深紫外LED的封装结构及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种深紫外led的封装结构的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：(1)在硅片上涂覆光刻胶；(2)对光刻胶进行曝光、显影，在光刻胶上显影出所需微槽阵列图形；(3)采用湿法腐蚀硅片，在硅片上形成若干微槽，继续腐蚀硅片直到微槽穿透硅片的底面，形成硅反射杯；所述微槽的槽壁为倾斜面；(4)去除硅片上的光刻胶；(5)在所述硅反射杯上设有深紫外反射层；(6)将硅片贴合在具有金属线路的陶瓷基板上，深紫外led芯片位于硅反射杯的中心位置并固定在陶瓷基板上，且与陶瓷基板上的金属线路导通；(7)用高透隔板贴合在硅片上表面实现对所述硅反射杯进行气密封装。2.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述步骤(1)在涂覆光刻胶之前，采用丙酮或/和乙醇对硅片进行清洗，随后用去离子水冲洗干净，接着用氮气吹干。3.根据权利要求2所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：在吹干硅片之后，将硅片放入氧化炉进行氧化处理，在硅片表面获得厚度为5-200nm的氧化硅层。4.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述步骤(3)包括以下步骤：(3.1)将硅片放入hf溶液进行去除表面氧化层；(3.2)将硅片放入碱性水溶液进行腐蚀，在硅片上形成若干微槽；(3.3)继续腐蚀硅片10～60分钟，直到微槽穿透硅片的底面，形成硅反射杯；所述微槽的槽壁倾斜角度为50～60度。5.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述步骤(5)采用磁控溅射或者电子束蒸发在硅反射杯表面蒸镀al金属反射膜、ag金属反射膜或氧化物介质反射膜，形成所述深紫外反射层。6.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述步骤(6)中在硅片贴合在具有金属线路的陶瓷基板后，采用无机材料进行焊接固定。7.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述步骤(7)在真空或氮气环境下完成。8.一种深紫外led的封装结构，其特征在于，其包括陶瓷基板、硅片、深紫外led芯片和高透隔板，所述陶瓷基板上设有金属线路，所述硅片上均匀分布若干将其垂直贯穿的硅反射杯，所述硅反射杯的表面设有深紫外反射层，所述硅片设置在所述陶瓷基板上，所述深紫外led芯片对应硅反射杯的中心位置设置在陶瓷基板上，且与所述金属线路相连接，所述高透隔板盖合在硅片上，并对所述硅反射杯进行气密封装。9.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述硅反射杯的杯壁为倾斜角度为50～60度的倾斜面。10.根据权利要求1所述的深紫外led的封装结构，其特征在于：所述高透隔板为蓝宝石玻璃板或石英玻璃板；所述陶瓷基板为氮化铝板体、氧化铝板体或氧化锆板体。

技术总结
本发明公开了一种深紫外LED的封装结构及其制作方法，通过光刻、腐蚀在硅片上形成具有倾斜面的硅反射杯，并蒸镀有深紫外反射层，实现深紫外LED横向光强的垂直反射，减少LED芯片横向光强的损失，提高电光效率，减少热效应，提高芯片的可靠性，而且若干硅反射杯呈阵列式分布，提升集成光源的光分布均匀性。本发明提供的深紫外LED的封装结构设计合理，省去传统围坝等结构，减少封装成本，直接在硅片上设有多个硅反射杯，通过硅反射杯的倾斜面控制深紫外LED的出光角度，方向性更强且可控，有效减少横向光强的损失，增强正面出光，不仅提升深紫外LED的电光效率，确保了出光一致性和光分布均匀性，而且整体结构简单、紧凑，易于封装。易于封装。易于封装。


技术研发人员：康俊杰 李永德 王维昀 王新强 王后锦 罗巍 袁冶 唐波 张紫珊
受保护的技术使用者：松山湖材料实验室
技术研发日：2021.06.08
技术公布日：2022/12/8