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一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法及利用该钙钛矿薄膜制备的光伏器件

2022-12-19 20:35:39 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法,其特征在于:先利用纳米颗粒对基底进行修饰,后在修饰的基底上利用真空蒸发方法制备钙钛矿薄膜;所述纳米颗粒的材质为氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化镍中的一种或多种组合;所述纳米颗粒的直径大小控制在0-200μm。2.根据权利要求1所述的一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法,其特征在于:所述纳米颗粒为氧化铝,氧化铝的直径大小控制在1-200μm。3.根据权利要求2所述的一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法,其特征在于:所述钙钛矿薄膜的组分可通过蒸发源进行调控;所述蒸发源为单源、双源、三源、n源中的一种;所述单源为cspbi3、cspbbr3、mapbi3、fapbibr2中的一种;所述双源为mai和pbbr2;所述三源为cscl、mabr和pbi2;所述n源中的n大于3,所述n源是利用n种蒸发源进行组分调控和掺杂。4.一种利用权利要求1-3中任一项所述的大面积高质量钙钛矿薄膜制备的光伏器件,其特征在于:是由依次堆叠的透明导电薄膜、第一界面层、权利要求1-3中任一项所述的大面积高质量钙钛矿薄膜、第二界面层和背电极层组成。5.根据权利要求4所述的一种利用大面积高质量钙钛矿薄膜制备的光伏器件,其特征在于:所述透明导电薄膜为铟锡氧化物ito或者氟掺杂氧化锡fto;第一界面层为ptaa、nio、sno2、tio2中的一种;第二界面层为c
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、sno2、酞菁铜、p3ht中的一种;所述背电极层为ito、ag、cu中的一种或者ito、ag、cu形成的复合电极。6.根据权利要求5所述的一种利用大面积高质量钙钛矿薄膜制备的光伏器件,其特征在于:所述光伏器件的制备方法,包括以下步骤:(1)在透明导电薄膜基底上通过旋涂法制备第一界面层;(2)在第一界面层上通过旋涂法制备纳米修饰层;(3)采用真空蒸发的方式沉积钙钛矿薄膜,蒸发源为kcl、mai、mabr、pbi2、cscl、pbbr2、cspbi3中的一种或者多种组合;(4)在钙钛矿层上通过旋涂法制备第二界面层;(5)在第二界面层上制备背电极,得成品光伏器件。7.根据权利要求6所述的一种利用大面积高质量钙钛矿薄膜制备的光伏器件,其特征在于:所述纳米修饰层中的纳米颗粒为氧化铝,是通过旋涂法形成于钙钛矿层表面;所述制备纳米修饰层过程中氧化铝浓度控制在9mg-74mg/ml。8.根据权利要求7所述的一种利用大面积高质量钙钛矿薄膜制备的光伏器件,其特征在于:所述所述制备纳米修饰层过程中氧化铝浓度控制在19mg-38mg/ml。9.根据权利要求7所述的一种利用大面积高质量钙钛矿薄膜制备的光伏器件,其特征在于:所述光伏器件的制备方法,包括以下步骤:(1)在透明导电薄膜基底上通过旋涂法制备第一界面层;(2)在第一界面层上通过旋涂法制备纳米修饰层,具体以3500 转每秒,30 秒制备纳米修饰层过程中氧化铝浓度控制在19mg/ml;采用真空蒸发的方式沉积钙钛矿薄膜,蒸发源为mabr、pbi2、cscl;(4)在钙钛矿层上通过旋涂法制备第二界面层;(5)在第二界面层上制备背电极,得成品光伏器件。

技术总结
本申请涉及太阳能光伏组件技术领域,尤其是一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法及利用该钙钛矿薄膜制备的光伏器件。大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法,首先利用纳米颗粒对基底进行修饰,之后在修饰的基底上利用真空蒸发方法制备钙钛矿薄膜。本申请的制备方法利用氧化物纳米颗粒修饰基底从而调控薄膜质量,有利于大面积高性能钙钛矿光电器件的实现。光伏器件,包括依次层叠的透明衬底、透明底电极、第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层和背电极。本申请中的钙钛矿器件,在第一传输层上进行纳米颗粒修饰,从而改善钙钛矿层质量,实现大面积高性能器件。实现大面积高性能器件。实现大面积高性能器件。


技术研发人员:吴绍航 刘雅晴 麦耀华
受保护的技术使用者:暨南大学
技术研发日:2022.09.14
技术公布日:2022/12/16
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