脑电极和脑电极系统的制作方法

1.本发明主要涉及医疗仪器领域，尤其涉及一种脑电极和包括该脑电极的脑电极系统。


背景技术：

2.立体定向脑电图(seeg,steroe-electroncephalography)技术是一种针对难治性癫痫的诊断和治疗技术。该技术通过在病人颅内放置深部电极，记录癫痫病灶源的放电情况，从而实现对病灶的准确定位及成像。针对无法手术切除和损毁的癫痫病灶源，可以利用外界电流来使脑部异常放电减少，例如深部脑刺激(dbs,deep brain stimulation)技术。在实际的诊疗过程中，可以先用seeg进行信号采集、成像分析，确定癫痫病灶源，之后再进行dbs等神经调控。但是这样的诊疗过程会导致病人面临二次手术，急剧增加手术造成的损伤风险。此外，dbs的电极点位相对较少，可调控范围有限，限制了使用dbs进行神经调控的效果。


技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题是提供一种灵活更换目标转接头以实现不同功能的脑电极以及包括该脑电极的脑电极系统。
4.为解决上述技术问题，本发明提供了一种脑电极，包括电极转接头和电极主体，所述电极转接头和所述电极主体电连接，所述电极转接头适于与目标转接头插接；所述电极主体包括套管、导线和至少一个电极点，所述至少一个电极点设置在所述套管的外表面上，所述导线设置在所述套管的内腔中，所述导线与所述至少一个电极点电连接，所述内腔中包括可插拔的支撑件。
5.在本技术的一实施例中，所述支撑件包括钨丝。
6.在本技术的一实施例中，所述内腔中还包括支撑件套管，所述支撑件可插拔地设置在所述支撑件套管中。
7.在本技术的一实施例中，所述支撑件套管是聚四氟乙烯管。
8.在本技术的一实施例中，所述支撑件具有第一端和第二端，所述第一端在所述内腔中与所述套管的顶端抵接。
9.在本技术的一实施例中，所述电极转接头中包括支撑件容纳腔，所述支撑件的第二端位于所述支撑件容纳腔中，所述支撑件容纳腔的内径大于所述第二端的外径。
10.在本技术的一实施例中，所述目标转接头包括seeg转接头或神经调控转接头。
11.本技术为解决上述技术问题还提出一种脑电极系统，包括适于嵌入颅骨内的颅骨固定件和如上所述的脑电极，所述颅骨固定件包括相互贯通的转接头容纳腔和电极通孔，所述转接头容纳腔适于容纳相互插接的所述电极转接头和所述目标转接头，所述电极主体的套管适于穿过所述电极通孔。
12.在本技术的一实施例中，所述电极通孔的尺寸大于所述套管的尺寸。
13.在本技术的一实施例中，所述转接头容纳腔的底部具有密封槽，所述电极转接头的底部具有向所述套管的顶端方向凸出的下凸部，所述下凸部适于插入所述密封槽以固定和密封所述电极转接头。
14.在本技术的一实施例中，所述电极转接头的底部具有密封固定插销，所述密封固定插销具有插销空腔，所述密封固定插销适于插入所述电极通孔中，所述支撑件还穿过所述插销空腔。
15.在本技术的一实施例中，所述颅骨固定件是固定螺丝，所述固定螺丝包括具有所述转接头容纳腔的第一螺丝和具有所述电极通孔的第二螺丝，所述第一螺丝的外径大于所述第二螺丝的外径，所述第一螺丝的外壁和所述第二螺丝的外壁通过一圆锥面相连接。
16.在本技术的一实施例中，所述第一螺丝的内径大于所述第二螺丝的内径，所述第二螺丝的内径大于所述套管的外径。
17.在本技术的一实施例中，还包括seeg转接头和神经调控转接头，当所述电极转接头与所述seeg转接头插接时，所述内腔中包括所述支撑件，当所述电极转接头与所述神经调控转接头插接时，所述内腔中不包括所述支撑件。
18.在本技术的一实施例中，还包括第一密封垫圈，当所述电极转接头与所述目标转接头插接时，所述第一密封垫圈夹设在所述转接头容纳腔的内壁和所述电极转接头的外壁之间。
19.在本技术的一实施例中，还包括seeg插头、导向件和从所述seeg转接头引出的seeg导线，所述导向件是具有中空腔体的导向螺丝，所述seeg导线穿过所述中空腔体与所述seeg插头相连接，所述导向螺丝的第一端具有第一外螺纹，所述转接头容纳腔具有第一内螺纹，所述第一外螺纹和所述第一内螺纹相互适配，所述导向螺丝的第一端和所述转接头容纳腔通过所述第一外螺纹和所述第一内螺纹螺接。
20.在本技术的一实施例中，所述第一外螺纹的外径大于等于所述第一密封垫圈的外径，所述第一外螺纹的内径小于所述第一密封垫圈的外径。
21.在本技术的一实施例中，所述转接头容纳腔的底部具有密封槽，所述电极转接头的底部具有密封垫盘，所述密封垫盘环绕所述电极转接头的外壁，所述密封垫盘具有上承接面和向所述套管的顶端方向凸出的下凸部，所述第一密封垫圈与所述上承接面抵接，所述下凸部适于插入所述密封槽。
22.在本技术的一实施例中，所述套管沿第一方向延伸，所述转接头容纳腔沿所述第一方向分别包括第一容纳腔和第二容纳腔，其中，所述第一容纳腔远离所述电极通孔，所述第一容纳腔具有第一内壁，所述第一内壁上具有第一内螺纹，所述第一容纳腔沿所述第一方向具有第一高度，所述第二容纳腔靠近所述电极通孔，所述第二容纳腔具有第二内壁，所述第二内壁是光滑内壁，所述第二容纳腔沿所述第一方向具有第二高度，所述第一密封垫圈沿所述第一方向具有第三高度，所述第三高度大于所述第二高度，并且所述第三高度小于所述第一高度与所述第二高度之和。
23.在本技术的一实施例中，还包括电极固定螺母和第二密封垫圈，所述电极固定螺母具有第二内螺纹，所述导向螺丝的第二端具有第二外螺纹，所述导向螺丝的第二端和所述电极固定螺母通过所述第二外螺纹和所述第二内螺纹螺接；所述第二密封垫圈设置在所述导向螺丝的第二端的中空腔体内，当所述导向螺丝的第二端和所述电极固定螺母螺接
时，所述第二密封垫圈夹设在所述中空腔体的内壁和所述seeg导线的外壁之间。
24.在本技术的一实施例中，所述导向螺丝的第一端的内径大于所述导向螺丝的第二端的内径，所述导向螺丝的第一端的外径大于所述导向螺丝的第二端的外径。
25.在本技术的一实施例中，还包括神经调控器、颅骨固定螺帽和从所述神经调控转接头引出的神经调控导线，所述颅骨固定螺帽具有神经调控导线通孔、折线槽和第三外螺纹，所述折线槽设置在所述颅骨固定螺帽的一端，所述神经调控导线依次穿过所述神经调控导线通孔、所述折线槽并经皮下与远端的所述神经调控器相连接，所述转接头容纳腔具有第一内螺纹，所述第三外螺纹和所述第一内螺纹相互适配，所述颅骨固定螺帽和所述转接头容纳腔通过所述第三外螺纹和所述第一内螺纹螺接。
26.在本技术的一实施例中，所述第三外螺纹的外径大于等于所述第一密封垫圈的外径，所述第三外螺纹的内径小于所述第一密封垫圈的外径。
27.本技术为解决上述技术问题还提出一种脑电极系统，包括seeg装置、神经调控装置和一刚度可调的脑电极。
28.本技术的脑电极中的电极转接头可以根据需要灵活的与其他目标转接头相插接，电极本体中包括可插拔的支撑件，该支撑件可以根据需要进行插拔，使该脑电极同时具备脑部立体定位和神经调控等功能。本技术的脑电极系统包括脑电极和颅骨固定件，该颅骨固定件包括适于与不同的目标转接头相螺接的转接头容纳腔，以容纳电极转接头和不同的目标转接头。采用本技术的脑电极和脑电极系统进行脑部立体定位和神经调控时，(1)仅需一次手术，降低了患者的手术风险；(2)该电极本体用于神经调控时，相比于传统的神经调控增加了电极点位，扩大了调控范围，进一步改善了神经调控的效果；(3)通过电极转接头分别与其他目标转接头插接的方式，可以避免颅外被环境污染部分对颅内植入部分的影响，保证颅内的无菌环境。
附图说明
29.包括附图是为提供对本技术进一步的理解，它们被收录并构成本技术的一部分，附图示出了本技术的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中：
30.图1是本技术一实施例的脑电极的结构示意图；
31.图2是图1所示实施例的脑电极的俯视图；
32.图3是本技术一实施例的脑电极系统的结构示意图；
33.图4是图3所示实施例的脑电极系统的俯视图；
34.图5是图3所示实施例的脑电极系统的爆炸图；
35.图6是本技术一实施例的脑电极系统中的颅骨固定件的结构示意图；
36.图7a是本技术一实施例的脑电极系统用于脑部立体定位时的状态示意图；
37.图7b是图7a所示实施例的爆炸示意图；
38.图8a是本技术一实施例的脑电极系统用于神经调控时的状态示意图；
39.图8b是图8a所示实施例的爆炸示意图；
40.图9a是本技术一实施例的脑电极系统中的颅骨固定螺帽的立体示意图；
41.图9b是沿图9a中的ee'线的剖视侧视图；
42.图10是本技术一实施例的脑电极系统的框图。
具体实施方式
43.为了更清楚地说明本技术的实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本技术应用于其他类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
44.如本技术和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
45.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
46.在本技术的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
47.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
48.此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，尽管本技术中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本技术说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本技术。
49.本技术的脑电极和包括该脑电极的脑电极系统可以用于对脑部疾病的诊断和治疗。本说明书以难治性癫痫为例进行说明，不用于限制本技术的脑电极和脑电极系统的应
用范围。
50.图1是本技术一实施例的脑电极的结构示意图。参考图1，该实施例的脑电极100包括电极转接头110和电极主体120，电极转接头110和电极主体120电连接，电极转接头110适于与目标转接头插接；如图1中的局部部分a的放大示意图所示，电极主体120包括套管121、导线122和至少一个电极点123，至少一个电极点123设置在套管121的外表面上，导线122设置在套管121的内腔130中，导线122与至少一个电极点123电连接，内腔130中包括可插拔的支撑件140。
51.图2是图1所示实施例的脑电极100的俯视图，图1是沿图2中所示的cc'线的剖视侧视图。结合图1和图2，电极转接头110是一种圆形接头，其用于与其他的目标转接头插接，从而将电极主体120所采集到的电信号通过目标转接头传递给与脑电极100相连接的其他装置。本技术对电极转接头110的具体类型不做限制，该电极转接头110可以是usb接头、hdmi结构、串口等任意类型可以用于信号传输的接头，相应的目标转接头的类型与电极转接头110的类型相适配。图2也不用于限制电极转接头110的形状。在一些实施例中，电极转接头110的直径范围是5-12mm。
52.在一些实施例中，目标转接头包括seeg转接头或神经调控转接头。在一实施例中，seeg装置通过seeg转接头与脑电极100相连接从而用于通过电极主体120获得seeg，在该情况下，电极主体120的作用是采集信号以进行脑部立体定位。在一实施例中，神经调控转接头是dbs转接头，dbs装置通过该dbs转接头与脑电极100相连接从而用于通过电极主体120实施电流刺激进行神经调控，在该情况下，电极主体120的作用是实施神经调控。因此，本技术的脑电极100兼具脑部立体定位和神经调控的功能。根据需要，通过将不同的目标转接头与电极转接头相插接，只需执行一次脑电极的植入即可分别用于执行诊断过程中的信号采集和治疗过程中的神经调控，患者只需承受一次手术风险，降低了手术风险。
53.如图1所示，电极主体120包括套管121，其局部放大示意图a中示出了一个电极点123，该电极点123是一种环状电极，在套管121上间隔地设置了至少一个电极点123。电极点123与导线122相连接，本技术对电极点123和导线122的数量不做限制。在一些实施例中，每个电极点123具有对应的导线122，电极点123和导线122一一对应；在另一些实施例中，一根导线122可以与多个电极点123相连接。全部导线122都与电极转接头110相连接，从而可以将每个电极点123所采集到的电信号通过电极转接头110传递出去，同时，其他设备的电信号也可以通过电极转接头110发送给至少一个电极点123，以控制电极点123执行发放电刺激等动作。
54.需指出，局部放大示意图a中所示的电极点123略微凸出于套管121的外表面。该图示仅为示例。在一些情况下，电极点123不凸出于套管121的外表面。
55.通常用于seeg信号采集的电极点的数量较多，例如6-16个，用于dbs中实施电流刺激的电极点的数量较少，例如4-6个。在本发明的脑电极100中，电极点的数量根据seeg信号采集的数量要求来设置，则在进行神经调控时，该脑电极100也具有较多的电极点来用于神经调控，相比于传统的神经调控电极增加了电极点位，扩大了调控范围，进一步改善了神经调控的效果。
56.在一些实施例中，套管120的长度范围是15-70mm。套管120的材料优选为tpu(热塑性聚氨酯弹性体橡胶)，电极点123的材料优选为铂铱合金，导线122的材料为铂铱合金、镍
钛丝等电阻率较低的导线。
57.结合图1和图2，可插拔的支撑件140设置在内腔130中，根据需要可以在内腔130中插入支撑件140，或将支撑件140从内腔130中拔出。支撑件140为长条状，图2所示示例中其横截面为圆形，不用于限制支撑件140的截面形状。可以理解，支撑件140具有两个端部，分别称为第一端142和第二端143。在脑电极100植入脑部之后，支撑件140的第一端142伸入患者脑内组织并具有较深的颅内深度，第二端143则靠近头皮具有较浅的颅内深度。
58.在一些实施例中，支撑件140是钨丝。当电极主体100用于脑部立体定位时，seeg转接头与电极转接头110电连接，根据检测需求，套管121应具备一定的刚度以便于对靶点进行定位。套管121具有一定的柔性，通过在套管121的内腔130中设置支撑件140可以提高套管121的刚度。当seeg装置获得脑部立体定位信息之后，将seeg转接头与电极转接头110分离，换由dbs转接头与电极转接头110电连接，dbs通常具有长期佩戴的特点，其植入电极要求较软，当患者移动时以顺应脑组织的移动，避免损伤脑组织，因此在连接dbs连接头之前，先将支撑件140拔出，使套管121恢复柔性以满足dbs的要求。
59.本技术对支撑件140的长度不做限制。可以理解，为了提高电极主体120的刚度，支撑件140的长度应大于等于套管121的长度。
60.如图1所示，支撑件140的第一端142在内腔130中与套管121的顶端124抵接。在脑电极100植入脑部之后，套管121的顶端124是电极主体120中具有最深颅内深度的部位。可以理解，由于套管121具有内腔130，因此支撑件140的第一端142最远可以延伸至该顶端124的内部，并在内腔130中与该顶端124抵接。
61.在一些实施例中，电极转接头110中包括支撑件容纳腔111，如图1中的虚线框所示，支撑件140的第二端143位于支撑件容纳腔111中，支撑件容纳腔111的内径大于第二端143的外径。例如在电极转接头110中设置一开孔作为支撑件容纳腔111用于容纳支撑件140的第二端143。设置支撑件容纳腔111可以使电极转接头110与其他目标转接头插拔时，支撑件140不会受到力的作用，从而不会施加力到电极主体120上，不影响电极主体120的功能。本技术对插入或拔出支撑件143的执行主体不做限制，可以是手动插拔，也可以是由器械或机械臂执行该插拔动作。
62.需要说明，在形成电极主体120时，还包括在内腔130中灌胶以达到密封的目的。为了方便支撑件140的插拔，如图1所示，在一些实施例中，内腔130中还包括支撑件套管141，支撑件141可插拔地设置在支撑件套管141中。根据这些实施例，在形成电极主体120时，先将支撑件140套设在支撑件套管141中并放入内腔130中，然后向支撑件套管141之外的其他空间灌胶。等胶凝固之后，支撑件140可以方便地从支撑件套管141拔出或插入。
63.在一些实施例中，支撑件套管141是聚四氟乙烯(ptfe)管。ptfe管不与胶粘接，可根据需要将ptfe管在内腔130中插入或拔出。在一些实施例中，支撑件套管141的厚度范围是0.01-0.1mm。
64.本技术的脑电极100通过设置电极转接头110，可以灵活地与其他目标转接头相插接以实现不同的功能，并且通过设置可插拔的支撑件140，使套管121同时满足脑部立体定位和神经调控对电极主体120的刚性和柔性的要求，仅需执行一次植入即可同时实现脑部立体定位和神经调控的功能，降低了患者的手术风险。
65.图3是本技术一实施例的脑电极系统300的结构示意图。图4是图3所示实施例的脑
电极系统300的俯视图，图3是沿图4中所示的dd'线的剖视侧视图。结合图3和图4，该实施例的脑电极系统300包括适于嵌入颅骨内的颅骨固定件310和前文及图1和图2所示的脑电极100，因此，脑电极100及其相关结构的标号与图1和图2中相同。图5是图3所示实施例的脑电极系统300的爆炸图。如图5，颅骨固定件310包括相互贯通的转接头容纳腔320和电极通孔330，转接头容纳腔320适于容纳相互插接的电极转接头110和目标转接头，电极主体120的套管121适于穿过电极通孔330并伸出，使套管121外表面上的至少一个电极点123暴露出来。在这些实施例中，转接头容纳腔320显然需与电极转接头110和目标转接头的尺寸、形状适配，电极通孔330的内径大于套管121的外径。需要说明，该电极通孔330不限于是圆孔，还可以是方孔等任意形状。
66.在一些实施例中，电极通孔330的尺寸大于套管121的尺寸。本技术不限制电极通孔330的形状，其可以是圆孔、方孔等。因此，电极通孔330的尺寸指其径向尺寸，当其为圆孔时，尺寸可以是直径、截面积等，当其为方孔使，尺寸可以是方形的长或宽、截面积等。套管121为管状结构，套管121的尺寸表示套管121的外周轮廓的尺寸，例如外径。在图3-5所示实施例中，电极通孔330为上下直径一致的圆柱孔，套管121是上下直径一致的圆柱管，则该电极通孔330的内径大于套管121的外径，以使套管121可以穿过该电极通孔330。
67.如图4，在电极转接头110和颅骨固定件310的内壁之间具有一定的空间s1。在一些实施例中，电极转接头110和颅骨固定件310的内壁抵接，不存在该空间s1。
68.如图5，在一些实施例中，转接头容纳腔320的底部321具有密封槽322，电极转接头110的底部具有向套管121的顶端124方向凸出的下凸部340，下凸部340适于插入密封槽322以固定和密封电极转接头110，如图3所示。在一些实施例中，密封槽322是环形结构，即在转接头容纳腔320的底部321形成环状的密封槽322，此时下凸部340可以是环形或非环形。在一些实施例中，下凸部340也是环形结构，当下凸部340插入环形密封槽322中时，下凸部340完全充满密封槽322，可以获得良好的固定和密封效果。
69.如图5所示，下凸部340沿d2方向凸出于该电极转接头110的外壁，也就是说，下凸部340形成了环绕电极转接头110外壁的密封垫盘，该密封垫盘具有上承接面341和下凸部340。图5所示的密封垫盘与后文所述的一些实施例中的第一密封垫圈配合，具体地将在后文说明。在其他的实施例中，为起到密封固定的作用，下凸部340可以不凸出于电极转接头110的外壁，下凸部340可以位于电极转接头110底部的任意位置。环状结构下凸部的直径可以小于等于电极转接头110底部的直径。
70.结合图3和图5，在一些实施例中，电极转接头110的底部还具有密封固定插销350，密封固定插销350具有插销空腔351，密封固定插销350适于插入电极通孔330中，支撑件140还穿过插销空腔351。密封固定插销350的外径与电极通孔330的内径相适配，优选地，二者相等，并且密封固定插销350沿第一方向d1的长度等于电极通孔330的长度，从而使密封固定插销350起到最优的密封效果。套管121设置在密封固定插销350的下方，在安装脑电极100和颅骨固定件300时，套管121穿过电极通孔330并完全暴露在颅骨固定件300的下方。密封固定插销350还起到保护套管121不受到插拔作用力影响的作用。支撑件140的第二端143还穿过插销空腔351并到达电极转接头110中的支撑件容纳腔111。
71.在将脑电极100植入脑部时，通过设置密封槽322、下凸部340、密封固定插销350等密封组件使颅内、颅外隔绝，有效降低脑脊液等外流或颅内感染风险。
72.图6是本技术一实施例的脑电极系统中的颅骨固定件的结构示意图。该颅骨固定件310与图3、5中所示的颅骨固定件310相同，采用相同的标号。参考图6，颅骨固定件310是一种固定螺丝，该固定螺丝包括具有转接头容纳腔320的第一螺丝311和具有电极通孔330的第二螺丝312，第一螺丝311的外径w1大于第二螺丝312的外径w2，第一螺丝311的外壁和第二螺丝312的外壁通过一圆锥面313相连接。在植入脑电极100时，通常首先在颅骨上开口，将颅骨固定件310设置在该开口中。通过本技术这样上大下小的设计，可以减小颅骨的开口，使较小的第二螺丝312插入或旋入颅骨，并通过圆锥面313作为过渡面，与大小螺丝直接对接的结构相比，能进一步减小颅骨损伤，提高患者舒适度。
73.如图6，在一些实施例中，第一螺丝311的内径n1大于第二螺丝312的内径n2，第二螺丝n2的内径大于套管121的外径。显然，该实施例中，第一螺丝311的内径n1还大于第二螺丝312的外径w2。该固定螺丝的各种尺寸设置可以对应于不同型号、类型的电极转接头110、电极本体120等。
74.在一实施例中，第二螺丝312的外径w2的范围是2-3.5mm，第二螺丝312沿第一方向d1的高度范围是20-40mm。
75.在一些实施例中，本技术的脑电极系统还包括seeg转接头和神经调控转接头，当电极转接头110与seeg转接头插接时，内腔130中包括支撑件140，当电极转接头110与神经调控转接头插接时，内腔130中不包括支撑件140。
76.图7a是本技术一实施例的脑电极系统用于脑部立体定位时的状态示意图。如图7a，在该实施例中，脑电极系统中还包括seeg转接头720，该seeg转接头720与电极转接头110相互插接并同时位于颅骨固定件310的转接头容纳腔320中。图7a示出了该脑电极系统的使用状态，即颅骨固定件310整体上嵌入在颅骨710中，并且位于患者的头皮711以下。如图7a所示，seeg转接头720插入在电极转接头110的内部，二者插接之后在第一方向d1上的高度重叠，占据较小的空间。在该实施例中，支撑件140的第二端143同时位于seeg转接头720中，该seeg转接头720中也设置有适于容纳该支撑件140的容纳腔(图未示)，并且该容纳腔的位置、大小与电极转接头110中的支撑件容纳腔111相对应。进一步地，支撑件140比较长，其第二端143甚至延伸至seeg转接头720上方的seeg导线732中。
77.如图7a，在头皮711的外部还包括一些用于脑部立体定位的外部元件，例如seeg插头730、导向件731和从seeg转接头720引出的seeg导线732。seeg插头730是用于与seeg装置相连接的插头。一束seeg导线732从seeg转接头720中引出，该束seeg导线732中可包括至少一根电极导线，每个电极导线与脑电极100上的电极点123相对应，用于将每个电极点123采集到的电信号通过seeg插头730传递到外部的seeg装置。
78.图7b是图7a所示实施例的爆炸示意图。结合图7a和图7b，导向件731是具有中空腔体的导向螺丝，seeg导线732穿过中空腔体与seeg插头730相连接，导向螺丝的第一端7311具有第一外螺纹732，转接头容纳腔320的内壁上具有第一内螺纹321，第一外螺纹732和第一内螺纹321相互适配，导向螺丝的第一端7311和转接头容纳腔320通过第一外螺纹732和第一内螺纹321螺接。通过该螺接结构使导向螺丝的第一端7311和转接头容纳腔320形成连通的封闭腔体，用于保护位于该腔体中的seeg转接头720和电极转接头110，减少外界干扰。
79.在一些实施例中，本技术的脑电极系统还包括第一密封垫圈701，当电极转接头110与目标转接头插接时，第一密封垫圈701夹设在转接头容纳腔320的内壁和电极转接头
110的外壁之间。如图7a和7b所示，当电极转接头110与seeg转接头720插接时，第一密封垫圈701夹设在转接头容纳腔320的内壁和电极转接头110的外壁之间。再结合图3和图4，第一密封垫圈701充满在空间s1中，起到密封紧固的作用。第一密封垫圈701作为密封组件之一，也用于有效降低脑脊液泄露和颅内感染风险。
80.结合图5和图7a，该实施例中的转接头容纳腔320的底部321具有密封槽322，电极转接头110的底部具有密封垫盘，密封垫盘环绕电极转接头110的外壁，密封垫盘具有上承接面341和向套管121的顶端124方向凸出的下凸部340，第一密封垫圈701与上承接面341抵接，下凸部340适于插入密封槽。根据该些实施例，第一密封垫圈701不仅填充了空间s1，使电极转接头110和转接头容纳腔320的内壁之间紧密连接，在导向螺丝的第一端7311向下旋紧时，还通过第一密封垫圈701向上承接面341传递向下的压力，使电极转接头110通过密封垫盘和密封槽322紧密连接，进一步提高了电极转接头110的密封性和稳定性。
81.在一些实施例中，第一外螺纹732的外径大于等于第一密封垫圈701的外径，第一外螺纹732的内径小于第一密封垫圈701的外径。需说明，第一外螺纹732的内径和外径之间为其厚度，由图7a或7b中的阴影来表示。通过设置第一外螺纹732的内径和外径满足上述条件，可以确保第一外螺纹732与第一密封垫圈701具有一定面积的接触面，从而有利于旋紧力的向下传递，使第一密封垫圈701被压缩，从而更加紧固。优选地，第一外螺纹732的外径等于第一密封垫圈701的外径，第一外螺纹732的内径等于第一密封垫圈701的内径，第一外螺纹732和第一密封垫圈701在接触面处抵接。
82.如前文所记载，设套管121的延伸方向是第一方向d1，在一些实施例中，如图6所示，转接头容纳腔320沿第一方向d1分别包括第一容纳腔323和第二容纳腔324，其中，第一容纳腔323远离电极通孔330，第一容纳腔323具有第一内壁，第一内壁上具有第一内螺纹321，第一容纳腔323沿第一方向具有第一高度h1，第二容纳腔324靠近电极通孔330，第二容纳腔323具有第二内壁，第二内壁是光滑内壁，第二容纳腔323沿第一方向d1具有第二高度h2，结合图7b，第一密封垫圈701沿第一方向d1具有第三高度h3，第三高度h3大于第二高度h2，并且第三高度h3小于第一高度h1与第二高度h2之和。即h2《h3《(h1 h2)。
83.由于转接头容纳腔320的内壁仅在上部与导向螺丝的第一端的第一外螺纹732螺接，因此，转接头容纳腔320的内壁上不需要全部布置第一内螺纹321，而是仅在转接头容纳腔320的上开口往下的一部分内壁上设置第一内螺纹321。同时，通过设置h3《(h1 h2)，在安装了第一密封垫圈701之后，第一密封垫圈701可能遮挡部分的第一内螺纹321，并暴露位于转接头容纳腔320的上开口处的第一内螺纹321以与第一外螺纹732螺接。
84.结合图7a和图7b，在一些实施例中，还包括电极固定螺母734和第二密封垫圈735，电极固定螺母734具有第二内螺纹736，导向螺丝的第二端7312具有第二外螺纹733，导向螺丝的第二端7312和电极固定螺母734通过第二外螺纹733和第二内螺纹736螺接；第二密封垫圈735设置在导向螺丝的第二端7312的中空腔体s2内，当导向螺丝的第二端7312和电极固定螺母734螺接时，第二密封垫圈735夹设在中空腔体s2的内壁和seeg导线732的外壁之间。图7a和图7b所示为分解状态，可以想象在安装好之后，电极固定螺母734应位于导向螺丝的第二端7312的外侧。
85.结合图7a和图7b，在一些实施例中，导向螺丝的第一端7311的内径大于导向螺丝的第二端7312的内径，导向螺丝的第一端7311的外径大于导向螺丝的第二端7312的外径。
由此，导向螺丝具有上小下大的结构特点。较大的第一端7311适于与颅骨固定件310相互配合，同时，由于seeg导线732的外径相对较小，较小的第二端7312适于对seeg导线732进行容纳和导向。
86.图8a是本技术一实施例的脑电极系统用于神经调控时的状态示意图。在该实施例中，脑电极系统中还包括神经调控转接头810，该神经调控转接头810与电极转接头110相互插接并同时位于颅骨固定件310的转接头容纳腔320中。在该实施例中，电极主体120的内腔130中不包括支撑件140。如前文所述，在进行神经调控时，需去除支撑件140，利用套管121的柔性特点以达到神经调控的需求。
87.图8b是图8a所示实施例的爆炸示意图。结合图8a和图8b，在该实施例中也包括第一密封垫圈701，第一密封垫圈701夹设在转接头容纳腔320的内壁和电极转接头110的外壁之间。
88.如图8b，在一些实施例中，本技术的脑电极系统还包括神经调控器811、颅骨固定螺帽812和从神经调控转接头810引出的神经调控导线813，颅骨固定螺帽812具有神经调控导线通孔814、折线槽815和第三外螺纹816，神经调控导线813依次穿过神经调控导线通孔814、折线槽815并经皮下与远端的神经调控器811相连接，转接头容纳腔320具有第一内螺纹321，第三外螺纹816和第一内螺纹321相互适配，颅骨固定螺帽812和转接头容纳腔320通过第三外螺纹816和第一内螺纹321螺接。该实施例中第三外螺纹816和第一内螺纹321的连接关系与前文中第一外螺纹732和第一内螺纹321的连接关系相似，不再展开。
89.在一些实施例中，第三外螺纹816的外径大于等于第一密封垫圈701的外径，第三外螺纹816的内径小于第一密封垫圈701的外径。
90.图9a是颅骨固定螺帽812的立体示意图。图9b是沿图9a中的ee'线的剖视侧视图。结合图8b、图9a和图9b，颅骨固定螺帽812的上端面910是一平面，折线槽815在颅骨固定螺帽812的上端面910具有开口，该折线槽815在颅骨固定螺帽812内部弯折并与神经调控导线通孔814连通。神经调控导线813从折线槽815弯折并经皮下与神经调控811相连接。如图9b，折线槽815在颅骨固定螺帽812的内部具有平滑的过渡面，可以方便地将神经调控导线813固定在该折线槽815中，避免过度弯折损坏，在长期植入期间可以有效防止导线的移位。
91.图8a-图9b仅为示意，在使用dbs作为神经调控手段时，神经调控器811通常设置在患者胸部，神经调控导线813具有较长的长度。如图8a所示，整个脑电极系统都位于皮下，神经调控导线813经皮下从患者的头部延伸至胸部，与位于胸部的神经调控器811电连接。神经调控器811通过神经调控导线813发送刺激命令至电极主体120的某一或某些电极点，通过该一个或多个电极点向脑部施加电刺激以调控神经功能。图8a中的所示的神经调控器811表示其位于皮下，而非限定在位于颅骨710中。
92.结合图7a和图8a，颅骨固定件310、电极转接头110和脑电极100都位于颅内。当电极转接头110与seeg转接头720插接时，导向件731、seeg插头730等部件位于颅外，面临细菌污染；当电极转接头110切换为与神经调控转接头810连接时，全部神经调控相关部件都是植入式的，要求所有部件都是无菌的。本技术的脑电极系统300通过这种转接式的设计，实现了颅内外的隔离，在完成seeg的检测之后，可以直接移除seeg相关的部件再植入神经调控相关部件，从而避免污染进入颅内，保证颅内的无菌环境。
93.采用本技术的脑电极系统，可以根据需要灵活地替换目标转接头，以实现包括但
不限于脑部立体定位、神经调控等功能；植入颅内的脑电极固定不变，无需二次手术，降低了手术风险；脑电极的电极主体上具有较多的电极点，可以实现更加精确、有效的神经调控。
94.以下示例性地给出本技术一实施例的脑电极系统的使用步骤，在该示例中采用seeg装置进行脑部立体定位，采用dbs装置实施神经调控：
95.步骤s11：通过手术将颅骨固定件310固定在患者的颅骨中。根据本技术的颅骨固定件310，缩小了颅骨开口，减少了患者的创伤。
96.步骤s12：将脑电极100通过颅骨固定件310植入患者的头部。该脑电极100中包括支撑件140。
97.步骤s13：执行脑部立体定位：将seeg转接头720与电极转接头110插接，此时，第一密封垫圈701已设置在转接头容纳腔320内部。seeg转接头720通过seeg插头730与外部的seeg装置相连接。
98.步骤s14：将导向螺丝的第一端7311上的第一外螺纹732与转接头容纳腔320上的第一内螺纹321螺接，使第一端7311与转接头容纳腔320旋紧密封；将导向螺丝的第二端7312上的第二外螺纹733与电极固定螺母734的第二内螺纹736螺接，使导向螺丝的第二端7312被密封。
99.步骤s15：采用seeg装置采集、处理、分析由至少一个电极点所获得的颅内电信号，进行脑部立体定位。
100.在步骤s11-s15中，可以在患者的头部设置多套脑电极100，本技术对此不做限制。
101.步骤s21：获得脑部立体定位结果之后，拆除导向螺丝，即旋松导向螺丝和转接头容纳腔320，并将导向螺丝去除。
102.步骤s22：拆除seeg转接头720，拔出支撑件140，之后还可以将ptfe管也拔出。
103.步骤s23：执行神经调控：将神经调控转接头810与电极转接头110插接。
104.步骤s24：将颅骨固定螺帽812与转接头容纳腔320上的第一内螺纹321螺接，实现密封连接。神经调控导线813预先通过折线槽815弯折并与dbs装置中的神经调控器811相连接，因此在步骤s24实现密封连接之后，即可开始执行神经调控。
105.经过步骤s21-s24之后，可以采用dbs装置执行对患者的长期神经调控。
106.图10是本技术一实施例的脑电极系统的框图。参考图10所示，该实施例的脑电极系统1000包括：seeg装置1010、神经调控装置1020和一刚度可调的脑电极1030。该刚度可调的脑电极1030可以是前文所述的脑电极100。该seeg装置1010可以是通过前文所述的seeg转接头与脑电极1030相连接，用于获得seeg信号。该神经调控装置1020可以是通过前文所述的神经调控转接头与脑电极1030相连接，用于对患者进行神经调控。神经调控装置1020可以是dbs装置。
107.本技术对seeg装置1010、神经调控装置1020的具体型号不做限制。
108.通过设置刚性可调的脑电极1030，使得该脑电极1030同时适用于seeg装置1010和神经调控装置1020，无需二次植入手术，降低了对患者造成的损伤。
109.本技术对实现刚度可调的技术手段不做限制，在一些实施例中，脑电极1030的刚度可以连续地变化，因此存在一定的变化范围。在一些实施例中，当脑电极的刚度在第一刚度范围内时，脑电极用于与seeg装置相连接；当脑电极的刚度在第二刚度范围内时，脑电极
用于与神经调控装置相连接，其中，第一刚度范围内的刚度大于第二刚度范围内的刚度。根据该些实施例，当脑电极1030用于与seeg装置1010相连接时，其刚度较大，即较硬，在第一刚度范围内可以存在多个适用的刚度；当脑电极1030用于与神经调控装置1020相连接时，其刚度较小，即较软，在第二刚度范围内可以存在多个适用的刚度。
110.在一些实施例中，脑电极系统1000还包括刚度调节元件，用于调节脑电极的刚度。具体地，在一实施例中，该刚度调节元件包括可插拔的支撑件，该支撑件可插拔的设置在脑电极1030的内腔中。该支撑件可以是前文所述的支撑件140，相关说明可参考前文，不再展开。
111.在一些实施例中，刚度调节元件包括伸缩件和伸缩控制元件，伸缩件设置在脑电极1030的内腔中，伸缩件与伸缩控制元件相连接，伸缩控制元件用于控制伸缩件的长度，当伸缩件的长度达到第一长度时，脑电极1030的刚度在第一刚度范围内，当伸缩件的长度达到第二长度时，脑电极1030的刚度在第二刚度范围内，其中，第一刚度范围内的刚度大于第二刚度范围内的刚度，第一长度大于第二长度。在这些实施例中，可以将刚度调节元件设置在如前文所述的电极转接头110中。伸缩件例如是多层套叠的圆杆，当需要伸缩件达到第一长度时，伸缩控制元件拉伸该伸缩件使其伸长，并通过旋钮锁定长度，绳索控制元件再使伸缩件朝向套管121的顶端124移动至与该顶端124抵接；当需要伸缩件达到第二长度时，伸缩控制元件首先通过旋钮解锁对长度的固定，然后朝向套管121的顶端124移动使伸缩件缩短至第二长度，通过旋钮锁定该第二长度，再将伸缩件缩回使其离开顶端124，使脑电极的刚度降低。
112.在一些实施例中，还包括转换装置，当seeg装置1010检测到异常信号时，转换装置用于使脑电极1030与神经调控装置1020电连接，并控制刚度调节元件将脑电极的刚度调节至第二刚度范围内，神经调控装置1020根据预设的神经调控策略执行神经调控任务。
113.在一些实施例中，当神经调控装置1020完成神经调控任务之后，转换装置用于使脑电极1030与seeg装置1010电连接，并控制刚度调节元件将脑电极的刚度调节至第一刚度范围内，seeg装置1010执行信号检测任务。
114.需说明，seeg装置1010、脑电极1030和神经调控装置1020之间的电连接关系可以是通过有线或无线的方式进行连接。不同的患者可以预设有不同的神经调控策略。神经调控策略根据seeg装置1010所检测到的颅内生理信号来确定所要施加的神经调控参数，例如电刺激强度、频率、时长、模式等。神经调控任务可以是阶段性的，在完成一段任务之后，转换装置使神经调控装置1020和脑电极1030断开电连接，并使seeg装置1010与脑电极1030电连接，可以直接通过检测颅内生理信号来评估神经调控的效果。本技术的脑电极系统还可以包括一控制器，该控制器例如可以设置在seeg装置1010中，用于接收seeg装置1010所检测到的生理信号，同时还可以用于根据该生理信号制定神经调控装置1020的动态神经调控策略，并控制神经调控装置1020按照该动态神经调控策略来实施神经调控，使该脑电极系统1000形成一个闭环系统，尽可能地减少人为因素的干扰，提升系统的客观性和准确性。
115.本技术的脑电极系统1000同时兼容了seeg装置1010和神经调控装置1020，避免对患者的二次手术，改善了患者的体验，同时也有利于改善神经调控的效果。
116.上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本技术的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会
对本技术进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本技术中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本技术示范实施例的精神和范围。
117.同时，本技术使用了特定词语来描述本技术的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本技术至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本技术的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
118.同理，应当注意的是，为了简化本技术披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本技术实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本技术对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
119.一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有
±
20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本技术一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。