曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统。


背景技术：

2.芯片光刻工艺作为半导体制造技术的核心工艺，是集成电路制造技术向前发展的驱动力，不断缩小的工艺尺寸对套刻精度（overlay，简称ovl）提出了更高的要求，对于部分产品的关键工艺层，2~3nm的套刻偏差都可能导致芯片性能下降甚至失效。
3.针对ovl的控制，通常是通过曝光机微调ovl补偿值的方式来实现，而实际生产中有多种因素会对ovl的控制产生影响，导致套刻过程中出现较大偏差，因此，亟需提供一种ovl的控制方法以减小套刻偏差。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统，以减小套刻过程中由于实际生产工艺因素产生的影响而导致的套刻偏差。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本技术的一方面提供了一种曝光套刻精度的控制方法，包括：获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值；根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。
6.于上述曝光套刻精度的控制方法中，首先，获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比，权重比的数值为0到1之间且包含边界值；其次，根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值，其中，计算所得的当前批次的目标层的目标补偿值与当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值、当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值及相邻前一层的曝光套刻精度量测值均相关，且当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积表示当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值对当前批次的目标层的目标补偿值所占影响程度的大小；然后，根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿，由上述方法所得到的当前批次的目标层的曝光套刻精度能够减小由当前批次的相邻前一层的制造工艺所产生的偏差，以增大当前批次的目标层的曝光套刻精度的稳定性。在传统技术中，当前批次的目标层的目标补偿值的计算方法通常为将当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光
套刻精度量测值相减，此方法虽然考虑到了当前批次的相邻前一批次的制造工艺对当前批次的影响，但却未考虑到当前批次的相邻前一层对目标层的影响，导致在当前批次的相邻前一层出现异常时，没有及时将此影响纳入补偿，最终出现套刻精度偏差过大以致产品重工甚至导致器件失效。而本技术提供的曝光套刻精度的控制方法不仅考虑了当前批次的相邻前一批次的制造工艺所产生的影响，也考虑了当前批次的相邻前一层对目标层所产生的影响，更进一步将当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值对当前批次的目标层的目标补偿值所占影响程度纳入考虑因素，使得所获得的当前批次的目标层更加精准，减小了套刻偏差，确保了套刻精度的稳定性，并且减少了异常层对后续制造的产品产生的影响，降低产品重工率，以提升芯片的整体性能。
7.在其中一些实施例中，当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比r_n：r_n=（5qc_a1 6qc_n1-6qc_a1-5qc_n1）/6qc_a2；上式中，5qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a2为当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值。
8.在其中一些实施例中，异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；其中，第一预设标准阈值大于第二预设标准阈值。
9.在其中一些实施例中，曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值均以十项补值形式呈现。
10.本技术的另一方面提供一种曝光套刻精度的控制装置，包括权重比获取模块、计算模块及补偿模块；其中，权重比获取模块用于获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；计算模块用于根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值；补偿模块用于根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。
11.于上述曝光套刻精度的控制装置中，由计算获得的当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿，最终获得的当前批次的目标层比传统技术采用的曝光套刻精度的控制装置所获得的当前批次的目标层更为精准，传统技术中当前批次的目标层的目标补偿值的计算方法通常为将当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值相减，然而，当在实际生产过程中，当前批次的相邻前一层的制造过程有可能出现异常层，致使后续产品良率降低，传统的曝光套刻精度的控制装置未考虑到当前批次的相邻前一层对目标层的影响，导致在当前批次的相邻前一层出现异常时，出现套刻精度偏差过大以致后续产品重工甚至导致器件失效。本技术提供的控制装置兼顾考虑了当前批次的相邻前一批次的制造工艺所产生的影响以及当前批次的相邻前一层对目标层所产生的影响，进而使得所获得的当前批次的目标层偏差更小，对准精度更大，确保了套刻精度的稳定性，并且减少了异常层对后续制造的产品
产生的影响，降低产品重工率以及提升半导体产品的良率。
12.在其中一些实施例中，权重比获取模块中当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比r_n：r_n=（5qc_a1 6qc_n1-6qc_a1-5qc_n1）/6qc_a2；上式中，5qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a2为当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值。
13.在其中一些实施例中，异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；其中，第一预设标准阈值大于第二预设标准阈值。
14.本技术的再一方面提供一种套刻系统，包括量测机台、曝光机以及本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制装置；其中，量测机台用于获取当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值；曝光机用于获取当前批次的相邻前一批次的曝光对象的曝光套刻精度补偿值；本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制装置与量测机台及曝光机均相连。
15.于上述套刻系统中所形成的半导体结构的套刻偏差比传统套刻系统中形成的结构套刻偏差更小，所形成的图形更为精准，能够降低后续产品的重工率以及减小器件失效的可能。
16.本技术的又一方面提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制方法的步骤。
17.本技术的还一方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制方法的步骤。
附图说明
18.为了更好地描述和说明这里公开的那些申请的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的申请、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些申请的最佳模式中的任何一者的范围的限制。
19.图1显示为本技术一实施例中提供的一种曝光套刻精度补偿的俯视图示意图；图2显示为本技术一实施例中提供的一种曝光套刻精度补偿值与批次的曲线示意图；图3显示为本技术一实施例中提供的一种曝光套刻精度的控制方法的流程图；图4显示为本技术另一实施例中提供的一种曝光套刻精度补偿的俯视图示意图；图5显示为本技术另一实施例中提供的一种曝光套刻精度补偿值与批次的曲线示意图；图6显示为本技术一实施例中提供的一种曝光套刻精度的控制装置的原理示意图；
图7显示为本技术一实施例中提供的一种套刻系统的原理示意图。
20.附图标记说明：10、权重比获取模块；20、计算模块；30、补偿模块；40、量测机台；50、曝光机。
具体实施方式
21.为了便于理解本技术，下面将参考相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
22.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
23.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
24.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
25.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
26.这里参考作为本技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本技术的范围。
27.请参阅图1-图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申
请的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
28.芯片光刻工艺作为半导体制造技术的核心工艺，是集成电路制造技术向前发展的驱动力，不断缩小的工艺尺寸对套刻精度（overlay，简称ovl）提出了更高的要求，对于部分产品的关键工艺层，2~3nm的套刻偏差都可能导致芯片性能下降甚至失效。
29.请参阅图1及图2，在半导体制造工艺中，针对套刻精度的控制，通常是通过曝光机微调套刻精度补偿值的方式来实现，而补偿值调整的依据，通常是采用回馈机制(feedback)，即在曝光前，利用当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与其曝光套刻精度量测值相减，来计算出当前批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值，此方法在当前批次的相邻前一层未出现异常层的情况下，能够将套刻精度控制在目标值附近。然而，在实际生产中有多种影响套刻精度的因素，其中当前批次的相邻前一层的制程工艺差异导致的相邻前一层曝光套刻精度异常时对目标层曝光套刻精度影响较大，传统技术并没有将此因素纳入考虑范围。请参阅图1，当前批次的相邻前一层出现异常层时，若以传统方法对当前批次曝光对象的目标层进行补偿，则会导致当前批次的目标层与相邻前一层对准偏差过大，会影响后续产品的制程；请参阅图2，采用传统的补偿方法在第五批次出现异常层时，无法对异常层的偏差进行补偿，导致第五批次、第六批次以及后续批次均出现过大偏差，以致后续产品均需重工。
30.基于上述问题，本技术提供一种曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统，以减小套刻过程中由于实际生产工艺因素产生的影响而导致的套刻偏差。
31.请参阅图3，为实现上述目的及其他相关目的，本技术的一方面提供了一种曝光套刻精度的控制方法，包括如下步骤：步骤s2：获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；步骤s4：根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值；步骤s6：根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。
32.于上述曝光套刻精度的控制方法中，首先，获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比，权重比的数值为0到1之间且包含边界值；其次，根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值，其中，计算所得的当前批次的目标层的目标补偿值与当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值、当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值及相邻前一层的曝光套刻精度量测值均相关，且当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积表示当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值对当前批次的目标层的目标补偿值所占影响程度的大小；然后，根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的
目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿，由上述方法所得到的当前批次的目标层的曝光套刻精度能够减小由当前批次的相邻前一层的制造工艺所产生的偏差，以增大当前批次的目标层的曝光套刻精度的稳定性。在传统技术中，当前批次的目标层的目标补偿值的计算方法通常为将当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值相减，此方法虽然考虑到了当前批次的相邻前一批次的制造工艺对当前批次的影响，但却未考虑到当前批次的相邻前一层对目标层的影响，导致在当前批次的相邻前一层出现异常时，没有及时将此影响纳入补偿，最终出现套刻精度偏差过大以致产品重工甚至导致器件失效。而本技术提供的曝光套刻精度的控制方法不仅考虑了当前批次的相邻前一批次的制造工艺所产生的影响，也考虑了当前批次的相邻前一层对目标层所产生的影响，更进一步将当前批次的相邻前一层的曝光套刻精度量测值对当前批次的目标层的目标补偿值所占影响程度纳入考虑因素，使得所获得的当前批次的目标层更加精准，减小了套刻偏差，确保了套刻精度的稳定性，并且减少了异常层对后续制造的产品产生的影响，降低产品重工率，以提升芯片的整体性能。
33.作为示例，请参阅图1-图5，在采用了本技术提供的曝光套刻精度的控制方法后，当前批次的相邻前一层出现异常层时，相比于图1中传统方法对当前批次曝光对象的目标层进行补偿，图4中采用本技术提供的控制方法所得到的当前批次的目标层与相邻前一层的偏差减小到标准偏差范围之内，不会影响后续产品的制程；同样，相比于图2中采用传统的补偿方法在第五批次出现异常层时的补偿值，图5中采用改进后的控制方法能够对异常层的偏差进行补偿，以使得第五批次、第六批次以及后续批次的偏差减小到标准偏差范围，保证了后续产品质量的稳定性。
34.作为示例，当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比r_n：r_n=（5qc_a1 6qc_n1-6qc_a1-5qc_n1）/6qc_a2；上式中，5qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a2为当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值。
35.作为示例，异常层的权重比r_n的获取方法可以包括：获取当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值、相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值、相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值、当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值以及当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值后，通过上述公式计算异常层的权重比r_n，以获得当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比，因此，本技术对于当前批次中曝光对象的目标层的获得，将其相邻前一层的偏差纳入考虑因素，使获得的产品性能更好。
36.作为示例，异常层的权重比r_n的获取方法还可以包括如下公式：5qc_a1’=5qc_a1-6qc_a1=5qc_n1-6qc_n1 r_n*6qc_a2上式中，5qc_a1’为异常层更佳的曝光套刻精度补偿值。具体地，异常层的权重比r_n的获取方法为：异常层更佳的曝光套刻精度补偿值为当前批次异常层的曝光套刻精度量测值与其补偿值的差值，以及异常层更佳的曝光套刻精度补偿值也为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值与其量测值的差值及异常层的权重比r_n与异常层的相邻前一
层的曝光套刻精度量测值的乘积之和，通过上述两个等式建立关系获取异常层的权重比r_n，进而获取当前批次中曝光对象的目标层的权重比，以对当前批次中曝光对象的目标层进行补偿，从而减小套刻偏差。
37.作为示例，异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；其中，第一预设标准阈值大于第二预设标准阈值。
38.作为示例，曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值均以十项补值形式呈现。
39.作为示例，十项补值的数据包括用于修正晶圆与曝光机台的补偿值数据和用于修正目标层曝光图案与相邻前一层曝光图案之间的补偿值数据。
40.请参阅图6，本技术的另一方面提供一种曝光套刻精度的控制装置，包括权重比获取模块10、计算模块20及补偿模块30；其中，权重比获取模块10用于获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；计算模块20用于根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值；补偿模块30用于根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。
41.请继续参阅图6，在上述曝光套刻精度的控制装置中，权重比获取模块10将获取到的当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比传输给计算模块20，计算模块20将收到的权重比与相邻前一层的曝光套刻精度量测值相乘，并与当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值相加，得到当前批次的目标层的目标补偿值并传输给补偿模块30，补偿模块30对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿以减小相邻前一层的偏差对目标层所造成的影响。
42.于上述曝光套刻精度的控制装置中，由计算获得的当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿，最终获得的当前批次的目标层比传统技术采用的曝光套刻精度的控制装置所获得的当前批次的目标层更为精准，传统技术中当前批次的目标层的目标补偿值的计算方法通常为将当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值相减，然而，当在实际生产过程中，当前批次的相邻前一层的制造过程有可能出现异常层，致使后续产品良率降低，传统的曝光套刻精度的控制装置未考虑到当前批次的相邻前一层对目标层的影响，导致在当前批次的相邻前一层出现异常时，出现套刻精度偏差过大以致后续产品重工甚至导致器件失效。本技术提供的控制装置兼顾考虑了当前批次的相邻前一批次的制造工艺所产生的影响以及当前批次的相邻前一层对目标层所产生的影响，进而使得所获得的当前批次的目标层偏差更小，对准精度更大，确保了套刻精度的稳定性，并且减少了异常层对后续制造的产品产生的影响，降低产品重工率以及提升半导体产品的良率。
43.作为示例，权重比获取模块中当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比r_n：r_n=（5qc_a1 6qc_n1-6qc_a1-5qc_n1）/6qc_a2；上式中，5qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5qc_n1为相邻前一
批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a1为当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a2为当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值。具体地，异常层的权重比r_n获取方法在上述实施例中已做阐述，在此不再赘述。
44.作为示例，异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；其中，第一预设标准阈值大于第二预设标准阈值。
45.请参阅图7，本技术的再一方面提供一种套刻系统，包括量测机台40、曝光机50以及本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制装置；其中，量测机台40用于获取当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值；曝光机50用于获取当前批次的相邻前一批次的曝光对象的曝光套刻精度补偿值；本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制装置与量测机台40及曝光机50均相连。
46.请继续参阅图7，在上述套刻系统中，量测机台40获取的当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值与曝光机50获取的当前批次的相邻前一批次的曝光对象的曝光套刻精度补偿值传输给曝光套刻精度的控制装置，控制装置对当前批次的曝光对象的目标层进行补偿，所形成的半导体结构的套刻偏差比传统套刻系统中形成的结构套刻偏差更小，所形成的图形更为精准，能够降低后续产品的重工率以及减小器件失效的可能。
47.本技术的又一方面提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制方法的步骤。
48.本技术的还一方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本技术实施例中任一项所述的曝光套刻精度的控制方法的步骤。
49.于上述实施例中的曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统中，所得到的当前批次的目标层的曝光套刻精度能够减小由当前批次的相邻前一层的制造工艺所产生的偏差，以增大当前批次的目标层的曝光套刻精度的稳定性，并且减少了异常层对后续制造的产品产生的影响，降低产品重工率并提升芯片的整体性能。其中，通过计算异常层的权重比r_n，以获得当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比，因此，本技术对于当前批次中曝光对象的目标层的获得，将其相邻前一层的偏差纳入考虑因素，使获得的产品性能更好。
50.请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本技术的限制。
51.应该理解的是，除非本文中有明确的说明，所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
52.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
53.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
54.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。