支架及半导体发光装置的制作方法

1.本实用新型涉及发光的技术领域，尤其涉及一种支架及半导体发光装置。


背景技术：

2.目前的半导体发光装置一般包括支架和发光芯片，通过将发光芯片安装在支架上进行使用。目前的支架在生产时是在一个基座上生产多个，然后再将各支架从基座上裁切下来，发明人发现，由于支架上的导电件的焊接面与整体支架的裁切面相靠较近，使得在裁切的过程中，易将导电件上的镀银层也一同裁切掉，进而导致通过导电件使发光芯片进行电性连接的方式稳定性较差。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本实用新型提供了一种支架及半导体发光装置，用于解决现有用于安装发光芯片的支架导电稳定性较差的技术问题。
4.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案一为：
5.一种支架，所述支架包括：
6.本体，上设有安装侧和与所述安装侧相背的裁切侧，所述安装侧上开设有用于封装发光芯片的凹槽；
7.第一导电件，包括嵌入所述本体的第一段，及伸出所述本体的第二段，所述第一段伸入所述凹槽内，以能够与所述发光芯片电性连接，所述第二段的一端与所述第一段连接，另一端朝向所述裁切侧的第一焊接面上开设有第一缺口，所述第一缺口的内壁面能够增加所述第一焊接面的表面积，并增大与所述裁切侧之间的间距大小；
8.以及第二导电件，包括嵌入所述本体的第三段，及伸出所述本体的第四段，所述第三段伸入所述凹槽内，以能够与所述发光芯片电性连接。
9.在所述支架的一些实施例中，所述第二段包括第一连接段和第二连接段，所述第一连接段一端连接于所述第一段，另一端连接于所述第二连接段，所述第一连接段与所述第二连接段呈夹角设置，所述第一连接段还与所述第一段呈夹角设置，以使所述第二连接段能够与所述第一段之间形成间隔；所述第一缺口形成于所述第二连接段朝向所述裁切侧的一侧。
10.在所述支架的一些实施例中，所述第一缺口的内壁包括相连接第一底壁和第一侧壁，所述第一底壁与所述第一侧壁圆弧过渡。
11.在所述支架的一些实施例中，所述第二连接段的延伸方向平行于所述第一段的延伸方向。
12.在所述支架的一些实施例中，所述第四段包括第三连接段和第四连接段，所述第三连接段一端连接于所述第三段，另一端连接于所述第四连接段，所述第三连接段与所述第四连接段呈夹角设置，所述第三连接段还与所述第三段呈夹角设置，以使所述第四连接段能够与所述第四段之间形成间隔。
13.在所述支架的一些实施例中，所述第四段朝向所述裁切侧的第二焊接面上开设有第二缺口，所述第二缺口的内壁面能够增加所述第二焊接面的表面积，并增大与所述裁切侧之间的间距大小。
14.在所述支架的一些实施例中，所述第二缺口的内壁包括相连接第二底壁和第二侧壁，所述第二底壁与所述第二侧壁圆角过渡。
15.在所述支架的一些实施例中，所述安装侧的边沿围设形成的形状为矩形、条形中的一种。
16.在所述支架的一些实施例中，所述安装侧包括远离所述第二段和所述第四段的第一边沿，以及靠近所述第二段和所述第四段的第二边沿，所述第一边沿的延伸方向平行于所述第二边沿的延伸方向，所述第一边沿与所述凹槽的槽口边沿之间的间距大小不大于所述第二边沿与所述凹槽的槽口边沿之间的间距大小。
17.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案二为：
18.一种半导体发光装置，包括上面实施例中所述的支架，所述半导体发光装置还包括发光芯片，所述发光芯片封装于所述凹槽内，并与所述第二段和所述第四段电性连接。
19.实施本实用新型实施例，将至少具有如下有益效果：
20.上述支架应用于半导体发光装置，能够使其自身及半导体发光装置具有电性连接可靠的技术效果，具体而言，本实用新型通过在第一导电件伸出本体的第二段上的第一焊接面上开设第一缺口，可以理解的是，第一缺口的内壁面由于与剩余第一焊接面之间会形成过渡面，从而能够增大镀银面积，减少漏铜，提升焊接的可靠性，并且还能够增大与裁切侧之间的间距大小，以此在裁切时，能够避免第一缺口内壁面上的镀层被裁切到，从而解决了现有用于安装发光芯片的支架导电稳定性较差的技术问题。
附图说明
21.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1为一个实施例中支架的主视图；
23.图2为一个实施例中第二段的结构主视图；
24.图3为一个实施例中第四段的结构主视图；
25.图4为一个实施例中支架的俯视图。
26.其中：1、本体；11、凹槽；12、安装侧；121、第一边沿；122、第二边沿；13、裁切侧；2、第一导电件；21、第一段；22、第二段；221、第一连接段；222、第二连接段；2221、第一缺口；22211、第一底壁；22212、第一侧壁；2222、第一焊接面；3、第二导电件；31、第三段；32、第四段；321、第三连接段；322、第四连接段；3221、第二缺口；32211、第二底壁；32212、第二侧壁；3222、第二焊接面。
具体实施方式
27.为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描
述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以通过许多其他不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
28.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
29.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
30.目前的支架在生产时是在一个基座上生产多个，然后再将各支架从基座上裁切下来，发明人发现，由于支架上的导电件的焊接面与整体支架的裁切面相靠较近，使得在裁切的过程中，易将导电件上的镀银层也一同裁切掉，进而导致通过导电件使发光芯片进行电性连接的方式稳定性较差。
31.如图1-4所示，在一种支架实施例中，支架包括本体1、第一导电件2以及第二导电件3。本体1上设有安装侧12和与安装侧12相背的裁切侧13，安装侧12上开设有用于封装发光芯片的凹槽11。第一导电件2包括嵌入本体1的第一段21，及伸出本体1的第二段22，第一段21伸入凹槽11内，以能够与发光芯片电性连接，第二段22的一端与第一段21连接，另一端朝向裁切侧13的第一焊接面2222上开设有第一缺口2221，第一缺口2221的内壁面能够增加第一焊接面2222的表面积，并增大与裁切侧13之间的间距大小。第二导电件3包括嵌入本体1的第三段31，及伸出本体1的第四段32，第三段31伸入凹槽11内，以能够与发光芯片电性连接。
32.在本实施例中，通过在第一导电件2伸出本体1的第二段22上的第一焊接面2222上开设第一缺口2221，可以理解的是，第一缺口2221的内壁面由于与剩余第一焊接面2222之间会形成过渡面，从而能够增大镀银面积，减少漏铜，提升焊接的可靠性，并且还能够增大与裁切侧13之间的间距大小，以此在裁切时，能够避免第一缺口2221内壁面上镀层被裁切到，从而解决了现有用于安装发光芯片的支架导电稳定性较差的技术问题。
33.可以理解的是，主体1的安装侧12为顶侧，对应地，裁切侧13为底侧。
34.在一种支架实施例中，第二段22包括第一连接段221和第二连接段222，第一连接段221一端连接于第一段21，另一端连接于第二连接段222，第一连接段221与第二连接段222呈夹角设置，第一连接段221还与第一段21呈夹角设置，以使第二连接段222能够与第一段21之间形成间隔。第一缺口2221形成于第二连接段222朝向裁切侧13的一侧。
35.在本实施例中，通过设置第一连接段221，能够使得第二连接段222和第二段22之间形成间隔，而第二连接段222作为焊接的部位，与第二段22之间形成间隔、断差，能够有效地放置焊接的沾锡不良。
36.具体地，第一连接段221和第二连接段222可组成l形，优选地，第二连接段222的延伸方向平行于第一段21的延伸方向，且第一连接段221的延伸方向垂直于第一段21的延伸方向。
37.需要说明的是，第一焊接面2222位于第二连接段222上，在前面提到，第一焊接面2222是第二段22背离安装侧12的侧面，因此可以理解的是，第二连接段222是延伸至第一连接段221的底端的，即，第一连接段221的底端面与第二连接段222的上表面相连接，而第二连接段222的下表面即为第一焊接面2222。
38.在一种支架实施例中，第一缺口2221的内壁包括相连接的第一底壁22211和第一侧壁22212，第一底壁22211与第一侧壁22212圆弧过渡。
39.在本实施例中，具体地，第二连接段222可为矩形块状结构，在第二连接段222背离安装侧12的一侧表面如底面上开设第一缺口2221，如可通过铣刀冲切而成，而第一缺口2221形成后，会在此第一焊接面2222上形成凹陷，因此可以理解的是，第一缺口2221的第一底壁22211会与此第一焊接面2222之间形成断差、阶梯，而之间的过渡面即为第一侧壁22212，通过设置成圆角过渡，方便加工，且相比斜面过渡，圆角过渡的表面积大，有利于增加镀银面积，提高焊接的可靠性。
40.具体地，为便于理解，以第二连接段222为大矩形块举例说明，通过冲切方式沿大矩形块的长度方向将底侧冲切下来一个小矩形块，小矩形块的宽度与大矩形块的，从而形成第一缺口2221，对应为附图1-2中的具体实施方式；还可以是，通过冲切的方式沿大矩形块的长度方向在底侧冲切出一个个小的条形块，从而能够形成多个第一缺口2221，连在一起可以是波浪形。
41.在一种支架实施例中，第四段32包括第三连接段321和第四连接段322，第三连接段321一端连接于第三段31，另一端连接于第四连接段322，第三连接段321与第四连接段322呈夹角设置，第三连接段321还与第三段31呈夹角设置，以使第四连接段322能够与第四段32之间形成间隔。
42.在本实施例中，与前面实施例同理，通过设置第三连接段321，能够使得第四连接段322和第四段32之间形成间隔，而第四连接段322作为焊接的部位，与第四段32之间形成间隔、断差，能够有效地放置焊接的沾锡不良。
43.具体地，第三连接段321和第四连接段322可组成l形，优选地，第四连接段322的延伸方向平行于第三段31的延伸方向，且第四连接段322的延伸方向垂直于第三段31的延伸方向。
44.在一种支架实施例中，第四段32朝向裁切侧13的第二焊接面3222上开设有第二缺口3221，第二缺口3221的内壁面能够增加第二焊接面3222的表面积，并增大与裁切侧13之间的间距大小。
45.在本实施例中，通过设置第二缺口3221，能够使得第一导电件2和第二导电件3的镀银面积都得到增加，从而有利于第一导电件2和第二导电件3的焊接可靠。并且还能够避免在裁切时第一导电件2和第二导电件3被裁切到。
46.在一种支架实施例中，第二缺口3221的内壁包括相连接的第二底壁32211和第二侧壁32212，第二底壁32211与第二侧壁32212圆角过渡。
47.在本实施例中，具体地，与前面实施例同理，第四连接段322可为矩形块状结构，在第四连接段322背离安装侧12的第二焊接面3222如底面上开设第二缺口3221，如可通过铣刀冲切而成，而第二缺口3221形成后，会在第二焊接面3222上形成凹陷，因此可以理解的是，第二缺口3221会与第一焊接面2222之间形成断差、阶梯，而之间的过渡面即为第二侧壁
32212，通过设置成圆角过渡，方便加工，且相比斜面过渡，圆角过渡的表面积大，有利于增加镀银面积，提高焊接的可靠性。
48.同样地，第二缺口3221的具体形状和数量也可以与第一缺口2221的具体形状和数量相同，即第二段22和第四段32的结构可为完全相同的。
49.另外可以理解的是，第一段21和第二段22可组成z字形，第三段31和第四段32可组成z字形，第一段21、第一连接段221、第二连接段222、第三端、第三连接段321和第四连接段322都可为矩形块状结构。
50.可以理解的是，第一段21和第三段31可以从侧面伸入到凹槽11内，以能够充当凹槽11的槽底，并且第一段21和第三段31间隔之间留有间隔，优选地之间的间隔通过绝缘体隔绝。
51.在一种支架实施例中，安装侧12的边沿围设形成的形状为矩形、条形中的一种。
52.在本实施例中，矩形、条形等均为轴对称图形，优选地，凹槽11的槽口形状可对应的液位矩形或条形的形状，因此发光芯片可安装于凹槽11的正中心位置处，能够使得出光效果好，出光光线更均匀、稳定。另外，安装侧12的边沿为矩形、条形等形状时，能够最大限度的增加凹槽11槽口的尺寸大小，从而增加发光面，提高亮度。
53.在一种支架实施例中，安装侧12包括远离第二段22和第四段32的第一边沿121，以及靠近第二段22和第四段32的第二边沿122，第一边沿121的延伸方向平行于第二边沿122的延伸方向，第一边沿121与凹槽11的槽口边沿之间的间距大小不大于第二边沿122与凹槽11的槽口边沿之间的间距大小。
54.结合附图所示，即为图中的a不大于b，再做凹槽11时，先以靠近第二段22和第四段32的第二边沿122为基准划分出间距大小，而后再确定另一侧的间隔，以能够做到最大扩大发光面的尺寸大小为目的进行划分即可，因此最终得到的间隔a小于等于b。
55.另外结合以上实施例，在一种支架实施例中，凹槽11的侧壁为倾斜，凹槽11的形状可为梯形槽，或喇叭形的槽。可以理解的是，凹槽11的内壁为全反射面。
56.本实用新型还涉及一种半导体发光装置，包括上面实施例中的支架，半导体发光装置还包括发光芯片，发光芯片封装于凹槽11内，并与第二段22和第四段32电性连接。通过应用上面实施例中的支架，能够使得增大发光芯片的电性连接的稳定性。
57.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
58.以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。