一种预留芯片线路引脚的正面压印方法与流程

1.本发明属于本发明属于纳米压印领域，具体涉及一种预留芯片线路引脚的正面压印方法。


背景技术：

2.纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术。通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。该技术通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，是微电子、材料领域的重要加工手段。
3.现有技术中在芯片晶圆表面压印透镜有两种方案，一种直接进行压印，另一种先在玻璃基板上压印透镜，然后切割成单颗die，再把单颗镜头与已完成切割的芯片进行bonding，两种方案都不能在保证去除线路引脚上的固化胶的同时使得整体模组厚度较低。


技术实现要素：

4.本发明提出一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，以解决现有技术中，工艺复杂难以预留芯片线路引脚的问题。
5.为达上述目的，本发明提出技术方案如下：
6.一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，包括如下步骤：
7.第一步：在透明玻璃基底上进行光刻工艺，将保护芯片线路引脚图案在透明的玻璃基底上做出来，得到带有保护芯片线路引脚图案的玻璃基底；
8.第二步：在带有保护芯片线路引脚图案的玻璃基底上进行压印图案印章制作，得到带有透镜图案的玻璃基底；
9.第三步：使用胶水在芯片晶圆上点胶；
10.第四步：用带有透镜图案的玻璃基底下压芯片晶圆上的胶水，使胶水填充图案区域，完成面型压印；
11.第五步：将完成面型压印的产品在uv光源下进行紫外固化；
12.第六步：将带有透镜图案的玻璃基底与压印完成后的透镜进行分离，分离剩余的部分即为带有透镜的芯片；
13.第七步：显影，得到预留有线路引脚的芯片。
14.优选的，第一步中所述光刻工艺包括涂胶、曝光和显影。
15.优选的，第三步中所述胶水选择hr3301 optical resin溶剂。
16.优选的，第四步中，面型压印时，将芯片晶圆上的胶水压印到目标胶厚。
17.优选的，第五步中，被带有透镜图案的玻璃基底保护的部分没有被uv光源照到，胶水没有完全聚合反应。未被带有透镜图案的玻璃基底保护的地方被uv光源照到，胶水形成透镜。
18.优选的，第七步中，显影流程具体为，使用药液铺满整个胶水表面，浸泡后用纯水清洗，直至图像显现。
19.优选的，第七步中，所述药液为四甲基氢氧化铵溶液。
20.优选的，所述四甲基氢氧化铵溶液质量浓度为5％。
21.本发明的有益之处在于：
22.在透明的玻璃基板上将芯片线路引脚保护区域的图案光刻出来，并通过显影工艺将未完全聚合反应的胶水去除，可以得到预留有芯片线路引脚的产品。
附图说明
23.构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
24.图1为一种预留芯片线路引脚的正面压印方法流程示意图。
具体实施方式
25.下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
26.以下详细说明均是示例性的说明，旨在对本发明提供进一步的详细说明。除非另有指明，本发明所采用的所有技术术语与本发明所属领域的一般技术人员的通常理解的含义相同。本发明所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而并非意图限制根据本发明的示例性实施方式。
27.实施例1：
28.现有技术中在芯片晶圆表面压印透镜有两种方案。
29.方案一：直接在芯片晶圆上进行压印，缺点是pda也被压印胶覆盖，胶水uv固化后，pda上固化后的胶无法去除，导致芯片无法使用。
30.方案二：先在玻璃基板上压印透镜，然后切割成单颗die，再把单颗镜头与已完成切割的芯片进行bonding，此方案可以保证贴合后的芯片可以正常使用，但由于透镜是压印在玻璃基底上，所以整体模组厚度会比较厚。
31.请参阅图1所示，本发明提供一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，具体包括：
32.步骤一、光刻：首先在压印图案印章的透明玻璃基底上进行光刻工艺(涂胶、曝光、显影)，将保护芯片线路引脚图案在透明的玻璃基底上做出来，如示意图所示黑色部分。
33.步骤二、压印图案印章制作：在带有保护图案的玻璃基底上进行压印图案印章制作，形成带有透镜图案的玻璃基底；
34.步骤三、点胶：在芯片晶圆上点胶；胶水选择米克司试剂，型号为hr3303。
35.步骤四、面型压印：使用带有图案的透明面型的玻璃基底下压胶水，使胶水填充图案区域，并压印到目标胶厚，完成面型压印；
36.步骤五、uv固化：将完成面型压印的产品在uv光源下进行紫外固化，被带有透镜图案的玻璃基底保护的部分没有被uv光源照到，胶水没有完全聚合反应。未被带有透镜图案的玻璃基底保护的地方uv光源可以照到，此处的胶水万卷聚合反应形成透镜；
37.步骤六、脱模：将带有透镜图案的玻璃基底与压印完成后透镜进行分离，分离剩余的部分为带有透镜的芯片。
38.步骤七、显影：通过显影工艺将未完全聚合反应的胶水去除，即使用去除胶水的药
液，如质量浓度5％左右的四甲基氢氧化铵溶液，铺满整个胶水表面，浸泡一会，然后使用纯水清洗，将图案给显现出来这样芯片线路引脚就会漏出来，可以进行后续加工作业。
39.操作中四甲基氢氧化铵溶液选择的是富士cd-2060。
40.由技术常识可知，本发明可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本发明范围内或在等同于本发明的范围内的改变均被本发明包含。


技术特征：
1.一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：在透明玻璃基底上进行光刻工艺，将保护芯片线路引脚图案在透明的玻璃基底上做出来，得到带有保护芯片线路引脚图案的玻璃基底；第二步：在带有保护芯片线路引脚图案的玻璃基底上进行压印图案印章制作，得到带有透镜图案的玻璃基底；第三步：使用胶水在芯片晶圆上点胶；第四步：用带有透镜图案的玻璃基底下压芯片晶圆上的胶水，使胶水填充图案区域，完成面型压印；第五步：将完成面型压印的产品在uv光源下进行紫外固化；第六步：将带有透镜图案的玻璃基底与压印完成后的透镜进行分离，分离剩余的部分即为带有透镜的芯片；第七步：显影，得到预留有线路引脚的芯片。2.如权利要求1所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，第一步中所述光刻工艺包括涂胶、曝光和显影。3.如权利要求1所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，第三步中所述胶水选择hr3301 optical resin溶剂。4.如权利要求1所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，第四步中，面型压印时，将芯片晶圆上的胶水压印到目标胶厚。5.如权利要求1所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，第五步中，被带有透镜图案的玻璃基底保护的部分没有被uv光源照到，胶水没有完全聚合反应；未被带有透镜图案的玻璃基底保护的地方被uv光源照到，胶水形成透镜。6.如权利要求1所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，第七步中，显影流程具体为，使用药液铺满整个胶水表面，浸泡后用纯水清洗，直至图像显现。7.如权利要求6所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，第七步中，所述药液为四甲基氢氧化铵溶液。8.如权利要求7所述的一种预留芯片线路引脚的正面压印方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液质量浓度为5％。

技术总结
本发明属于本发明属于纳米压印领域，具体涉及一种预留芯片线路引脚的正面压印方法。通过变更压印图案印章玻璃基底以及胶水，完成在芯片整面晶圆上直接压印，且通过后续工艺将芯片线路引脚给开出来，保证芯片切割后可以正常使用。使用。使用。


技术研发人员：刘守航 侯洋坤
受保护的技术使用者：华天慧创科技(西安)有限公司
技术研发日：2022.09.22
技术公布日：2022/12/1