芯片损伤位置定位方法与流程

技术特征：
1.一种芯片损伤位置定位方法，其特征在于：针对失效的芯片样品，进行预检查，初步确定芯片样品的失效范围；对初步确定的失效范围内的重掺杂p型区与其附近的多晶硅之间进行电性连接，然后进行电压衬度。2.如权利要求1所述的芯片损伤位置定位方法，其特征在于：所述的预检查，包括进行光学目视检查，或者是使用剥离手段去除表层金属后进行的后道结构的显微或者电压衬度检查。3.如权利要求2所述的芯片损伤位置定位方法，其特征在于：所述的剥离手段包括研磨或者是聚焦离子束。4.如权利要求1所述的芯片损伤位置定位方法，其特征在于：所述的重掺杂p型区与多晶硅之间采用金属或者多晶硅进行电性连接。5.如权利要求4所述的芯片损伤位置定位方法，其特征在于：采用聚焦离子束将重掺杂p型区与多晶硅之间采用金属铂进行连接。6.如权利要求4所述的芯片损伤位置定位方法，其特征在于：采用聚焦离子束将重掺杂p型区与多晶硅之间采用金属铝进行连接。7.如权利要求4所述的芯片损伤位置定位方法，其特征在于：所述的重掺杂p型区与多晶硅之间进行电性连接，是采用聚焦离子束在多晶硅与重掺杂p型区之间刻蚀出沟槽，然后在沟槽内填充金属或者导电材料，形成多晶硅与重掺杂p型区之间的电性连接。

技术总结
本发明公开了一种存储器损伤位置定位方法，针对失效的芯片样品，进行预检查，初步确定芯片样品的失效范围；对初步确定的失效范围内的重掺杂P型区与其附近的多晶硅之间进行电性连接，然后进行电压衬度。本发明中将多晶硅与P 区进行电性连接，通过P 区的电压衬度结果来同步反应N 区的电压衬度，解决N 区电压衬度无法反馈缺陷结果的问题，能迅速定位失效的位置，找到失效的原因，及时调整工艺，提高良率。提高良率。提高良率。


技术研发人员：徐嘉良
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.09.19
技术公布日：2022/12/19