的近端元件与第一电学元件耦合。
64.s102、利用微波探测信号进行谐振频率的测量。
65.根据测试结构的构造方式，可以选择通过第一电学元件向基准电学元件和待测电学元件传输微波探测信号。其中，第一电学元件通过可以选择为传输线如共面波导，其能够被用于传输微波信号。在超导量子芯片中，其可以被描述为读取线(如readout line)。而基准电学元件和待测电学元件则可以是与第一电学元件耦合的谐振腔元件(如readout resonator)，且同样可以采用共面波导制作而成。一般地，通过共振频率和带宽的比值进行品质因子的计算。示例地，对应超导量子芯片的示例而言，利用第一电学元件测量谐振元件的谐振频率可以是通过使用矢量网络分析仪进行测试获得相应数据，再经过数据拟合获得相应的q值；为避免赘述不予详述。
66.s103、从反馈信号中获得数据，并据此确认互连结构102的连通性。
67.由于第一电学元件分别与基准电学元件和待测电学元件的耦合关系，通过第一电学元件输入的微波信号，可以作用于两个基准电学元件和待测电学元件，进而可以反馈信号到第一电学元件，通过使用本领域中的微波、电学设备进行测量，并由此计算得到基准电学元件的基准谐振频率和待测电学元件的测定谐振频率，即两元件的谐振频率的测量值，并且从而可以形成谐振频率结果集合。进一步地，根据谐振频率结果集合按照预设模式就可以确认互连结构102的连通性。
68.由于谐振频率结合集合中包括基准电学元件的谐振频率的测量值，以及待测电学元件的谐振频率的测量值。因此，根据对这些测量值的不同利用—预设模式—方式，就可以对互连结构102的连通性进行确认。
69.例如，由于基准电学元件并未通过硅通孔互连结构102进行制作，因此，理论上其总是可以被测量到谐振频率。而被测电学元件由于涉及到硅通孔互连结构102的制作，因此，互连结构102质量的好坏会涉及到是否能够测量到其对应的谐振频率。当各个互连结构102连通性良好时，那么被测量的元件与测量得到的谐振频率的数量应当是相同的。那么，当利用谐振频率结果集合中的测定谐振频率的数量为依据时，当谐振频率结果集合中的测定谐振频率的数量与待测电学元件的数量相同时，判定互连结构102连通性良好。反之，如果数量不同，则可以判定存在一个或多个互连结构102的连通性欠佳的情况。
70.进一步地，如前文所描述的那样，谐振频率的大小与谐振器的长度是相关联的。并且在谐振元件通过硅通孔互连结构102制作并与第一电学元件耦合时，互连结构102连通性不佳则理论上对应测量到的是与第一电学元件紧邻部分(如前述的近端元件，例如图1中的第一元件103)的谐振频率。因此，当近端元件的长度较短时，测量到的谐振频率会非常高，
从而可以被认为在实际应用是未测量到谐振频率。
71.更进一步地，当被测谐振元件202靠近第一电学元件的部分(近端元件)的长度相对更长，而远离第一电学元件的部分(远端元件，例如图1中的第二元件104)长度更短时，则在互连结构102连通性不佳的情况下可以测到其中的近端元件的谐振频率—但是其测量值与互连结构102连通性良好的情况下的被测电学元件的谐振频率的测量值会出现明显和可识别的差距。因此，基于此，前述的预设模式还可以包括：通过比对谐振频率结果集合中的基准谐振频率与测定谐振频率确认互连结构102的连通性。其中基准谐振频率可以反映出互连结构102连通性良好的情况下的被测电学元件的谐振频率的测量值；这是因为被测电学元件是按照基准电学元件而设计确定的设计参数进行制作的。并且可知晓，在该情况中，当基准谐振频率与测定谐振频率相等或者差值在预设范围内时，则可以判定互连结构102的连通性良好。
72.此外，互连结构102和基于其制作的谐振元件、以及与第一电学元件的耦合结构，在应用于诸如超导量子芯片中时，一种被关注的重要性能指标参数例如是品质因子(q值、q因子，quality factor)。计算品质因子的方法可以采用本领域的既有技术，本技术对此不做具体限定。例如通过频率法，即在频率域中计算q值，例如变频法等。
73.因此，上述对硅通孔互连结构102的连通性还可以包括评价基于此的元器件的品质因子；并且，品质因子即q值越高，互连结构102的连通性越好。相应地在通过谐振频率结果集合确认互连结构102的连通性满足要求之后，可以进一步测量品质因子。也即，一些示例中，测试方法还可以包括：当互连结构102连通性良好时，对待测电学元件和基准电学元件的品质因子进行测定，以及进行可选的比对。通过比对可以从比对的对象中选择品质因子最好的元件，从而可以获得互连结构102的设置位置以及结构参数、相应制作工艺更理想的被测电学元件，进而可以具体在实际制作芯片时，实施对应方案。
74.作为一种进一步的优化选择，部分示例中，还可以选择互连结构102进行结构调整，以便获得一些情况下实际使用的互连结构102的更好制作条件。例如，以互连结构102为圆柱体为例，当通过对谐振频率结果集合中的谐振频率的数量或者比对结果确定互连结构102是连通时，可以进一步针对不同的圆柱体形的互连结构102的直径以及相关的品质因子进行考察。
75.因此，测试方法还可以包括：在确定通过谐振频率确定互连结构102连通性良好，并且对应的待测电学元件有至少两个时，那么可以对相应的待测电学元件和基准电学元件的品质因子进行测定。然后从这些确定的品质因子中选择品质因子与基准电学元件的品质因子差值的绝对值最小的待测电学元件作为具有好的射频性能的元件。
76.上述示例中，将满足要求的被测电学元件的品质因子与基准电学元件的品质因子进行比对。在另一些示例中，则可以在满足要求的被测电学元件的品质因子之间进行比例。换言之，当对应的互连结构102连通性被确认良好，并且相应的待测电学元件有至少两个时，则可以对相应的待测电学元件进行测定，并将其中品质因子最大的待测电学元件判定为具有好的射频性能。
77.简言之，在本技术的一些示例中，对于硅通孔互连结构102的连通性的测试可以是包括对是否连通的判断，以及进一步包括在连通的情况下对连通质量的判断。其中是否连通可以通过被测谐振频率的测量值进行数量比对，以及与基准谐振频率的测量值进行数值
比对而进行判断。其中连通质量则主要通过对品质因子的数值比对而确定，且其中的数值比对还可以包括被测谐振频率与基准谐振频率对应的元件的品质因子比对，或者是被测谐振频率对应的元件之间的品质因子比对。
78.前文通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，前述内容结合附图对本技术的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本技术各实施例中，为了使读者更好地理解本技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本技术所要求保护的技术方案。其中的各个实例的划分是为了描述方便，不应对本技术的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。
79.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
80.此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
81.以上依据图式所示的实施例详细说明了本技术的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本技术的较佳实施例，但本技术不以图面所示限定实施范围，凡是依照本技术的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本技术的保护范围内。