一种垂直腔面发射激光器的制作方法

技术特征：
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括依次由下至上层叠的p型衬底、第一p型dbr层、第一mqw层、n型dbr层、第二mqw层和第二p型dbr层；在第二p型dbr层内形成氧化层，氧化层包括位于未氧化区和位于未氧化区周围的氧化物电流限制区；第一p电极位于第一p型dbr层上或p型衬底上，n-dbr层具有蚀刻形成外露台面，n电极位于n-dbr层的外露台面上，第二p电极位于第二p型dbr层上；还包括分离限制异质结层，在第一p型dbr层与第一mqw层之间，在第一mqw层与n型dbr层之间，在第二mqw层与第二p型dbr层之间，以及在第二mqw层与n型dbr层之间均有分离限制异质结层；第二mqw层的厚度大于第一mqw层的厚度，第一p型dbr层组成的对数大于n型dbr层组成的对数，n型dbr层组成的对数大于第二p型dbr层组成的对数。2.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第二p型dbr层的透射波长与n型dbr层的透射波长差为1-3nm。3.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第一mqw层与第二mqw层的材料相同。4.根据权利要求3所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第一mqw层与第二mqw层的材料为ingaas。5.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：外露台面的厚度大于等于n型dbr层厚度的三分之二。6.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第二mqw层的厚度范围为3-6nm。7.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第一mqw层的厚度范围为1-3nm。8.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第一p型dbr层组成的对数为42对，n型dbr层组成的对数为36对，第二p型dbr层组成的对数为24对。9.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：第一p型dbr层具有蚀刻形成台面，第一p电极位于台面上。10.根据权利要求9所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：台面的厚度大于第一p型dbr层厚度的二分之一。

技术总结
本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，包括依次由下至上层叠的P型衬底、第一P型DBR层、第一MQW层、N型DBR层、第二MQW层和第二P型DBR层；在第二P型DBR层内形成氧化层；第一P电极位于第一P型DBR层上或P型衬底上，N-DBR层具有蚀刻形成外露台面，N电极位于N-DBR层的外露台面上，第二P电极位于第二P型DBR层上；在第一MQW层与第二MQW层上下两层之间均有分离限制异质结层；第二MQW层的厚度大于第一MQW层的厚度，第一P型DBR层组成的对数大于N型DBR层组成的对数，N型DBR层组成的对数大于第二P型DBR层组成的对数。本实用新型能够进一步提升调制带宽。带宽。带宽。


技术研发人员：马德正 陈柏翰
受保护的技术使用者：厦门市三安集成电路有限公司
技术研发日：2022.08.30
技术公布日：2022/12/13