具有用于边缘环高度管理的双升降机构的半导体处理室的制作方法

技术特征：
1.一种装置，其包括：半导体处理室；位于所述半导体处理室内的晶片支撑表面；和一个或多个双升降机构，每个双升降机构包括：具有第一接触表面的第一升降器结构，具有第二接触表面的第二升降器结构，公共凸缘结构，以及一个或多个致动器，其中：每个双升降机构的所述一个或多个致动器均安装到该双升降机构的所述公共凸缘结构；每个双升降机构的所述一个或多个致动器配置成是能致动的，以便：使该双升降机构的所述第一升降器结构沿垂直于所述晶片支撑表面的第一轴平移，使得该第一升降器结构的所述第一接触表面在第一高度和第二高度之间移动，使该双升降机构的所述第二升降器结构沿所述第一轴平移，使得该第二升降器结构的所述第二接触表面在第三高度和第四高度之间移动，并且使该双升降机构的所述第二升降器结构能至少部分地沿着所述第一轴平移，而不同时使该双升降机构的所述第一升降器结构沿着所述第一轴平移；所述晶片支撑表面具有外周边，并且每个双升降机构被定位成使得其所述第一升降器结构和所述第二升降器结构定位在所述外周边之外。2.根据权利要求1所述的装置，其还包括上边缘环和下边缘环，其中：当沿所述第一轴观察时，所述上边缘环与所述下边缘环重叠，所述上边缘环与所述下边缘环同心，所述上边缘环的内径大于所述晶片支撑表面的外径，当致动每个双升降机构以使其所述第一接触表面处于所述第一高度时，该双升降机构的所述第一升降器结构的所述第一接触表面与所述下边缘环接触，并且当致动每个双升降机构以使其所述第二接触表面处于所述第四高度时该双升降机构的所述第二升降器结构的所述第二接触表面与所述上边缘环接触。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一高度和所述第二高度之间的第一距离小于所述第三高度和所述第四高度之间的第二距离。4.根据权利要求1所述的装置，其中，每个双升降机构通过其所述公共凸缘结构连接至所述半导体处理室。5.根据权利要求1所述的装置，其中，对于每个双升降机构：该双升降机构的所述一个或多个致动器包括第一致动器和第二致动器，该双升降机构的所述第一致动器被配置为所述第一升降器结构当被致动时沿着所述第一轴平移，该双升降机构的所述第二致动器被配置为所述第二升降器结构当被致动时沿着所述第一轴平移，该双升降机构的所述公共凸缘结构具有第一侧，所述第一侧具有延伸穿过其中的第一
孔和延伸穿过其中的第二孔，该双升降机构的所述公共凸缘结构的所述第一侧与所述半导体处理室的一部分配合，该双升降机构的所述第一致动器被定位于该双升降机构的所述公共凸缘结构的所述第一孔内，并且该双升降机构的所述第二致动器被定位于该双升降机构的所述公共凸缘结构的第二孔内。6.根据权利要求5所述的装置，其中，对于每个双升降机构：该双升降机构的所述第一致动器是机电致动器，并且该双升降机构的所述第二致动器是气动致动器。7.根据权利要求5所述的装置，其中，对于每个双升降机构，该双升降机构的所述第一致动器是由电动马达驱动的螺杆致动器。8.根据权利要求5所述的装置，其中，沿环绕所述晶片支撑表面的圆布置有三个双升降机构。9.根据权利要求8所述的装置，其中，每个双升降机构被定位成使得该双升降机构的所述第一升降器结构和该双升降机构的所述第二升降器结构都位于与所述圆同心并且具有环形径向宽度的环形区域内，所述环形径向宽度小于外接该双升降机构的所述第一升降器结构和该双升降机构的所述第二升降器结构的最小圆的直径。10.根据权利要求8所述的装置，其中，每个双升降机构被定位成使得穿过该双升降机构的所述第一升降器结构和该双升降机构的所述第二升降器结构的第一参考平面平行于与所述圆相切并且与所述第一轴平行的第二参考平面。11.根据权利要求1所述的装置，其中，对于每个双升降机构，该双升降机构的所述第一升降器结构和所述第二升降器结构彼此同轴。12.根据权利要求11所述的装置，其中，对于每个双升降机构：该双升降机构的所述第一升降器结构具有沿所述第一轴贯穿其中的孔，并且该双升降机构的所述第二升降器结构穿过该双升降机构的所述第一升降器结构中的所述孔。13.根据权利要求12所述的装置，其中每个双升降机构包括弹簧，并且对于每个双升降机构：该双升降机构的所述弹簧被配置为对于该双升降机构的所述第一升降器结构在平移时跨越的距离的至少一部分，在该双升降机构的所述第一升降器结构上施加力，使得该第一升降器结构的所述第一接触表面从所述第一高度移动到所述第二高度，并且由该双升降机构的所述弹簧施加的力将该双升降机构的所述第一升降器结构推向第二高度。14.根据权利要求13所述的装置，其中，对于每个双升降机构，该双升降机构的所述弹簧被配置为对于该双升降机构的所述第一升降器结构在平移时跨越的距离的全部，在该双升降机构的所述第一升降器结构上施加所述力，使得该第一升降器结构的所述第一接触表面从所述第一高度移动到所述第二高度。15.根据权利要求12所述的装置，其中每个双升降机构的所述第二升降器结构包括止动表面，该止动表面的尺寸被设定成防止该双升降机构的所述第一升降器结构相对于该双
升降机构的所述第二升降器结构移动超过第一位置。16.根据权利要求12所述的装置，其中每个双升降机构的所述第一升降器结构包括止动表面，该止动表面的尺寸被设定成防止该双升降机构的所述第一升降器结构相对于所述公共凸缘结构移动超过第一位置。17.根据权利要求11所述的装置，其中，对于每个双升降机构：该双升降机构还包括弹簧，该双升降升机构的所述第一升降器结构是带有凸缘端的管，该双升降机构的所述第一升降器结构具有穿过所述管的孔，所述管具有第一内径，该双升降机构的所述第二升降器结构是具有第一部分和第二部分的圆柱形杆，所述第一部分具有第一直径，而所述第二部分具有第二直径，所述第一直径大于该双升降机构的所述第一升降器结构的所述第一内径，而所述第二直径小于该双升降机构的所述第一升降器结构的所述第一内径，且该双升降机构的所述第二升降器结构的所述第二部分穿过该双升降机构的所述第一升降器结构中的所述孔并且穿过该双升降机构的所述弹簧。18.根据权利要求17所述的装置，其中每个双升降机构的所述弹簧被压缩在该双升降机构的所述第一升降器结构和相对于所述公共凸缘结构固定的表面之间，使得当该双升降机构的所述第一升降机构和所述第二升降机构平移时，该双升降机构的所述第一升降机构被连续按压成与该双升降机构的所述第二升降机构的所述第一部分接触，从而导致该双升降机构的所述第一升降机构的所述第一接触表面从所述第一高度移动到所述第二高度。19.根据权利要求11所述的装置，其中，对于每个双升降机构，用于该双升降机构的所述一个或多个致动器是单一致动器。20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述单一致动器是由电动马达驱动的螺杆致动器。

技术总结
公开了用于提供半导体处理室的系统和技术，该半导体处理室被配置为与两个同心边缘环以及双升降机构一起使用。双升降机构可各自具有第一升降器结构和第二升降器结构，所述第一升降器结构和第二升降器结构可各自至少部分地被独立致动。第一升降器结构可用于在两个或更多个竖直偏移位置之间移动边缘环中的下边缘环，而第二升降器结构可用于升高和降低边缘环中的上边缘环。双升降机构可以与半导体处理室的室外壳连接。室的室外壳连接。室的室外壳连接。


技术研发人员：约翰
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.02.22
技术公布日：2022/12/2