一种反型Cs8Sn3GaI

技术特征：
1.一种反型cs8sn3gai
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/cs8sn3ini
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杂化复合材料，其特征在于，所述杂化复合材料的化学表达式为：cs8sn3gai
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/cs8sn3ini
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，由ga
3
与in
3
离子联合调控能级形成反型cs2sni6结构，其晶型为面心立方结构，其表面形貌为纳米立方体、且表面分布有中空结构。2.按权利要求1所述反型cs8sn3gai
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/cs8sn3ini
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杂化复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将gai3、ini3与sni4分别溶解于dmf中，形成混合溶液；其中，ga
3
与in
3
离子的摩尔比为1:1，ga
3
、in
3
离子共同与sn
4
离子的化学计量比(ga
3
in
3
:sn
4
)为1～5％；步骤2、按照0.2mol/l的比例，将csi添加到混合溶液中，搅拌至csi完全溶解，形成先驱溶液；步骤3、采用超声喷涂将前驱溶液喷涂于基片上，再将基片于130～180℃下烘烤5-10min；超声喷涂参数设置为：工作距离为10cm、流速为20μl/s、喷头移动速度为5mm/s、喷涂次数为4次、工作气压为0.2mpa、基片温度为130～180℃；步骤4、将基片放入sni4无水乙醇溶液中浸泡，取出后用无水乙醇冲洗并吹干，获得反型cs8sn3gai
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/cs8sn3ini
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杂化复合材料。3.按权利要求2所述反型cs8sn3gai
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/cs8sn3ini
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杂化复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，混合溶液中金属离子总浓度为0.1mol/l。4.按权利要求2所述反型cs8sn3gai
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/cs8sn3ini
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杂化复合材料的制备方法，其特征在于，步骤4中，sni4无水乙醇溶液的浓度为0.1g/ml，浸泡时间为1～5分钟。

技术总结
本发明属于有机-无机杂化半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI


技术研发人员：周涛 向全军 廖宇龙 李元勋 文天龙 李颉 张怀武
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2022.10.12
技术公布日：2022/12/6