半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其中，包含：半导体芯片，具有第一面以及第二面；第一元件部，形成在所述半导体芯片的所述第一面侧，包含主电流侧的第一单位单元；电流感测部，形成在所述半导体芯片的所述第一面侧，包含电流检测侧的第二单位单元；第一元件侧表面电极，配置在所述第一元件部的上方；感测侧表面电极，配置为在至少一部分中包含所述电流感测部的上方；第一元件侧线，接合于所述第一元件侧表面电极；感测侧线，接合于所述感测侧表面电极并且比所述第一元件侧线细；以及钝化膜，有选择地覆盖所述感测侧表面电极的所述第二单位单元的正上方的区域，并且具有使所述感测侧表面电极的一部分作为感测侧焊盘露出的第一开口，所述第二单位单元被配置于所述感测侧表面电极的下方且避开了所述感测侧线的接合部分的正下部的位置，所述电流感测部和所述感测侧焊盘这二者沿着所述半导体芯片的第一周缘配置，与si-mosfet相比较，按每单位面积能够流动的电流量大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电流感测部比所述感测侧焊盘小。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述感测侧线比所述第一元件侧线短。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述感测侧线和所述第一元件侧线以相对于所述半导体芯片从彼此不同的方向延伸的方式设置。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述半导体芯片还包含与所述第一周缘垂直地延伸的一对第二周缘，所述电流感测部位于相对于所述一对第二周缘更靠近所述第一周缘的中央部且从所述一对第二周缘离开的位置。6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置，其中，包含：层间绝缘膜，配置在所述电流感测部与所述感测侧表面电极之间；以及表面绝缘膜，形成在所述层间绝缘膜的下方，所述层间绝缘膜形成得比所述表面绝缘膜厚。7.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置，其中，所述电流感测部被形成于由所述第一元件部包围的区域。8.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一单位单元和所述第二单位单元具有彼此相同的单元构造。9.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体装置，其中，在所述半导体芯片的面内方向上仅在一处形成所述电流感测部。10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述层间绝缘膜具有1μm以上的厚度。11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一元件部和所述电流感测部是分别具有控制端子的开关元件，
所述半导体装置包含控制端子侧表面电极，所述控制端子侧表面电极被配置在所述半导体芯片上，具有接合有布线材料的控制端子侧接合区域，所述层间绝缘膜也被配置于所述控制端子侧接合区域的正下部。12.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述层间绝缘膜包含sio2膜。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述sio2膜含有p（磷）。14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述sio2膜含有b（硼）。15.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体装置，其中，所述感测侧表面电极包含电极，所述电极由从下侧按照ti、tin和alcu的顺序层叠的层叠构造构成。16.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一元件部和所述电流感测部是分别具有控制端子的开关元件，所述第一元件部和所述电流感测部的至少一个包含配置在所述半导体芯片上的控制端子侧表面电极，所述钝化膜具有使所述控制端子侧表面电极的一部分作为控制端子侧焊盘露出的第二开口，所述感测侧焊盘和所述控制端子侧焊盘被形成为沿彼此相同的方向长尺寸的形状。17.一种半导体装置，其中，包含：平面视四边形状并且在平面视中具有四边的半导体层；源极部，形成在所述半导体层，包含主电流侧的第一单位单元；源极侧表面电极，配置在所述源极部的上方；栅极侧表面电极，配置在所述半导体层上；以及钝化膜，具有使所述源极侧表面电极的一部分作为源极侧焊盘露出的开口以及使所述栅极侧表面电极的一部分作为栅极侧焊盘露出的开口，所述栅极侧表面电极还包含栅极指状物，所述栅极指状物包含：沿从所述半导体层的一边朝向其对边的方向以贯穿所述源极侧表面电极的中央的方式延伸的中央部、以及沿着所述半导体层的周缘延伸并且将所述源极侧表面电极包围的周边部。18.一种半导体装置，其中，包含：半导体层；以及源极部，形成在所述半导体层，包含主电流侧的第一单位单元，包含形成于所述半导体层的表面部的p型体阱，所述p型体阱包含：矩阵状的单元形成部，构成所述第一单位单元；场形成部，被形成为包围单元形成部，横跨通过所述源极部的外周部相邻的所述单元形成部来将它们连接。

技术总结
提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置（1），所述半导体装置（1）包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元（34）的源极部（27）、包含感测侧单位单元（40）的电流感测部（26）、配置在源极部（27）的上方的源极侧表面电极（5）、以及配置在电源感测部（26）的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘（15）的感测侧表面电极（6），感测侧单位单元（40）被配置于避开了感测侧焊盘（15）的正下部的位置。正下部的位置。正下部的位置。


技术研发人员：长尾胜久
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2022/12/9