半导体元件及半导体元件制造方法与流程

1.本公开涉及一种半导体元件及半导体元件制造方法。


背景技术：

2.专利文献1中记载有一种半导体装置。该半导体装置中，将安装于引线框架(lead frame)的半导体芯片的焊盘(第1接合点(bonding point))、与引线框架的引线(第2接合点)通过导线连接。连接于第1接合点与第2接合点的导线环(wire loop)形状因第1接合点侧的颈部高度部、第2接合点侧的倾斜部、及颈部高度部与倾斜部之间的梯形部长度部分(环顶上部分)，而在侧视时为梯形状。梯形部长度部分形成为有向下方凹陷倾向的形状。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.[专利文献1]日本专利特许第3189115号


技术实现要素：

[0006]
发明要解决的课题
[0007]
上述专利文献1中记载的半导体装置中，通过相对于导线的环顶上部分形成有凹陷倾向的形状，而谋求形成相对于来自外部的加压而形状保持力高的环。
[0008]
另一方面，对如上述的半导体装置，存在通过树脂密封的要求。在该情况下，在导线与引线框架之间也配置有密封树脂(导线夹带密封树脂)。因此，因热循环导致的密封树脂的膨胀及收缩而引起的应力施加于导线。导线与引线框架之间的树脂量越多，与热循环对应而施加于导线的应力越大，因此，有可能损伤导线并且可靠性降低。
[0009]
本公开的目的在于，提供一种可抑制可靠性降低的半导体元件及半导体元件制造方法。
[0010]
用于解决问题的方法
[0011]
本公开的半导体元件具备：搭载基板，其具有第1面；半导体芯片，其搭载于第1面，具有面向第1面的相反侧的第2面；及导线，其从第1面上的第1接合点朝向第2面上的第2接合点延伸，通过将第1接合点与第2接合点相连，而将搭载基板与半导体芯片电连接，导线包含：从第1接合点朝向第2接合点依次排列的第1部分、第1弯曲部、第2部分、第2弯曲部及第3部分，第1部分从沿第1面及第2面的第1方向观察，位于比第2面更靠第1面侧，第1弯曲部从第1方向观察，位于比第2面更靠第1面侧，并且以将第2部分引导至第2面侧的方式弯曲，第2部分从第1方向观察，向第1面的相反侧越过第2面地延伸，第2弯曲部以将第3部分引导至第2面侧的方式弯曲，第3部分从第1方向观察，从向第1面的相反侧越过第2面的位置朝向第2面延伸，并且接合于第2接合点。
[0012]
在该半导体元件中，设置有用于将搭载基板与搭载于搭载基板的半导体芯片电连接的导线。导线将搭载基板的搭载有半导体芯片的第1面上的第1接合点、与半导体芯片的第2面上的第2接合点相连。导线包含：从第1接合点朝向第2接合点(从搭载基板朝向半导体
芯片)依次排列的第1部分、第1弯曲部、第2部分、第2弯曲部及第3部分。第1部分为导线中的从第1接合点延伸的部分，位于比第2面更靠第1面侧(例如比第2面更靠下方)。另外，第3部分为导线中的接合于第2接合点的部分，位于向第1面的相反侧越过第2面的位置(例如比第2面更靠上方)。第2部分为第1部分与第3部分之间的部分，从第1面侧的位置越过第2面地延伸。
[0013]
根据这样的结构，在该半导体元件被树脂密封的情况下，在导线与搭载基板之间配置有密封树脂。与此相对，在该导线中，第1部分与第2部分之间的第1弯曲部位于比第2面更靠第1面侧，且以将第2部分引导至第2面侧的方式弯曲。即，相比于没有第1弯曲部的情况，导线，在到达第1弯曲部之间(即，使第1部分)沿第1面侧延伸，并且在到达第1弯曲部后(即，使第2部分)以越过第2面的方式延伸。即，相比于没有第1弯曲部的情况，导线以与由搭载基板与半导体芯片形成的角部相仿的方式延伸。其结果，在将该半导体元件树脂密封时导线所夹带的树脂量减少。因此，根据该半导体元件，可减少与热循环对应施加于导线的应力，抑制可靠性的降低。
[0014]
此外，该半导体元件中，导线，在第2部分与第3部分之间的第2弯曲部在越过第2面的位置弯曲，第3部分被引导至第2面侧。并且，第3部分从越过第2面的位置朝向第2面延伸，并接合于第2接合点。因此，相比于没有第2弯曲部及第3部分，第2部分从第1面侧延伸并直接接合于第2接合点的情况，可避免导线接触于半导体芯片的角部。因此，可进一步抑制可靠性的降低。
[0015]
在本公开的半导体元件中，也可以为，第1弯曲部位于比导线的延伸方向上的中心更靠第1接合点侧。在该情况下，第1弯曲部形成于距半导体芯片较远的位置。其结果，在形成第1弯曲部时，可抑制保持导线的保持具(焊针)接触于半导体芯片。
[0016]
本公开的半导体元件中，也可以为，第1弯曲部位于比导线的延伸方向上的中心更靠向第2接合点侧。在该情况，第1弯曲部形成于距半导体芯片较近的位置。其结果，可确保导线的沿第1面侧延伸的部分(第1部分)相对较长，进一步减少导线所夹带的树脂量。即，可可靠地减少施加于导线的应力，可靠地抑制可靠性的降低。
[0017]
本公开的半导体元件中，也可以为，导线包含：以将第1弯曲部与第2部分相连的方式延伸的第4部分。在该情况，可通过至少第2部分与第4部分这2个部分确保半导体芯片距第1面的高度量，因此不需要容易产生应力的集中的急剧弯曲。因此，可进一步可靠地抑制可靠性的降低。
[0018]
本公开的半导体元件中，也可以为，导线从与第2面交叉的第2方向观察，相对于半导体芯片的外缘倾斜地延伸。在该情况，相比于导线垂直于半导体芯片的外缘的情况，容易确保导线的长度(第1接合点与第2接合点的距离)较长。其结果，容易实现包含多个部分及多个弯曲部的导线的上述结构。
[0019]
本公开的半导体元件制造方法用于制造上述半导体元件，并且具备：第1工序，准备搭载基板、搭载于搭载基板的第1面的半导体芯片、及至少用于导线的母材；第2工序，其在第1工序后，使保持母材的焊针移动至第1接合点，将自焊针突出的母材的前端接合于第1接合点；第3工序，其在第2工序后，一边从焊针导出母材一边使焊针移动，至少形成依次排列的第1部分、第1弯曲部、第2部分、第2弯曲部及第3部分；及第4工序，其在第3工序后，通过使焊针移动至第2接合点，将母材接合于第2接合点，而构成从第1接合点至第2接合点延伸
的导线。
[0020]
根据该制造方法，制造上述半导体元件。即，获得可抑制可靠性降低的半导体元件。
[0021]
本公开的半导体元件制造方法，也可为，具备：第5工序，其在第1工序后且第2工序前，通过使焊针移动至第2接合点，在将从焊针突出的母材的前端接合于第2接合点后切断该前端，而在第2接合点形成接合部，在第4工序中，经由接合部将母材接合于第2接合点。在该情况，在形成导线的各部后将从焊针突出的母材的前端接合于第2接合点时，介有已形成在第2接合点的接合部，因此，可减少对于半导体芯片侧的冲击。特别地，此处使用用于形成导线的各部分的焊针及母材而形成该接合部，因此，可谋求工序的简化。
[0022]
发明效果
[0023]
根据本公开，可提供可抑制可靠性降低的半导体元件及半导体元件制造方法。
附图说明
[0024]
图1是示出实施方式的半导体元件的图。
[0025]
图2是示出图1所示的半导体元件的一例的照片。
[0026]
图3是示出用于制造图1所示的半导体元件的半导体元件制造方法的一工序的示意性截面图。
[0027]
图4是示出用于制造图1所示的半导体元件的半导体元件制造方法的一工序的示意性的截面图。
[0028]
图5是示出用于制造图1所示的半导体元件的半导体元件制造方法的一工序的示意性的截面图。
[0029]
图6是示出第1变形例的半导体元件的图。
[0030]
图7是示出第2变形例的半导体元件的图。
[0031]
图8是示出第3变形例的半导体元件的图。
具体实施方式
[0032]
以下，对一实施方式，一边参照附图，一边进行详细说明。此外，在各图中，对彼此相同或相当的要素赋予同一符号，有时省略重复的说明。
[0033]
图1是示出实施方式的半导体元件的图。图1(a)是示意性的俯视图，图1(b)是沿图1(a)的ib-ib线的示意性的截面图。图2是示出图1所示的半导体元件的一例的照片。如图1、2所示，半导体元件1具备：搭载基板10、半导体芯片20、导线30及树脂部m。此外，图1(a)中省略树脂部m的图式。
[0034]
搭载基板10包含：表面(第1面)10s、以及表面10s的相反侧的背面10r。在表面10s形成有平板状的多个电极13。多个电极13中的各个，作为一例，在沿后述的半导体芯片20的外缘20e的方向上为长条状。多个电极13沿外缘20e排列。
[0035]
半导体芯片20搭载于表面10s。半导体芯片20也可直接配置于表面10s，也可隔着其他的构件配置于表面10s上。半导体芯片20包含：表面(第2面)20s、以及表面20s的相反侧的背面20r。表面20s及背面20r，作为其间的距离，规定半导体芯片20距表面10s的高度t。背面20r为面向搭载基板10的表面10s侧的面，表面20s为面向搭载基板10的表面10s的相反侧
的面。此处，至少表面10s与表面20s相互平行。
[0036]
半导体芯片20作为一例呈长方体状，且具有以直线状延伸的外缘20e。外缘20e为半导体芯片20的外缘中的面向电极13侧(后述的接合部51侧)的外缘。半导体芯片20例如为半导体受光元件(以si光电二极管为一例)。
[0037]
在搭载基板10的表面10s上，形成有接合部51，在半导体芯片20的表面20s上，形成有接合部52。接合部51形成于电极13上。接合部52在露出于半导体芯片20的表面20s侧的电极21上形成，并且电连接于半导体芯片20。如后所述，此处，接合部51、52通过与导线30同一的材料而与导线30一体地形成。因此，导线30，在搭载基板10侧经由接合部51接合于电极13，并且在半导体芯片20侧经由接合部52接合于电极21。即，电极13为导线30的第1接合点，电极21为导线30的第2接合点。半导体芯片20的外缘20e与电极13的外缘20e侧的缘部规定半导体芯片20与电极13之间的距离d。
[0038]
此外，以下，有时将与从电极13朝向电极21的方向(导线30的延伸方向)交叉(正交)、且沿着表面10s、20s的方向称为第1方向，将与表面10s、20s交叉(正交)的方向称为第2方向。第1方向作为一例为水平方向，第2方向作为一例为铅直方向。
[0039]
另外，在搭载基板10的表面10s设置有电极13的区域、与在表面10s设置有半导体芯片20的区域之间，未设置如凹部或孔部等减小搭载基板10的厚度(表面10s与背面10r之间的距离)那样的结构。因此，搭载基板10的厚度，在表面10s设置有电极13的区域、与在表面10s设置有半导体芯片20的区域之间的区域，为一定。然而，搭载基板10的厚度也可以，在表面10s设置有电极13的区域、与在表面10s设置有半导体芯片20的区域之间的区域，比其他区域更厚。
[0040]
此外，此处，在表面10s设置有电极13的区域、与在表面10s设置有半导体芯片20的区域之间，在表面10s上形成有抗蚀剂(resist)这样的绝缘构件60。绝缘构件60，从第1方向观察介于表面10s与导线30之间，从第2方向观察介于半导体芯片20与电极13之间。
[0041]
导线30，从电极13朝向电极21延伸，用于通过将电极13与电极21相连，而将搭载基板10与半导体芯片20电连接。如上述，导线30与电极13上的接合部51及电极21上的接合部52中的各个接合而一体化。导线30例如由金这样的金属构成。导线30包含：从电极13朝向电极21依次排列的第1部分31、第1弯曲部41、第2部分32、第2弯曲部42及第3部分33。
[0042]
此处，第1部分31与第2部分32经由第1弯曲部41相互连接，第2部分32与第3部分33经由第2弯曲部42相互连接。即，此处，导线30由第1部分31、第1弯曲部41、第2部分32、第2弯曲部42及第3部分33构成。导线30，在第1部分31接合于接合部51(经由接合部51而接合于电极13)，且，在第3部分33接合于接合部52(经由接合部52接合于电极21)。
[0043]
第1部分31由经由接合部51而接合于电极13的基端部31a、连接于第2部分32的前端部31c、及连接基端部31a与前端部31c的弯曲部31b构成。此处，基端部31a，从电极13朝向表面10s的相反侧(此处为上侧)延伸而到达弯曲部31b。弯曲部31b以向表面10s的相反侧凸起的方式弯曲。前端部31c随着远离弯曲部31b而以靠近表面10s的方式倾斜地延伸，并到达第2部分32。以上的第1部分31，作为整体，位于比表面20s更靠表面10s侧(此处为比表面20s更靠下侧)。即，第1部分31容纳于比表面20s更靠向表面10s侧。
[0044]
第1弯曲部41，从第1方向观察位于比表面20s更靠表面10s侧，并且介于第1部分31与第2部分32之间，连接于第1部分31与第2部分32。第1弯曲部41以向表面10s侧凸起的方式
弯曲。由此，第1弯曲部41将从第1方向观察时的导线30的倾斜，从第1部分31的前端部31c的、随着朝向电极21而靠近表面10s的倾斜，转换为后述的在第2部分32的、随着朝向电极21而远离表面10s的倾斜。换言之，第1弯曲部41以将第2部分32引导至表面20s侧的方式弯曲。第1弯曲部41位于比导线30的延伸方向上的导线30的中心更靠电极13侧。
[0045]
第2部分32中，从第1方向观察，第1弯曲部41侧的一部分位于比表面20s更靠表面10s侧(此处位于比表面20s更靠下方)，并且电极21侧的剩余部分向表面10s的相反侧从表面20s突出(此处位于比表面20s更靠上方)。即，第2部分32从第1弯曲部41向表面10s的相反侧越过表面20s地延伸。如上述，导线30，通过第2部分32被第1弯曲部41引导，从而以随着朝向电极21而远离表面10s的方式倾斜。
[0046]
第2弯曲部42，从第1方向观察位于向表面10s的相反侧从表面20s突出的位置(此处位于比表面20s更靠上方)，并且介于第2部分32与第3部分33之间，连接第2部分32与第3部分33。第2弯曲部42以向表面10s、20s的相反侧凸起的方式弯曲。由此，第2弯曲部42，将从第1方向观察时的导线30的倾斜，从在第2部分32的、随着朝向电极21而远离表面10s的倾斜，转换为后述的在第3部分33的、随着朝向电极21而靠近表面20s的倾斜。换言之，第2弯曲部42以将第3部分33引导至表面20s侧的方式弯曲。第2弯曲部42位于比导线30的延伸方向上的导线30的中心更靠电极21侧。
[0047]
第3部分33，从第1方向观察，从表面20s向表面10s的相反侧突出(此处位于比表面20s更靠上方)。即，第3部分33，从第1方向观察，从向表面10s的相反侧越过表面20s的位置朝向表面20s延伸，并且接合于接合部52(电极21)。如上述，导线30，通过第3部分33被第2弯曲部42引导，从而以随着朝向电极21而靠近表面20s的方式倾斜。
[0048]
根据上述，导线30，作为整体，在第1弯曲部41以向表面10s侧凸起的方式弯曲，且在第2弯曲部42以向表面10s、20s的相反侧凸起的方式弯曲，从而从电极13至电极21以m字状延伸。
[0049]
此外，导线30，从与表面10s、20s交叉的第2方向观察(图1(a))，相对于半导体芯片20的外缘20e倾斜延伸(相对于与外缘20e正交的线倾斜)。然而，导线30从第2方向观察，也可相对于与半导体芯片20的外缘20e正交的线平行地延伸。
[0050]
树脂部m越过半导体芯片20的顶面(表面20s)而设置于表面10s上。由此，半导体芯片20及导线30的整体被树脂部m密封。树脂部m的材料例如为硅或环氧树脂等。
[0051]
接着，对以上的半导体元件1的制造方法进行说明。图3～5是示出用于制造图1所示的半导体元件的半导体元件制造方法的一工序的示意性的截面图。在该制造方法中，如图3(a)所示，首先，准备搭载基板10、搭载于搭载基板10的表面10s的半导体芯片20、及至少用于导线30的母材30a(工序s101、第1工序)。母材30a例如通过金这样的金属而形成为导线状。母材30a保持(插通)于具备用于导线接合的装置的焊针(capillary)c。
[0052]
其后，如图3(a)～(c)所示，使焊针c移动至作为第2接合点的电极21，在将从焊针c突出的母材30a的前端30aa接合于电极21后切断该前端30aa，从而在电极21形成接合部52(工序s102、第5工序)。更具体而言，在该工序s102中，首先，使从焊针c突出的母材30a的前端30aa熔融而形成导线球(wire ball)。接着，一边施加热或超声波一边将导线球按压于电极21。由此，由导线球形成接合部52。其后，将接合部52从母材30a切断并分离。
[0053]
在下一工序中，如图4(a)、(b)所示，使保持母材30a的焊针c移动至电极13上的位
置，将从焊针c突出的母材30a的新的前端30aa接合于作为第1接合点的电极13(工序s103、第2工序)。更具体而言，在该工序s103中，首先，使从焊针c突出的母材30a的前端30aa熔融而形成导线球。其后，一边施加热或超声波一边将导线球按压于电极13。由此，如图4(c)所示，形成接合部51，进行球接合(ball bonding)。
[0054]
接着，如图4(c)及图5(a)～(c)所示，一边从焊针c导出母材30a，另外，一边赋予母材30a倾向并使焊针c移动，形成依次排列的第1部分31、第1弯曲部41、第2部分32、第2弯曲部42及第3部分33(工序s104、第3工序)。
[0055]
其后，如图5(c)所示，使焊针c移动至电极21上的位置，将母材30a接合于电极21，从而构成从电极13至电极21延伸的导线30(工序s105、第4工序)。更具体而言，此处，在将母材30a以焊针c的前端部的边缘部分按压于接合部52，并通过施加热或超声波而将母材30a接合于接合部52之后，切断(针脚stitch)母材30a。由此，进行针脚接合(stitch bonding)。其后，通过设置树脂部m，获得半导体元件1。
[0056]
如以上说明，在半导体元件设置有用于将搭载基板10与搭载于搭载基板10的半导体芯片20电连接的导线30。导线30将搭载基板10的搭载有半导体芯片20的表面10s上的电极13、与半导体芯片20的表面20s上的电极21相连。导线30包含：从电极13朝向电极21(从搭载基板10朝向半导体芯片20)依次排列的第1部分31、第1弯曲部41、第2部分32、第2弯曲部42及第3部分33。
[0057]
第1部分31为导线30的从电极13(接合部51)延伸的部分，位于比表面20s更靠表面10s侧(例如比表面20s更靠下方)。另外，第3部分33为导线30的接合于电极21(接合部52)的部分，位于向表面10s的相反侧越过表面20s的位置(例如比表面20s更靠上方)。第2部分32为第1部分31与第3部分33之间的部分，从表面10s侧的位置越过表面20s地延伸。
[0058]
根据这样的结构，在导线30与搭载基板10之间配置有树脂部m的树脂。与此相对，在该导线30中，第1部分31与第2部分32之间的第1弯曲部41位于比表面20s更靠表面10s侧，且，以将第2部分32引导至表面20s侧方式弯曲。即，相比于没有第1弯曲部41的情况，导线30，在到达第1弯曲部41之间(即，使第1部分31)沿表面10s侧延伸，并且在到达第1弯曲部41后(即，使第2部分32)以越过表面20s的方式延伸。即，相比于没有第1弯曲部41的情况，导线30，以与由搭载基板10与半导体芯片20形成的角部相仿的方式延伸。其结果，导线30所夹带的树脂量减少。因此，根据该半导体元件1，可减少与热循环对应而施加于导线30的应力，抑制可靠性的降低。
[0059]
此外，在半导体元件1中，导线30在第2部分32与第3部分33之间的第2弯曲部42在越过表面20s的位置弯曲，第3部分33被引导至表面20s侧。并且，第3部分33从越过表面20s的位置朝向表面20s延伸，并接合于电极21(接合部52)。因此，相比于没有第2弯曲部42及第3部分33，第2部分32从表面10s侧延伸而直接接合于电极21(接合部52)的情况，可避免导线30接触半导体芯片20的角部。因此，可进一步抑制可靠性的降低。
[0060]
另外，在半导体元件1中，第1弯曲部41位于比导线30的延伸方向的中心更靠电极13侧。因此，第1弯曲部41形成于距半导体芯片20较远的位置。其结果，例如图5(a)所示，在形成第1弯曲部41时，可抑制保持导线30的保持具(例如，上述焊针c)接触半导体芯片20。
[0061]
此外，在半导体元件1中，导线30从与表面10s、20s交叉的第2方向观察，相对于半导体芯片20的外缘20e倾斜第延伸。因此，相比于导线30垂直于半导体芯片20的外缘20e的
情况，容易确保导线30的长度较长。其结果，容易实现包含多个部分及多个弯曲部的导线30的上述结构。
[0062]
此外，在半导体元件1中，在表面10s的设置有电极13的区域、与在表面10s的设置有半导体芯片20的区域之间，在表面10s上形成有抗蚀剂这样的绝缘构件60。绝缘构件60例如可用于搭载基板10的图案形成、或表面10s上的配线间的绝缘这样的用途，通过介于表面10s与导线30之间也有助于导线30所夹带的树脂量的减少。因此，在半导体元件1中，可进一步可靠地抑制可靠性的降低。
[0063]
另外，根据本实施方式的半导体元件制造方法，制造上述的半导体元件1。即，可获得可抑制可靠性降低的半导体元件。特别地，本实施方式的半导体元件制造方法，在工序s101之后且工序s103之前，具备：工序s102，其中，使焊针c移动至电极21，在将从焊针c突出的母材30a的前端30aa接合于电极21后，切断该前端30aa，从而在电极21形成接合部52。此时，在工序s105中，经由接合部52将母材30a接合于电极21。其结果，在形成导线30的各部分后将从焊针c突出的母材30a的前端接合于电极21时，介有已形成于电极21的接合部52，因此，可减少对半导体芯片20侧的冲击。特别地，此处使用用于形成导线30的各部的焊针c及母材30a而形成该接合部52，因此，可谋求工序的简化。
[0064]
以上的实施方式说明本公开的一个方式。因此，本公开不限定于上述实施方式，可进行任意变形。作为一例，上述实施方式的半导体元件1可根据半导体芯片20与电极13之间的距离d、或半导体芯片20的高度t而进行变化。接着，对上述实施方式的半导体元件1的变形例进行说明。
[0065]
[第1变形例]
[0066]
图6是示出第1变形例的半导体元件的图。图6(a)是示意性的截面图，图6(b)是放大照片。在图6所示的例子中，相比于图1，电极13与半导体芯片20的距离d增大。在这样的情况下，通过使第1弯曲部41位于半导体芯片20侧，可使比表面20s更靠表面10s侧延伸的第1部分31的长度相对地增长。由此，第1弯曲部41位于比导线30的延伸方向上的中心更靠电极21侧。此外，此处，第1部分31中的、第2部分32侧的前端部31c相比于弯曲部31b更加延长，因此，第1弯曲部41位于电极21侧。
[0067]
根据以上的第1变形例，第1弯曲部41形成于较为靠近半导体芯片20的位置。其结果，确保导线30的在表面10s侧延伸的部分(第1部分31)相对较长，减少导线30所夹带的树脂量。即，可可靠地减少施加于导线30的应力，可靠地抑制可靠性降低。
[0068]
[第2变形例]
[0069]
图7是示出第2变形例的半导体元件的图。图7(a)是示意性的截面图，图7(b)是放大照片。在图7的例子中，相比于图1，半导体芯片20的高度t增大。此处，在第1部分31与第1弯曲部41之间，介有第3弯曲部43及第4部分34。第3弯曲部43及第4部分34沿从电极13朝向电极21的方向依次排列。
[0070]
第3弯曲部43及第4部分34位于比表面20s更靠表面10s侧。第3弯曲部43连接于第1部分31与第4部分34。第3弯曲部43以向表面10s侧凸起的方式弯曲。即，第3弯曲部43以向与第1弯曲部41同一方向凸起的方式弯曲。由此，第3弯曲部43将从第1方向观察时的导线30的倾斜，从在第1部分31的前端部31c的、随着朝向电极21而靠近表面10s的倾斜，转换为后述的在第4部分34的、随着朝向电极21而远离表面10s的倾斜。换言之，第3弯曲部43以将第4部
分34引导至表面20s侧的方式弯曲。
[0071]
第4部分34以将第1部分31与第1弯曲部41相连的方式，以随着朝向电极21而远离表面10s的方式倾斜延伸。此处，通过第1弯曲部41以第4部分34的长度的量位于电极21侧，从而使第1弯曲部41位于比导线30的延伸方向上的中心更靠向电极21侧。然而，第1弯曲部41也可根据第4部分34的长度，位于导线30的延伸方向上的中心、或比该中心更靠电极13侧。
[0072]
在该例中，在第1弯曲部41的前后(即第4部分34及第2部分32)，导线30的倾斜方向未变更。即，此处，第1弯曲部41，以也在第2部分32维持在第4部分34的、随着朝向电极21而远离表面10s的倾斜的方式，以向表面10s侧凸起的方式弯曲。
[0073]
根据以上的第2变形例，由于可通过至少第2部分32与第4部分34这2部分确保半导体芯片20距表面10s的高度t，因此不需要容易产生应力集中的急剧的弯曲。因此，可进一步可靠地抑制可靠性的降低。
[0074]
[第3变形例]
[0075]
图8是示出第3变形例的半导体元件的图。图8(a)是示意性的截面图，图8(b)是放大照片。在图8所示的例子中，第1部分31的弯曲部31b的弯曲的角度相比于图1的例子增大。更具体而言，弯曲部31b，以将与表面10s垂直延伸的基端部31a、与沿表面10s平行延伸的前端部31c相连的方式，以直角弯曲。
[0076]
根据此种第3变形例，第1部分31从电极13沿表面10s延伸，可进一步减少导线30所夹带的树脂量。即，可可靠地减少施加于导线30的应力，可靠地抑制可靠性的降低。
[0077]
此外，在以上的半导体元件1中，对在半导体芯片20的表面20s设置有接合部52，导线30接合于该接合部52的例子进行了说明。这样的接合部52，例如，可如上述在导线30配设前通过与导线30同一的材料而设置。然而，在半导体元件1中，接合部52也不是必须的，导线30也可直接接合于半导体芯片20。另外，即使在设置接合部52的情况下，也可通过与用于导线30的导线接合装置不同的装置，另外设置接合部52。
[0078]
另外，在半导体元件1中，接合部51、52的位置可任意设定。因此，也可根据从第2方向观察时，接合部51、52(电极13、21)的位置关系，任意设定导线30相对于半导体芯片20的外缘20e的倾斜。
[0079]
[产业上的可利用性]
[0080]
本发明提供一种可抑制可靠性降低的半导体元件及半导体元件制造方法。
[0081]
符号说明
[0082]1…
半导体元件、10
…
搭载基板、10s
…
表面(第1面)、13
…
电极(第1接合点)、20
…
半导体芯片、20s
…
表面(第2面)、21
…
电极(第2接合点)、30
…
导线、31
…
第1部分、32
…
第2部分、33
…
第3部分、34
…
第4部分、41
…
第1弯曲部、42
…
第2弯曲部、51
…
接合部、52
…
接合部。