一种单晶硅片清洗装置的制作方法

1.本实用新型涉及硅片清洗技术，尤其涉及一种单晶硅片清洗装置。


背景技术：

2.刚刚完成生产的单晶硅片，在其表面尤其是在侧面会附着大量的花篮印，花篮印是指比较明显的呈暗黑色花篮状的印记，花篮印主要是水溶氧与花篮接触生成的二次氧化物在镀膜后形成的，花篮印对单晶硅片的外观影响很大，因此在在单晶硅片生产之后需要对单晶硅片进行清洗。
3.传统的单晶硅片清洗装置，其在与清洗工序相对应的位置设置三个纯水清洗槽，利用纯水对单晶硅片进行清洗。在三个纯水清洗槽中，最后第一纯水清洗槽和第二纯水清洗槽回设置常溢流水，第三纯水清洗槽主要负责加热单晶硅片，并设置间歇喷淋装置对单晶硅片短时间喷淋，由于间歇喷淋装置喷出的纯水总体量比较小，即使第三纯水清洗槽设置了排水装置也不能及时、完全地将其内部的水排出，因此第三纯水清洗槽内极其容易残留药剂浓度高、花篮浓度高的脏水，影响后续单晶硅片的清洗效果。


技术实现要素：

4.实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种清洗花篮印效果好、节能效果更好的单晶硅片清洗装置。
5.技术方案：本实用新型所述的一种单晶硅片清洗装置，包括清洗座，所述清洗座上开设若干个功能槽，所述功能槽包括若干个连续设置的纯水清洗槽，所述若干个纯水清洗槽的顶部均设置开口，若干个纯水清洗槽的顶部高度依次升高，顶部最高的纯水清洗槽的一侧设置用于不间断进水的进水口，顶部最低的纯水清洗槽的一侧设置出水口。
6.进一步地，所述纯水清洗槽包括第一纯水清洗槽、第二纯水清洗槽、第三纯水清洗槽和第四纯水清洗槽，所述第四纯水清洗槽的顶部高于第三纯水清洗槽的顶部，所述第三纯水清洗槽的顶部高于第二纯水清洗槽的顶部，第二纯水清洗槽的顶部高于第一纯水清洗槽的顶部。
7.进一步地，所述第四纯水清洗槽靠近第三纯水清洗槽的的侧壁开设第四溢流口，所述第四溢流口用于将第四纯水清洗槽中溢流出的纯水导向第三纯水清洗槽。
8.进一步地，所述第三纯水清洗槽靠近第二纯水清洗槽的的侧壁开设第三溢流口，所述第三溢流口用于将第三纯水清洗槽中溢流出的纯水导向第二纯水清洗槽。
9.进一步地，所述第二纯水清洗槽靠近第一纯水清洗槽的的侧壁开设第二溢流口，所述第二溢流口用于将第二纯水清洗槽中溢流出的纯水导向第一纯水清洗槽。
10.进一步地，所述清洗座的前后两侧固定设置与若干个纯水清洗槽位置相对应的导向板，所述导向板用于将高一阶的纯水清洗槽中溢流出来的纯水导向相邻低一阶的纯水清洗槽，比如第四纯水清洗槽中溢流出的纯水导向第三纯水清洗槽、第三纯水清洗槽中溢流出的纯水导向第二纯水清洗槽以及将第二纯水清洗槽中溢流出的纯水导向第一纯水清洗
槽。
11.进一步地，所述进水口通过管道与用于加温水的加热器相通。
12.进一步地，所述清洗装置还包括转运装置，所述转运装置包括行走架，所述行走架的底面滑动设置用于吸取和放置单晶硅片的抓取杆，所述抓取杆沿所述行走架移动以实现单晶硅片的在不同功能槽中被清洗。
13.有益效果：本实用新型与现有技术相比，具有如下优点：1、纯水在经过加热器加热后，不间断进入第四纯水清洗槽中，并依次沿着第四纯水清洗槽-第三纯水清洗槽-第二纯水清洗槽-第一纯水清洗槽溢流，最终从出水口排出，因此可以防止第一纯水清洗槽、第二纯水清洗槽、第三纯水清洗槽和第四纯水清洗槽内残留药剂浓度高、花篮浓度高的脏水，温度较高的热水利于清洗单晶硅片表面；2、相比于传统清洗装置中第三纯水清洗槽设置加热装置会浪费大量的热量，本实用新型能够更好利用加热器中的热量，节约总能耗；3、本实用新型设置了四个纯水纯水清洗槽，每个纯水清洗槽内的流速不同，经过多种不同流速的纯水进行清洗效果更好。
附图说明
14.图1为本实用新型一个角度的立体图；
15.图2为本实用新型另一个角度的立体图；
16.图3为本实用新型中清洗座的立体图；
17.图4为本实用新型中清洗座的剖视图。
18.其中：1、行走架；2、抓取杆；3、加热器；4、清洗座；401、导向板；402、预清洗槽；403、第一药剂槽；404、第二药剂槽；405、药剂清洗槽；406、双氧水槽；407、第一纯水清洗槽；4071、出水口；408、第二纯水清洗槽；4081、第二溢流口；409、第三纯水清洗槽；4091、第三溢流口；410、第四纯水清洗槽；4101、进水口；4102、第四溢流口。
具体实施方式
19.下面结合附图对本实用新型的技术方案作进一步说明。
20.参见附图1～图4，本实用新型所示的一种单晶硅片清洗装置，包括清洗座4和转运装置，转运装置包括行走架1，行走架1的底面滑动设置用于吸取和放置单晶硅片的抓取杆2，抓取杆2沿行走架1移动以实现单晶硅片的在不同功能槽中被清洗；清洗座4上开设九个功能槽，九个功能槽分别为：预清洗槽402、第一药剂槽403、第二药剂槽404、药剂清洗槽405、双氧水槽406、第一纯水清洗槽407、第二纯水清洗槽408、第三纯水清洗槽409和第四纯水清洗槽410，预清洗槽402内储存的水用于初次清洗单晶硅片，第一药剂槽403和第二药剂槽404内储存用于清洗单晶硅片表面的硅粉、金属离子、油类等残留物质，药剂清洗槽405用于清洗经过第一药剂槽403和第二药剂槽404清洗后单晶硅片表面附着的残留药剂，双氧水槽406内的双氧水用于保护单晶硅片，第一纯水清洗槽407、第二纯水清洗槽408、第三纯水清洗槽409和第四纯水清洗槽410用于清洗单晶硅片表面残留的药剂和附着物，第四纯水清洗槽410的顶部高于第三纯水清洗槽409的顶部，第三纯水清洗槽409的顶部高于第二纯水清洗槽408的顶部，第二纯水清洗槽408的顶部高于第一纯水清洗槽407的顶部，第四纯水清洗槽410靠近第三纯水清洗槽409的的侧壁开设第四溢流口4102，第四溢流口4102用于将第
四纯水清洗槽410中溢流出的纯水导向第三纯水清洗槽409，第三纯水清洗槽409靠近第二纯水清洗槽408的侧壁开设第三溢流口4091，第三溢流口4091用于将第三纯水清洗槽409中溢流出的纯水导向第二纯水清洗槽408，第二纯水清洗槽408靠近第一纯水清洗槽407的的侧壁开设第二溢流口4081，第二溢流口4081用于将第二纯水清洗槽408中溢流出的纯水导向第一纯水清洗槽407，清洗座4的前后两侧分别固定设置与一个导向板401，导向板401的位置与第一纯水清洗槽407、第二纯水清洗槽408、第三纯水清洗槽409和第四纯水清洗槽410相对应的导向板401，导向板401用于将高一阶的纯水清洗槽中溢流出来的纯水导向相邻低一阶的纯水清洗槽，比如第四纯水清洗槽410中溢流出的纯水导向第三纯水清洗槽409、第三纯水清洗槽409中溢流出的纯水导向第二纯水清洗槽408以及将第二纯水清洗槽408中溢流出的纯水导向第一纯水清洗槽407，第四纯水清洗槽410的后侧设置用于不间断进水的进水口4101，第一纯水清洗槽407的前侧设置出水口4071，第一纯水清洗槽407中从出水口4071流出的水可以放到预清洗槽402中；进水口4101通过管道与用于加温水到90
°
的加热器3相通。