一种兼具低烧结温度与高耐电强度的氧化镁基微波介质陶瓷及其制备方法

技术特征：
1.一种兼具低烧结温度与高耐电强度的mgo基微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述mgo基微波介质陶瓷材料的化学组成为：（a mgo
‑ꢀ
b lif）-x mo；其中，a、b为摩尔百分比，0.01<b<0.04 且a b=1；x为质量百分比，且0<x<2 wt%；mo为mno、mno2、fe2o3、sc2o3、ni2o3和zro2中的至少一种。2.根据权利要求1所述的mgo基微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述mgo基微波介质陶瓷化学组成中0.01< b < 0.03，优选b=0.02；0.1 wt% ≤ x ≤1 wt%。3.一种如权利要求1或2所述的mgo基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：将mg源高温煅烧，得到高纯mgo粉体；将 mgo、lif、m源按比例混合，湿法球磨烘干后，得到原料粉体；经过筛、造粒、成型得到陶瓷生坯；所述陶瓷生坯经排塑、烧结后得到所述mgo基微波介质陶瓷。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述mg源为碱式碳酸镁、醋酸镁、草酸镁、氢氧化镁、氯化镁中的一种或几种；所述m源为金属m的氧化物、碳酸盐、草酸盐、醋酸盐中的至少一种，优选金属m的氧化物或碳酸盐。5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述将mg源高温煅烧的温度为800～1000℃，时间为2～6小时；所述煅烧的升温速率为1～5 ℃ /分钟。6.根据权利要求3-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述造粒采用的粘结剂为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛和酚醛树脂中的至少一种，加入量为原料粉体总质量的2～8 wt%。7.根据权利要求3-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述成型为干压成型，成型压力为50～100mpa。8.根据权利要求3-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，将成型得到的陶瓷生坯在50～200 mpa静水压下等静压处理10～20分钟。9.根据权利要求3-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述排塑的温度为400～600℃，时间4～6小时。10.根据权利要求3-9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为900～950℃，时间4～6小时。

技术总结
本发明涉及一种兼具低烧结温度与高耐电强度的氧化镁基微波介质陶瓷及其制备方法，所述MgO基微波介质陶瓷材料的化学组成为：（a MgO-b LiF）-x MO；其中，a、b为摩尔百分比，0.01<b<0.04且a b=1；x为质量百分比，且0<x<2 wt%；MO为MnO、MnO2、Fe2O3、Sc2O3、Ni2O3和ZrO2中的至少一种。少一种。少一种。


技术研发人员：董显林 张弛 陈莹
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2021.06.11
技术公布日：2022/12/12