曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统与流程

技术特征：
1.一种曝光套刻精度的控制方法，其特征在于，包括：获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；根据所述当前批次的相邻前一批次的所述曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及所述相邻前一层的曝光套刻精度量测值与所述权重比的乘积，计算所述当前批次的目标层的目标补偿值；根据所述当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比r_n：r_n=（5qc_a1 6qc_n1-6qc_a1-5qc_n1）/6qc_a2；上式中，5qc_a1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a2为所述当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值。3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；其中，所述第一预设标准阈值大于所述第二预设标准阈值。4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述曝光套刻精度补偿值与所述曝光套刻精度量测值均以十项补值形式呈现。5.一种曝光套刻精度的控制装置，其特征在于，包括：权重比获取模块，用于获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；计算模块，用于根据所述当前批次的相邻前一批次的所述曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及所述相邻前一层的曝光套刻精度量测值与所述权重比的乘积，计算所述当前批次的目标层的目标补偿值；补偿模块，用于根据所述当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。6.根据权利要求5所述的控制装置，其特征在于，所述权重比获取模块中当前批次中曝光对象的目标层的权重比包括异常层的权重比r_n：r_n=（5qc_a1 6qc_n1-6qc_a1-5qc_n1）/6qc_a2；上式中，5qc_a1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度补偿值，5qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度补偿值，6qc_n1为相邻前一批次的异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a1为所述当前批次中异常层的曝光套刻精度量测值，6qc_a2为所述当前批次中异常层的相邻前一层的曝光套刻精度量测值。7.根据权利要求6所述的控制装置，其特征在于，所述异常层的曝光套刻精度量测值大于或等于第一预设标准阈值；正常层的曝光套刻精度量测值小于或等于第二预设标准阈值；
其中，所述第一预设标准阈值大于所述第二预设标准阈值。8.一种套刻系统，其特征在于，包括：量测机台，用于获取当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值；曝光机，用于获取当前批次的相邻前一批次的所述曝光对象的曝光套刻精度补偿值；以及权利要求5-7任一项所述的曝光套刻精度的控制装置，与所述量测机台及所述曝光机均相连。9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至4任一项所述的控制方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4任一项所述的控制方法的步骤。

技术总结
本申请涉及一种曝光套刻精度的控制方法、控制装置及套刻系统，控制方法包括：获取当前批次中曝光对象的目标层的曝光套刻精度量测值受其相邻前一层的曝光套刻精度补偿值影响的权重比；根据当前批次的相邻前一批次的曝光对象的目标层的曝光套刻精度补偿值与曝光套刻精度量测值的差值，及相邻前一层的曝光套刻精度量测值与权重比的乘积，计算当前批次的目标层的目标补偿值；根据当前批次的目标层的目标补偿值对当前批次的目标层的曝光套刻精度量测值进行补偿。上述控制方法进一步考虑了当前批次的相邻前一层对目标层所产生的影响，使得所获得的当前批次的目标层更加精准，减小套刻偏差，并且降低产品重工率，以提升芯片的整体性能。体性能。体性能。


技术研发人员：张亚楠 彭泽昌 黄风 江玲玲
受保护的技术使用者：合肥新晶集成电路有限公司
技术研发日：2022.11.01
技术公布日：2022/11/29