一种镀膜银钯结构的制作方法

1.本实用新型涉及玻璃镀膜设备领域，具体来说是一种镀膜银钯结构。


背景技术：

2.磁控溅射靶材是通过磁控溅射镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。
3.镀膜玻璃是一种在玻璃表面涂制一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜，以改变玻璃的光学性能，满足特定要求。
4.根据功能划分为两大类：阳光控制镀膜玻璃和低辐射镀膜玻璃.
5.随着镀膜技术的发展，强磁场平面阴极的应用越来越广泛，在追求磁场强度的同时，又要求更长的银靶使用周期和更好的溅射均匀性。
6.所以一种能够改善现有强磁场平面阴极的技术缺陷，提供一种高利用率的镀膜银靶结构。


技术实现要素：

7.本实用新型的目的是提供一种组合式的镀膜银钯结构。
8.为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
9.一种镀膜银钯结构，包括银钯本体；
10.所述银钯本体包括端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块；
11.所述端部银钯块通过桥接银钯块与中部银钯块对接；
12.所述银钯结构由端部银钯块、中部银钯块以及桥接银钯块拼接而成。
13.所述端部银钯块的厚度不小于中部银钯块的厚度。
14.所述端部银钯块包括第一银钯块和第二银钯块；所述桥接银钯块包括第一桥接块和第二桥接块；所述第一银钯块与第二银钯块分布在镀膜银钯结构的两端；所述第一银钯块通过第一桥接块与中部银钯块相连接，所述第二银钯块通过第二桥接块与中部银钯块相连接；所述中部银钯块包括多个单体银钯块，相邻单体银钯块依次对接。
15.所述单体银钯块、第一银钯块、第二银钯块、第一桥接块以及第二桥接块上设有用于安装的安装孔。
16.所述第一桥接块包括第一桥接块体，所述第一桥接块体包括左块体、中块体以及右块体，所述左块体与第一银钯块相连接；所述左块体厚度大于右块体高度，所述中块体靠近左块体一侧的厚度与左块体厚度相同；所述中块体靠近右块体一侧的高度与右块体的高度相同；所述中块体上端面为倾斜面。
17.所述第二银钯块包括第二块体，所述第二块体靠近第二桥接块一侧设有第一加厚块。
18.所述第二桥接块包括第二桥接块体，所述第二桥接块体上设有第二加厚块体，所述第二加厚块体包括设置在第二桥接块体上的对接块和过渡块，所述对接块与第一加厚块
相对设置；所述对接块与第一加厚块相贴合；所述过渡块分布在对接块远离第一加厚块一侧；所述过渡块竖直截面呈三角形；所述过渡块上端面为倾斜面。
19.所述单体银钯块、第一银钯块、第二银钯块、第一桥接块以及第二桥接块远离第一加厚块和第二加厚块的一侧侧面处于同一平面上。
20.本实用新型的优点在于：
21.本实用新型公开了一种镀膜银钯结构，本实用新型公开的银钯本体由多个银钯块拼接而成，方便后续使用时根据需要改变银钯本体的尺寸，方便在实际中使用，另外，本实用新型通过限定银钯本体端部银钯块厚度，可以使得磁场较强位置的银钯块厚度较大，保证了保证磁场较强的位置靶块能和其它位置靶块拥有同等的使用寿命；在使用后期更好的保证溅射均匀性能。
附图说明
22.下面对本实用新型说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
23.图1为本实用新型的结构示意图。
24.图2为本实用新型中第一银钯块的结构示意图。
25.图3为本实用新型中第二银钯块的结构示意图。
26.图4为本实用新型中第一桥接块的结构示意图。
27.图5为本实用新型中第二桥接块的结构示意图。
28.图6为本实用新型中单体桥接块的结构示意图。
29.上述图中的标记均为：
30.1、中部银钯块，11、单体银钯块，3、第二桥接块，4-1、第一银钯块，4-2、第二银钯块，6、第一桥接块。
具体实施方式
31.下面对照附图，通过对最优实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
32.一种镀膜银钯结构，包括银钯本体；所述银钯本体包括端部银钯块、中部银钯块1以及桥接银钯块；所述端部银钯块通过桥接银钯块与中部银钯块1对接；所述银钯结构由端部银钯块、中部银钯块1以及桥接银钯块拼接而成；本实用新型公开了一种镀膜银钯结构，本实用新型公开的银钯本体由多个银钯块拼接而成，方便后续使用时根据需要改变银钯本体的尺寸，方便在实际中使用。
33.具体，本实用新型公开的镀膜银钯结构主要是包括端部银钯块、中部银钯块1以及桥接银钯块；银钯本体通过三类银钯块拼接而成，在实际使用时可以根据需要改变银钯本体的长度，继而增加本实用新型的使用长度；同时拼装式的结构，方便了局部更换某处银钯块，方便局部更换银钯块结构，增加镀膜银钯结构的使用效率。
34.进一步的，在本实用新型中所述端部银钯块的厚度不小于中部银钯块1的厚度；本实用新型这样设计的目的是因为在实际磁控溅射时，溅射区域两端磁场强度大于中部磁场强度，在实际溅射操作时，常规银钯结构端部银钯块消耗量大，所以为了保证磁场较强的位置靶块能和其它位置靶块拥有同等的使用寿命；所以本实用新型对端部银钯块的厚度进行
限定，使得端部银钯块的厚度不小于中部银钯块1的厚度。
35.进一步的，在本实用新型中所述端部银钯块包括第一银钯块4-1和第二银钯块4-2；所述桥接银钯块包括第一桥接块6和第二桥接块3；所述第一银钯块 4-1与第二银钯块4-2分布在镀膜银钯结构的两端；所述第一银钯块4-1通过第一桥接块6与中部银钯块1相连接，所述第二银钯块4-2通过第二桥接块3与中部银钯块1相连接；所述中部银钯块1包括多个单体银钯块11，相邻单体银钯块11依次对接；本实用新型通过这样的结构设计，方便了整个镀膜银钯结构的拼装。
36.进一步的，在本实用新型中所述单体银钯块11、第一银钯块4-1、第二银钯块4-2、第一桥接块6以及第二桥接块3上设有用于安装的安装孔1-1；安装孔1-1的设置，方便后续单体银钯块11、第一银钯块4-1、第二银钯块4-2、第一桥接块6以及第二桥接块3的后续使用安装固定，同时方便了相邻银钯块之间的对接拼装。
37.进一步的，在本实用新型中所述第一桥接块6包括第一桥接块体6-1，所述第一桥接块体6-1包括左块体61、中块体62以及右块体63，所述左块体61与第一银钯块4-1相连接；所述左块体61厚度大于右块体63高度，所述中块体 62靠近左块体61一侧的厚度与左块体61厚度相同；所述中块体62靠近右块体 63一侧的高度与右块体63的高度相同；所述中块体62上端面为倾斜面；本实用新型通过这样的设置，使得第一桥接块体6-1靠近第一银钯块4-1一侧厚度较大，右块体63与中部银钯块1厚度相同；中部的中块体62起到过渡作用，方便左块体61与右块体63之间的过渡。
38.进一步的，在本实用新型中所述第二银钯块4-2包括第二块体4-21，所述第二块体4-21靠近第二桥接块3一侧设有第一加厚块4-22；第一加厚块4-22 起到很好的增加厚度作用，有利于保证第二银钯块4-2该区域具有更久的使用寿命。
39.进一步的，在本实用新型中所述第二桥接块3包括第二桥接块体31，所述第二桥接块体31上设有第二加厚块体32，所述第二加厚块体32包括设置在第二桥接块体31上的对接块321和过渡块322，所述对接块321与第一加厚块4-22 相对设置；所述对接块321与第一加厚块4-22相贴合；所述过渡块322分布在对接块321远离第一加厚块4-22一侧；所述过渡块322竖直截面呈三角形；所述过渡块322上端面为倾斜面；本实用新型通过对接块321的设置，起到增加第二桥接块3局部厚度的作用，有利于保证第二桥接块3该区域具有更久的使用寿命，另外，通过过渡块322的设置，不仅增加了第二桥接块3的局部厚度，有利于增加第二桥接块该区域使用寿命，同时还起到很好的过渡作用；方便对接块321与第二桥接块体31上端面的过渡。
40.进一步的，在本实用新型中所述单体银钯块11、第一银钯块4-1、第二银钯块4-2、第一桥接块6以及第二桥接块3远离第一加厚块4-22和第二加厚块的一侧侧面处于同一平面上；这样的设置，很好的保证了银钯结构内侧面的平整性，方便后续的安装固定；另外，除了上述外，通过附图可以知道，本实用新型银钯本体除了设有上述第一加厚块4-22和第二加厚块的一侧外，其他侧面均为平面结构。
41.具体；
42.本实用新型公开了一种镀膜银钯结构，本实用新型公开的银钯结构采用多块不同尺寸的银靶块组合而成，靶块结构独特，使得该新型高利用率的镀膜银靶与传统的镀膜银靶相比较，具有更加均匀的刻蚀余量，更长的实用寿命，以及使用后期更好的溅射均匀性
能；同时该新型高利用率的镀膜银靶结构，提高了生产效率，降低了换靶年度耗时，适于工业化生产。
43.具体，本实用新型公开的银靶结构，包括5种不同外形的14个银靶块依次组合而成；由1个第一银靶块、1个第一桥接块6、10个单体银靶块、1个第二桥接块3、1个第二银靶块依次组合而成。
44.将银靶磁场较强的位置的靶块厚度增加3毫米和正常厚度的靶块加工成平滑过渡，保证磁场较强的位置靶块能和其它位置靶块拥有同等的使用寿命。
45.具体设计时；
46.在第一银钯块4-1整体厚度33毫米，第一桥接块6厚度33毫米平滑过渡到30毫米，具有为银靶块6左边厚度33毫米平滑过渡到右边厚度30毫米；另外，在本实用新型中第二银钯块4-2下部接口位置厚度33毫米其它位置平滑过渡到30毫米；第二桥接块3上的第二加厚块厚度由33毫米过渡到下部l型平面厚度30毫米；各个单体银钯块11厚度为30毫米。
47.显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，均在本实用新型的保护范围之内。