一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置的制作方法

技术特征：
1.一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，包括隔热层、坩埚部件和加热线圈；其特征在于，所述隔热层内含收纳空间；所述坩埚部件在隔热层的收纳空间中；所述坩埚部件具有晶体生长空间，在晶体生长空间顶部设置籽晶，在坩埚部件的侧壁上设置附加热源部件，所述附加热源部件包括靠近籽晶的第一附加热源部件和远离籽晶的第二附加热源部，且第二附加热源部件的一侧装置有伸入到晶体生长空间内的导热部件，导热部件将晶体生长空间分隔为相互连通的靠近籽晶的第一热空间和远离籽晶的第二热空间；所述加热线圈布置在第二空间对应的隔热层外围。2.根据权利要求1所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚部件包括第一坩埚和第二坩埚，所述第一坩埚包含侧壁和底壁，所述第二坩埚包含侧壁和顶壁，所述第一坩埚和第二坩埚围成所述晶体生长空间，所述附加热源部件设置于所述第一坩埚的侧壁，所述籽晶设置于所述第二坩埚的顶壁内侧。3.根据权利要求2所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，所述第一坩埚的壁体内含装置空间，该装置空间用于装置第一附加热源部件、第二附加热源部件和热源部件支承结构，所述第一附加热源部件、第二附加热源部件和热源部件支承装置环绕第一坩埚布置。4.根据权利要求3所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，所述热源部件支承结构具有自旋功能。5.根据权利要求2所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，所述第二坩埚的顶壁上表面连接有提拉部件，提拉部件穿过隔热层的顶部，带动第二坩埚在上下方向上移动。6.根据权利要求1所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，第一热源部件功率低于第二热源部件功率。7.根据权利要求4所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，热源部件支承结构具有自旋转速范围为0.1-5 rpm。8.根据权利要求5所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，提拉部件地提拉速率范围为0.15-0.25 mm/h。9.根据权利要求1所述的一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，其特征在于，在隔热层的内侧底部，设置有基座隔热层，所述坩埚部件安装于所述基座隔热层上。

技术总结
本发明涉及晶体生长领域，公开了一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，包括隔热层、坩埚部件和加热线圈，所述坩埚部件装置在隔热层的收纳空间中；所述坩埚部件具有晶体生长空间，在晶体生长空间顶部设置籽晶，在坩埚部件的侧壁上设置附加热源部件，所述附加热源部件包括靠近籽晶的第一附加热源部件和远离籽晶的第二附加热源部，且第二附加热源部件的一侧装置有伸入到晶体生长空间内的导热部件，导热部件将晶体生长空间分隔为相互连通的靠近籽晶的第一热空间和远离籽晶的第二热空间；所述加热线圈布置在第二空间对应的隔热层外围。本发明提出的晶体生长装置，能够保证较高晶体生长速率的前提下提高晶体生长的均匀性。性。性。


技术研发人员：高冰 叶宏亮 李俊
受保护的技术使用者：浙江晶越半导体有限公司
技术研发日：2022.12.06
技术公布日：2022/12/30