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半导体结构的制作方法

2022-12-13 07:34:40 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种半导体结构,其包括:衬底,所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,其中所述衬底包括:设置于所述第一表面上的接合垫,其特征在于,所述半导体结构进一步包含第一检测部件,所述第一检测部件设置于所述衬底的所述第一表面上。2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一检测部件电连接至所述接合垫。3.根据权利要求1或2中任一权利要求所述的半导体结构,其特征在于,所述衬底进一步包括设置于所述衬底的所述第一表面上的被动部件及第二检测部件,且所述第二检测部件电连接至所述被动部件。4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构进一步包含芯片,所述芯片设置于所述衬底的所述第一表面上,且所述第二检测部件设置于所述芯片与所述被动部件之间。5.根据权利要求4所述的半导体结构,其特征在于,所述芯片设置于所述第一检测部件与所述第二检测部件之间。6.根据权利要求5所述的半导体结构,其特征在于,所述芯片包含专用集成电路芯片。7.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述衬底进一步包含硅穿孔tsv及第三检测部件,所述第三检测部件设置于所述衬底的所述第一表面上,且所述第三检测部件电连接至所述硅穿孔。8.根据权利要求7所述的半导体结构,其特征在于,所述第一检测部件、所述第二检测部件及所述第三检测部件中的至少一者为检测垫。9.根据权利要求7所述的半导体结构,其特征在于,所述衬底进一步包含球焊垫,所述球焊垫设置于所述衬底的所述第二表面上,且所述球焊垫电连接至所述硅穿孔。10.根据权利要求9所述的半导体结构,其特征在于,所述衬底进一步包含连接件,所述连接件设置于所述球焊垫上。

技术总结
本申请涉及半导体结构。根据本申请的一个方面,本申请提供了一种半导体结构,其包括:衬底,衬底包含第一表面及与第一表面相对的第二表面,其中衬底包括:设置于第一表面上的接合垫,其特征在于,其中半导体结构进一步包含第一检测部件,第一检测部件设置于衬底的第一表面上。本申请的半导体结构能够提高开短路测试的检测效率与准确程度。的检测效率与准确程度。的检测效率与准确程度。


技术研发人员:黄宏远 G
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2022.06.27
技术公布日:2022/12/9
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