芯部去除的制作方法

技术特征：
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：a)接收衬底，所述衬底包含：i.下伏材料，ii.位于所述下伏材料上的芯部，所述芯部具有竖直定位的侧壁，以及iii.衬在所述芯部的所述侧壁上的第一间隔件材料；b)去除所述芯部，从而由先前衬在所述芯部的所述侧壁上的所述第一间隔件材料形成第一间隔件特征；以及c)在所述第一间隔件特征上沉积第二间隔件层，其中(b)和(c)在同一反应室中进行，并且其中所述衬底在(b)和(c)之间不从所述反应室中移出。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括清洁所述衬底以从其去除不需要的材料，其中在(b)之前在湿式清洁操作中清洁所述衬底。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述芯部上沉积第一间隔件层，所述第一间隔件层包括所述第一间隔件材料，并回蚀刻所述第一间隔件层以从水平表面去除所述第一间隔件材料，同时留下在所述芯部的所述侧壁上的所述第一间隔件材料。4.根据权利要求1所述的方法，其还包括执行计量以确定在(b)期间去除所述芯部的时间。5.根据权利要求4所述的方法，其中执行计量包括执行光发射光谱测量。6.根据权利要求5所述的方法，其中执行光发射光谱测量包括监测与所述反应室中二氧化碳的存在相关的信号。7.根据权利要求4所述的方法，其中执行计量包括执行激光干涉测量。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其还包括在(b)之后且在(c)之前执行散射测量以测量所述第一间隔件特征中的一个或多个的宽度。9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中去除所述芯部包括：将所述衬底暴露于含氧等离子体以灰化所述芯部。10.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述芯部包含碳，并且其中所述芯部的所述碳具有约50mpa或更小的沉积后覆盖应力，并且具有约30gpa或更大的杨氏模量。11.一种处理衬底的方法，所述方法包括：a)接收衬底，所述衬底包含：i.下伏材料，ii.位于所述下伏材料上的芯部，所述芯部具有竖直定位的侧壁，iii.衬在所述芯部的所述侧壁上的第一间隔件材料，iv.位于所述芯部和所述第一间隔件材料上方的平坦化层，所述平坦化层的顶部基本上是平坦的，v.位于所述平坦化层上方的掩模层，vi.开口，其被限定在所述掩模层和所述平坦化层中，所述开口位于第一间隔件材料上方，所述第一间隔件材料衬在所述芯部中的一者的所述侧壁中的一者上；b)去除与所述开口对应的位置处的所述第一间隔件材料；c)去除所述掩膜层；d)去除所述芯部和所述平坦化层，从而由在(b)中未被去除的剩余第一间隔件材料形
成第一间隔件特征，其中在对应于所述开口的位置处没有形成第一间隔件特征；以及e)在所述第一间隔件特征上沉积第二间隔件层，其中(d)和(e)在同一反应室中发生，并且其中所述衬底在(d)和(e)之间不从所述反应室中移出。12.根据权利要求11所述的方法，其中，同时去除所述芯部和所述平坦化层。13.根据权利要求11所述的方法，其中去除所述芯部和所述平坦化层包括：将所述衬底暴露于含氧等离子体以灰化掉所述芯部和所述平坦化层。14.根据权利要求11-13中任一项所述的方法，其还包括执行计量以确定在(d)中去除所述芯部和/或平坦化层的时间。15.根据权利要求11-13中任一项所述的方法，其还包括在(d)之后且在(e)之前执行散射测量以测量所述第一间隔件特征中的一个或多个的宽度。16.一种处理衬底的方法，所述方法包括：a)接收衬底，所述衬底包含：i.下伏材料，ii.位于所述下伏材料上的芯部，所述芯部具有竖直定位的侧壁，iii.衬在所述芯部的所述侧壁上的第一间隔件材料，以及iv.平坦化层，其位于所述下伏材料、所述芯部和所述第一间隔件材料上方，其中所述平坦化层被图案化以形成暴露区域和受保护区域；b)修整所述第一间隔件材料以减小所述暴露区域中的所述第一间隔件材料的厚度，而所述受保护区域中的所述第一间隔件材料保持未修整；c)去除所述平坦化层和所述芯部，从而由所述第一间隔件材料形成第一间隔件特征，其中所述第一间隔件特征具有不均匀的关键尺寸；以及d)在所述第一间隔件特征上方形成第二间隔件层，其中(c)和(d)在同一反应室中进行，并且其中所述衬底在(c)和(d)之间没有从所述反应室中移出。17.根据权利要求16所述的方法，其还包括回蚀所述第二间隔件层，使得在相邻的第一间隔件特征之间的区域中去除所述第二间隔件层。18.根据权利要求17所述的方法，其还包括去除所述第一间隔件特征，从而由所述第二间隔件层形成第二间隔件特征，其中相邻的第二间隔件特征之间的距离由于所述第一间隔件特征的不均匀关键尺寸而不均匀。19.根据权利要求16-18中任一项所述的方法，其中，所述平坦化层和所述芯部被同时去除。20.根据权利要求19所述的方法，其中去除所述芯部和所述平坦化层包括：将所述衬底暴露于含氧等离子体以灰化掉所述芯部和所述平坦化层。

技术总结
本文提供了用于处理衬底的方法、装置和系统。通常，该处理涉及间隔件累加(SoS)自对准四重图案(SAQP)技术。所公开的技术提供了一种新颖的工艺流程，该流程通过确保在将衬底转移到用于沉积第二间隔件层的沉积室之前不从衬底去除芯部来减少缺陷。这减少或消除了在转移或清洁衬底时对衬底上的特征造成结构损坏的风险。当在清洁和转移之前将芯部从衬底上移除时，这种结构损坏很常见。这种结构损坏很常见。这种结构损坏很常见。


技术研发人员：希瓦南达
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.02.08
技术公布日：2022/12/2