阵列基板、显示面板及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示面板技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、显示面板及电子设备。


背景技术：

2.随着显示面板制造技术的发展，用户对显示面板显示效果的要求越来越高，为了进一步减小显示面板的边框，提高显示面板的屏占比，在一些方案中会将原本设置在边框位置的非显示区的门面板(gate in panel，gip)电路或者扇出(fanout)电路设置在有效显示区的两侧。这会导致有效显示区两侧走线的间隔分布周期与中间区域不同，进而导致在息屏状态下显示面板两侧产生反射不均(mura)的现象。


技术实现要素：

3.为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本技术实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括第一显示区及位于所述第一显示区两侧的第二显示区，所述阵列基板包括：
4.衬底；
5.位于所述衬底一侧的至少一个金属走线层，所述金属走线层中位于所述第二显示区的走线密度大于位于所述第一显示区的走线密度；
6.位于所述第二显示区并覆盖所述金属走线层远离所述衬底一侧的反射削弱层，所述反射削弱层用于削弱或消除所述金属走线层反射的外界光线。
7.在一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括至少一个平坦化层；所述反射削弱层位于最远离所述衬底的所述平坦化层朝向所述衬底的一侧。
8.在一种可能的实现方式中，所述至少一个金属走线层包括第一金属层、第二金属层及第三金属层；所述阵列基板还包括：
9.位于所述衬底一侧的半导体结构；
10.位于所述半导体结构远离所述衬底一侧的栅极绝缘层；所述第一金属层位于所述栅极绝缘层远离所述衬底一侧；
11.位于所述第一金属层远离所述衬底一侧的电容介质层；所述第二金属层位于所述电容介质层远离所述衬底一侧；
12.位于所述第二金属层远离所述衬底一侧的层间绝缘层；所述反射削弱层位于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第三金属层位于所述反射削弱层远离所述衬底一侧，所述第三金属层中的至少部分金属走线通过贯穿所述反射削弱层、所述层间绝缘层和所述电容介质层的通孔与所述半导体结构电性接触；
13.所述平坦化层位于所述第三金属层远离所述衬底的一侧。
14.在一种可能的实现方式中，所述反射削弱层包括第一偏光膜。
15.在一种可能的实现方式中，所述反射削弱层的中掺杂有色散粒子；
16.优选地，所述色散粒子的粒径尺寸为1nm到100nm。
17.在一种可能的实现方式中，所述色散粒子包括金属氧化物粒子；
18.优选地，所述金属氧化物粒子包括氧化锆粒子或氧化钛粒子。
19.在一种可能的实现方式中，所述反射削弱层包括折射层，所述折射层的折射率大于位于所述折射层远离所述衬底一侧的至少一个所述平坦化层的折射率；
20.优选地，所述折射层的厚度大于120nm。
21.在一种可能的实现方式中，所述折射层的折射率大于2.5；
22.优选地，所述折射层的材料包括无定形硅。
23.本技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括本技术提供的所述阵列基板及位于所述反射削弱层远离所述衬底一侧的发光器件层。
24.优选地，所述反射削弱层包括第一偏光膜；所述发光器件层远离所述阵列基板的一侧还设置有第二偏光膜，所述第一偏光膜的偏振方向与所述第二偏光膜的相位延迟方向相同。
25.本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包本技术提供的所述显示面板。
26.相对于现有技术而言，本技术具有以下有益效果：
27.本技术实施例提供一种阵列基板、显示面板及电子设备，通过在第一显示显示区的两侧的第二显示区设置反射削弱层，可以破坏所述第二显示区中金属走线层反射的周期分布，从而减弱息屏状态下显示面板两侧反射不均的现象。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
29.图1为显示面板中的走线示意图；
30.图2为本实施例提供的显示面板的示意图之一；
31.图3为本实施例提供的显示面板的示意图之二；
32.图4为本实施例提供的显示面板的示意图之三；
33.图5为本实施例提供的显示面板的示意图之四；
34.图6为本实施例提供的显示面板的示意图之五。
具体实施方式
35.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
36.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范
围。
37.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
38.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
39.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
40.显示面板的有效显示(active area，aa)区通常会有多个金属走线层140，金属走线层140中会有多条同向平行延伸的aa区走线电路103。请参见图1，在一些实现方式中，为了减小屏幕边框，会将aa区两侧的非显示区中的侧边走线电路104(如，gip电路或者扇出电路)设置于aa区中，如设置于相邻的aa区走线电路103之间。
41.但是，经发明人研究发现，所述aa区走线电路103通常以一定规律等间距分布，而所述侧边走线电路104的分布间距与所述aa区走线电路103的分布规律不同，在将所述侧边走线电路104设置在aa区两侧后，会导致所述aa区走线电路103和所述侧边走线电路104在反射外接光线时，因不同分布周期的反射光线叠加产生摩尔纹，进而导致aa区的两侧出现息屏mura的现象，影响用户的使用体验。
42.基于对上述问题的发现和研究，本实施例提供一种可以减小显示面板两侧息屏mura的现象的方案，下面对本实施例提供的方案进行详细阐述。
43.请再次参见图1，本实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括第一显示区101和位于所述第一显示区101两侧的第二显示区102。
44.需要说明的是，在本实施例中，所述第一显示区101和所述第二显示区102均为aa区的一部分，所述显示面板还可以包括位于aa区至少一侧外侧的非显示区(未示出)。例如，所述非显示区可以环绕所述aa区。
45.请参照图2，所述阵列基板可以包括衬底110、至少一个金属走线层140及反射削弱层190。
46.所述至少一个金属走线层140位于所述衬底110的一侧。在本实施例中，所述金属走线层140中位于所述第二显示区102的走线密度大于位于所述第一显示区101的走线密度。
47.具体地，在一种可能的实现方式中，所述第一显示区101中可以包括aa区走线电路103，所述第二显示区102域中可以包括aa区走线电路103以及侧边走线电路104(如，gip电路或者扇出电路)，其中，所述aa区走线电路103及所述侧边走线电路104的至少一部分同向平行延伸。
48.在一种可能的实现方式中，所述金属走线层140可以为多个，所述金属走线层140可以用于形成所述阵列基板中薄膜晶体管(thin film transistor，tft)驱动单元的电极、电容或传递信号的走线。所述aa区走线电路103可以与所述侧边走线电路104位于同一个金属走线层140；在另一中可能的实现方式中，所述aa区走线电路103也可以与所述侧边走线
电路104位于不同的金属走线层140。
49.在本实施例中，所述反射削弱层190位于所述第二显示区102并覆盖所述金属走线层140远离所述衬底110的一侧。在一种可能的实现方式中，所述金属走线层140与所述反射削弱层190之间还可以设置有其他膜层；在另一种可能的实现方式中，所述反射削弱层190可以直接设置于所述金属走线层140远离所述衬底110的一侧并覆盖所述金属走线层140。
50.所述反射削弱层190用于削弱或消除所述金属走线层140反射的外界光线。如此，所述反射削弱层190可以减弱所述第二显示区102中的所述侧边走线电路104的反射光线，或者破坏所述侧边走线电路104的反射光线的分布周期，从而减少所述侧边走线电路104反射的光线与所述aa区走线电路103反射的光线混合产生摩尔纹的风险，减弱息屏状态下显示面板两侧反射不均的现象。
51.在一些可能的实现方式中，请参照图3，所述阵列基板还包括至少一个平坦化层170，所述反射削弱层190位于最远离所述衬底110的所述平坦化层170朝向所述衬底110的一侧。所述平坦化层170远离所述衬底110的一侧还可以设置有发光器件层的阳极层210、像素界定层220、支撑结构230等。如此，所述反射削弱层190位于所述阳极层210与所述衬底110之间，使得所述反射削弱层190不会影响到所述阳极层210的平坦度及位于所述阳极层210之上的发光器件层的发光效果。
52.在一种可能的实现方式中，请参照图4，所述阵列基板可以包括多个所述金属走线层140，例如，可以包括从靠近所述衬底110方向向远离所述衬底110的方向依次层叠设置的第一金属层141、第二金属层142及第三金属层143。
53.具体地，请参照图4，所述阵列基板可以包括位于所述衬底110一侧的半导体结构120、位于所述半导体结构120远离所述衬底110一侧的栅极绝缘层130、位于所述栅极绝缘层130远离所述衬底110一侧的所述第一金属层141、位于所述第一金属层141远离所述衬底110一侧的电容介质层150、位于所述电容介质层150远离所述衬底110一侧的所述第二金属层142、位于所述第二金属层142远离所述衬底110一侧的层间绝缘层160、位于所述层间绝缘层160远离所述衬底110一侧的所述反射削弱层190、位于所述反射削弱层190远离所述衬底110一侧的所述第三金属层143、位于所述第三金属层143远离所述衬底110一侧的平坦化层170。其中，所述第三金属层143中的至少部分金属走线通过贯穿所述电容介质层150、所述层间绝缘层160、所述反射削弱层190的通孔与所述半导体结构120电性接触，例如，与所述半导体结构120中的源极电极或漏极电极电性接触。
54.另外，所述平坦化层170远离所述衬底110一侧还可以设置有发光器件层的阳极层210、像素界定层220、支撑结构230，其中，所述阳极层210通过贯穿所述平坦化层170的通孔与所述第三金属层143中的部分金属走线电性接触。
55.所述侧边走线电路104可以位于所述第一金属层141或所述第二金属层142，如此，所述反射削弱层190可以削弱或消除所述第一金属层141和所述第二金属层142的反射光线。
56.在一种可能的实现方式中，请参照图5，所述阵列基板可以包括多个所述金属走线层140，例如，可以包括从靠近所述衬底110方向向远离所述衬底110的方向依次层叠设置的第一金属层141、第二金属层142及第三金属层143。
57.具体地，请参照图5，所述阵列基板可以包括位于所述衬底110一侧的半导体结构
120、位于所述半导体结构120远离所述衬底110一侧的栅极绝缘层130、位于所述栅极绝缘层130远离所述衬底110一侧的所述第一金属层141、位于所述第一金属层141远离所述衬底110一侧的电容介质层150、位于所述电容介质层150远离所述衬底110一侧的所述第二金属层142、位于所述第二金属层142远离所述衬底110一侧的层间绝缘层160、位于所述层间绝缘层160远离所述衬底110一侧的所述第三金属层143、位于所述第三金属层143远离所述衬底110一侧的所述反射削弱层190及位于所述反射削弱层190远离所述衬底110一侧的所述平坦化层170，所述反射削弱层190覆盖所述第三金属层143。其中，所述第三金属层143中的至少部分金属走线通过贯穿所述层间绝缘层160及电容介质层150的通孔与所述半导体结构120电性接触，例如，与所述半导体结构120中的源极电极或漏极电极电性接触。
58.另外，所述平坦化层170远离所述衬底110一侧还可以设置有发光器件层的阳极层210、像素界定层220、支撑结构230，其中，所述阳极层210通过贯穿所述平坦化层170和所述反射削弱层的通孔与所述第三金属层143中的部分金属走线电性接触。
59.所述侧边走线电路104可以位于所述第一金属层141、所述第二金属层142或所述第三金属层143，如此，所述反射削弱层190可以削弱或消除所述第一金属层141、所述第二金属层142及所述第三金属层143的反射光线。
60.在一种可能的实现方式中，请参照图6，所述阵列基板可以包括多个所述金属走线层140，例如，可以包括从靠近所述衬底110方向向远离所述衬底110的方向依次层叠设置的第一金属层141、第二金属层142、第三金属层143及第四金属层144。
61.具体地，请参照图6，所述阵列基板可以包括位于所述衬底110一侧的半导体结构120、位于所述半导体结构120远离所述衬底110一侧的栅极绝缘层130、位于所述栅极绝缘层130远离所述衬底110一侧的所述第一金属层141、位于所述第一金属层141远离所述衬底110一侧的电容介质层150、位于所述电容介质层150远离所述衬底110一侧的所述第二金属层142、位于所述第二金属层142远离所述衬底110一侧的层间绝缘层160、位于所述层间绝缘层160远离所述衬底110一侧的所述第三金属层143、位于所述第三金属层143远离所述衬底110一侧的第一平坦化层171、位于所述第一平坦化层171远离所述衬底110一侧的所述第四金属层144、位于所述第四金属层远离所述衬底110一侧的所述反射削弱层190及位于所述反射削弱层远离所述衬底110一侧的所述第二平坦化层172。其中，所述第三金属层143中的至少部分金属走线通过贯穿所述层间绝缘层160及电容介质层150的通孔与所述半导体结构120电性接触，例如，与所述半导体结构120中的源极电极或漏极电极电性接触。所述第四金属层144中的至少部分金属走线通过贯穿所述第一平坦化层171的通孔与所述第三金属层143中的至少部分金属走线电性接触。
62.另外，所述第二平坦化层172远离所述衬底110一侧还可以设置有发光器件层的阳极层210、像素界定层220、支撑结构230，其中，所述阳极层210通过贯穿所述第一平坦化层171和所述反射消除层190的通孔与所述第四金属层144中的部分金属走线电性接触。
63.所述侧边走线电路104可以位于所述第一金属层141、所述第二金属层142、所述第三金属层143或所述第四金属层144，如此，所述反射削弱层190可以削弱或消除所述第一金属层141、所述第二金属层142、所述第三金属层143及所述第四金属层144的反射光线。
64.在一种可能的实现方式中，所述反射削弱层190包括第一偏光膜。通过所述第一偏光膜可以包括线偏振片及相位延迟片等结构。如此，外界光线可以透过所述第一偏光膜入
射到阵列基板下方的光线传感器或光学指纹传感器等部件。而被所述阵列基板中的金属走线层140反射光线会被所述第一偏光膜阻挡无法反射出去，如此，可以消除所述侧边走线反射的光线，从而避免所述aa区走线电路103和所述侧边走线电路104的反射光线叠加产生摩尔纹。
65.在另一种可能的实现方式中，所述反射削弱层190的中掺杂有色散粒子。外界射入的光线或者所述金属走线层140反射的光线在经过所述反射削弱层190时，由于所述色散粒子会存在反射色散，从而改变光线的传播路径。如此，可以破坏所述侧边走线电路104反射光线的周期性分布，从而避免aa区走线电路103和所述侧边走线电路104的反射光线叠加产生摩尔纹。在本实施例中，所述色散粒子的粒径尺寸为1nm到100nm。
66.进一步地，在本实施例中，所述色散粒子包括金属氧化物粒子，例如，所述色散粒子可以包括所述金属氧化物粒子包括氧化锆粒子或氧化钛粒子。
67.在另一种可能的实现方式中，所述反射削弱层190包括折射层，所述折射层的折射率大于位于所述折射层远离所述衬底110一侧的至少一个所述平坦化层170的折射率。如此，外界光线可以透过所述平坦化层170和所述折射层入射到阵列基板下方的光线传感器或光学指纹传感器等部件，但是，由于所述折射层的透射率大于位于所述折射层远离所述衬底110一侧的至少一个所述平坦化层170，所述金属走线层140反射的光线会在所述折射层和该平坦化层170的交界处发生全反射，因此反射光线无法透过所述平坦化层170。如此，可以消除所述侧边走线电路104反射的光线，从而避免所述aa区走线电路103和所述侧边走线电路104的反射光线叠加产生摩尔纹。在本实施例中，所述折射层的厚度可以大于120nm。
68.进一步地，所述折射层的折射率大于2.5。例如，所述折射层的材料可以包括无定形硅。
69.本技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括本技术提供的所述阵列基板及位于所述反射削弱层190远离所述衬底110一侧的发光器件层。
70.进一步地，所述发光器件层之上还会设置第二偏光膜。所述反射削弱层190可以为第一偏光膜。所述第一偏光膜的偏振方向与设置于所述阵列基板上的发光器件层之上的第二偏光膜的相位延迟方向相同。如此，透过所述第二偏光膜且相位被延迟后的光线可以继续透过所述第一偏光膜，但被所述第一偏光膜覆盖的金属走线层140的反射光线无法穿过所述第一偏光膜。
71.本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包本技术提供的所述显示面板。
72.本技术实施例提供一种阵列基板、显示面板及电子设备，通过在第一显示显示区的两侧的第二显示区设置反射削弱层，可以破坏所述第二显示区中金属走线层反射的周期分布，从而减弱息屏状态下显示面板两侧反射不均的现象。
73.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
74.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。