显示面板及其制造方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制造方法。


背景技术：

2.微发光二极管显示是目前最先进的显示技术之一，并且是未来显示技术的发展趋势。目前业界普遍的做法是：将微发光二极管单体巨量转移到印有控制电路的衬底上。巨量转移技术目前还不够成熟，是限制微发光二极管发展的一重要因素。主要限制是：1.单次微发光二极管单体转移数量较少，限制大尺寸应用；2.微发光二极管单体与控制电极的键合良率不够高，产品黑点率较高；3.键合后，坏点修复率不高。
3.因此，需提出一种新的巨量转移技术和显示面板制造方法，解决现有巨量转移技术转移困难、键合困难的问题。


技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制造方法，解决现有巨量转移技术转移困难、键合困难的问题。
5.为了解决上述技术问题，本技术提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板的制备方法，制备方法包括：
6.制备驱动基板；
7.在驱动基板的一侧制备第一平坦层；
8.在第一平坦层远离驱动基板的表面制备第一互斥层；第一互斥层与第一发光单元的出光面相互排斥；
9.在第一平坦层上开设第一凹槽，且第一凹槽裸露于第一互斥层；
10.将第一发光单元转移至第一凹槽内；
11.在第一平坦层远离驱动基板的一侧制备第二平坦层，第二平坦层覆盖第一发光单元；
12.在第二平坦层远离驱动基板的表面制备第二互斥层；第二互斥层与第二发光单元的出光面相互排斥；
13.在第二平坦层上开设第二凹槽，且第二凹槽裸露于第二互斥层；
14.将第二发光单元转移至第二凹槽内；
15.在第二平坦层远离驱动基板的一侧制备第三平坦层，第三平坦层覆盖第二发光单元；
16.在第三平坦层远离驱动基板的表面制备第三互斥层；第三互斥层与第三发光单元的出光面相互排斥；
17.在第三平坦层上开设第三凹槽，且第三凹槽裸露于第三互斥层；
18.将第三发光单元转移至第三凹槽内；其中，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元分别在驱动基板上的正投影不重叠；
19.在第三平坦层远离驱动基板的一侧制备过渡层，过渡层覆盖第三发光单元；
20.分别使第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的电极裸露。
21.其中，在第一平坦层上开设第一凹槽，且第一凹槽裸露于第一互斥层，之后还包括：
22.在第一凹槽内制备第一锚定层；第一锚定层与第一发光单元的出光面相互吸引；
23.将第一发光单元转移至第一凹槽内，包括：
24.将第一发光单元转移至第一凹槽，第一锚定层将第一发光单元固定于第一凹槽内。
25.其中，在第二平坦层上开设第二凹槽，且第二凹槽裸露于第二互斥层，之后包括：
26.在第二凹槽内制备第二锚定层；第二锚定层与第二发光单元的出光面相互吸引；
27.将第二发光单元转移至第二凹槽内，包括：
28.将第二发光单元转移至第二凹槽，第二锚定层将第二发光单元固定于第二凹槽内。
29.其中，在第三平坦层上开设第三凹槽，且第三凹槽裸露于第三互斥层，之后包括：
30.在第三凹槽内制备第三锚定层；第三锚定层与第三发光单元的出光面相互吸引；
31.将第三发光单元转移至第三凹槽内，包括：
32.将第三发光单元转移至第三凹槽；第三锚定层将第三发光单元固定于第三凹槽内。
33.其中，分别使第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的电极裸露，包括：
34.在过渡层上制备第一通孔和第二通孔；第一通孔分别使第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的电极裸露于过渡层；第二通孔使驱动基板的电极裸露于过渡层。
35.其中，分别使第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的电极裸露，之后还包括：
36.在第一通孔与第二通孔内制备电极引线，电极引线使第一发光单元、第二发光单元、第三发光单的电极分别与驱动基板的电极导通。
37.为了解决上述技术问题，本技术提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板，显示面板由上述的制备方法制得，显示面板包括：
38.驱动基板；
39.多层平坦层；设置于驱动基板的一侧；每层平坦层远离驱动基板的一侧设置有凹槽；
40.多层互斥层；设置于驱动基板的一侧；多层平坦层和多层互斥层在垂直于驱动基板的方向上交替且层叠设置，且互斥层与驱动基板间隔设置；凹槽对应连通一层互斥层；
41.发光元件，设置于凹槽；发光元件的出光面朝向靠近驱动基板的方向设置，且与互斥层相互排斥；发光元件包括分层设置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元分别在驱动基板上的投影不重叠。
42.其中，显示面板还包括多个锚定层，锚定层设置于凹槽内且与凹槽一一对应设置；锚定层与发光单元的出光面相互吸引，以将发光元件固定于凹槽内。
43.其中，锚定层的厚度为10μm～20μm，锚定层包括聚氨酯、氰基丙烯酸乙酯类、聚氨酯低聚体和丙烯酸脂中的至少一种。
44.其中，每层互斥层31的厚度为10μm～20μm，互斥层包括聚丙烯酸类材料。
45.本技术的有益效果：区别于现有技术，本技术提供了一种显示面板及其制造方法，通过在平坦层上设置互斥层，使得在转移发光单元时，由于互斥层与发光单元的出光面相互排斥，发光单元可以快速转移进凹槽内，降低转移难度，提升对位精度。其次，通过将第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元进行分次转移和分层设置，可以降低第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的转移难度，进一步提升定位精度。
附图说明
46.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
47.图1是本技术提供的显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图；
48.图2是图1中步骤s1至s16对应的结构示意图；
49.图3是图1中步骤s5一实施方式对应的流程示意图；
50.图4是图3中步骤s51至s52对应的结构示意图；
51.图5是图1中步骤s9一实施方式对应的流程示意图；
52.图6是图5中步骤s91至s92对应的结构示意图；
53.图7是图1中步骤s13一实施方式对应的流程示意图；
54.图8是图7中步骤s131至s132对应的结构示意图；
55.图9是本技术提供的显示面板第一实施例的结构示意图；
56.图10是本技术提供的驱动基板一实施例的结构示意图；
57.图11是本技术提供的第三互斥层、第三平坦层与第三凹槽一实施例的俯视结构示意图；
58.图12是本技术提供的第三互斥层、第三平坦层与第三凹槽其他实施例的俯视结构示意图；
59.图13是本技术提供的显示面板第二实施例的结构示意图。
60.附图标号说明：
61.驱动基板-1、衬底-11、驱动电路层-12、第一金属层-121、第一绝缘层-122、有源半导体层-123、第二金属层-124、第二绝缘层-125、平坦层-2、第一平坦层-21、第二平坦层-22、第三平坦层-23、互斥层-3、第一互斥层-31、第二互斥层-32、第三互斥层-33、凹槽-4、第一凹槽-41、第二凹槽-42、第三凹槽-43、锚定层-5、第一锚定层-51、第二锚定层-52、第三锚定层-53、发光元件-6、第一发光单元-61、第二发光单元-62、第三发光单元-63、过渡层-7、第一通孔-71、第二通孔-72、电极引线-8、显示面板-100。
具体实施方式
62.下面结合说明书附图，对本技术实施例的方案进行详细说明。
63.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术。
64.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
65.本技术中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
66.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
67.请参阅图1和图2，图1是本技术提供的显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图，图2是图1中步骤s1至s16对应的结构示意图。
68.本技术提供一种显示面板100的制备方法，显示面板100的制备方法的具体步骤如下所示：
69.s1：制备驱动基板。
70.具体地，驱动基板1包括衬底11，衬底11上设置有驱动电路层12，驱动电路层12用于驱动显示面板100发光。衬底11为透明基材，衬底11的透光率不低于95％，使得显示面板100的出光效果更好。衬底11的厚度为0.4mm～0.6mm。衬底11可以为蓝宝石、石英、硅和碳化硅中的一种或多种，此处不作过多限制。驱动电路层12为多层结构，且驱动电路层12至少包括5层结构。驱动电路层12包括电极(图未示)、多个扫描线(图未示)、多个数据线(图未示)和多个薄膜晶体管(tft)。驱动基板1还可以包括与驱动电路层12绑定的驱动芯片(图未示)。驱动电路层12可以是采用基于非晶硅、多晶硅、氧化物等技术的主动式驱动电路，也可以是进行走线的被动式驱动电路，此处不作限制，根据实际需求进行设计。
71.在本实施方式中，驱动电路层12包括依次层叠设置于衬底11的第一金属层121、第一绝缘层122、有源半导体层123、第二金属层124和第二绝缘层125。衬底11的厚度为0.4mm～0.6mm，第一金属层121的厚度为150nm～450nm，第二金属层124的厚度为150nm～450nm，第一绝缘层122的厚度为400nm～1000nm，第二绝缘层125的厚度为50μm～200μm，有源半导体层123的厚度为30nm～60nm。第一金属层121的材料和第二金属层124的材料可以是铜、铝或钼，也可以是其他金属。第一金属层121和第二金属层124的材料可以相同也可以不相同，此处不作限制。第一绝缘层122的材料可以是氧化硅，也可以是其他材料。第二绝缘层125的材料可以是氮化硅，也可以是其他材料。有源半导体层123的材料可以是非晶硅也可以是其
他材料。此处对驱动电路层12各层的材料和厚度不作限制，根据实际需求进行选择。在其他可选实施方式中，驱动电路层12也可以包括更多层结构，此处不作限制。
72.s2：在驱动基板的一侧制备第一平坦层。
73.具体地，在驱动基板1的一侧的表面设置第一平坦层21，第一平坦层21平铺驱动基板1的整个表面。第一平坦层21由透明绝缘材料制成，第一平坦层21可以是有机绝缘材料，也可以是其他材料，此处不做限制。
74.s3：在第一平坦层远离驱动基板的表面制备第一互斥层。
75.具体地，在第一平坦层21远离驱动基板1的表面制备第一互斥层31，第一互斥层31与第一发光单元61的出光面相互排斥。第一互斥层31可以平铺于第一平坦层21远离驱动基板1一侧的整个表面，也可以多个第一互斥层31间隔设置于第一平坦层21远离驱动基板1一侧的表面，此处不作限制。第一互斥层31由聚丙烯酸类材料制成。第一互斥层31的厚度为10μm～20μm。第一互斥层31的厚度太厚，浪费材料也不会提升第一互斥层31与第一发光单元61的出光面的互斥效果。第一互斥层31的厚度太薄，不足以使第一互斥层31与出光面互斥，互斥效果差。
76.s4：在第一平坦层上开设第一凹槽，且第一凹槽裸露于第一互斥层。
77.具体地，在第一平坦层21上开设第一凹槽41，且第一凹槽41裸露于第一互斥层31。第一凹槽41为多个，一个第一凹槽41对应设置一个第一发光单元61。第一凹槽41的高度不小于第一发光单元61的高度的一半，便于对第一凹槽41内的第一发光单元61进行限位。第一凹槽41的深度不能太深，也不能太浅。第一凹槽41的深度太深，不仅浪费材料增加制造成本，还会增加显示面板100的高度和后续步骤的工艺难度。第一凹槽41的深度太浅，不能很好的容置第一发光单元61，不利于对第一发光单元61的限位。
78.第一凹槽41的形状可以设置为矩形，也可以设置为其他形状。第一凹槽41的形状和深度可以根据实际需要以及第一发光单元61的尺寸进行设计。
79.s5：将第一发光单元转移至第一凹槽内，且第一发光单元的出光面与第一互斥层相互排斥。
80.具体地，先将第一发光单元61转移至第一凹槽41，由于第一互斥层31与第一发光单元61的出光面互斥，在微倾斜或微震动驱动基板1时，第一发光单元61可以快速进入第一凹槽41内，从而对要转移至第一平坦层21的第一发光单元61进行限位。
81.第一发光单元61的出光面与第一发光单元61设置有电极的表面相对设置，即第一发光单元61的出光面靠近驱动基板1设置。第一发光单元61的出光面由氮化镓或硅制成，在生产工艺过程中，会对出光面进行酸洗，酸洗后的出光面表现出极性，容易与极性分子基团亲和。第一互斥层31由聚丙烯酸类材料制成，聚丙烯酸表面的羧酸根离子与第一发光单元61的出光面的极性氢键通过静电力相互排斥，使得第一发光单元61不能固定于第一互斥层31。利用第一发光单元61的出光面的特性，不需要对出光面进行额外处理，就可以实现出光面与第一互斥层31互斥的效果，可以简化制作工艺。
82.第一发光单元61的一侧设置有两个电极，两个电极分别为第一发光单元61的阳极和阴极。第一发光单元61的两个电极朝向远离驱动基板1的方向设置。第一发光单元61为发光二极管，发光二极管的尺寸小于等于200μm。发光二极管可以为微米发光二极管(micro-led)或小型发光二极管(mini-led)，mini-led的尺寸为50μm～200μm，micro-led的尺寸小
于50μm。发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等，此处不作过多限制，根据实际需求进行选择。
83.在一实施方式中，将第一发光单元61转移至第一凹槽41内，且第一发光单元61的出光面与第一互斥层31相互排斥的具体步骤如下所示：
84.请参阅图3和图4，图3是图1中步骤s5一实施方式对应的流程示意图，图4是图3中步骤s51至s52对应的结构示意图。
85.s51：在第一凹槽内制备第一锚定层；第一锚定层与第一发光单元的出光面相互吸引。
86.具体地，在第一凹槽41内制备第一锚定层51，第一锚定层51与第一发光单元61的出光面相互吸引，用于将第一发光单元61固定于第一凹槽41内。在平行于驱动基板1的方向上，第一锚定层51的横截面积可以小于第一凹槽41底壁的横截面积，只要满足能将第一发光单元61固定于第一凹槽41内即可。第一锚定层51也可以平铺第一凹槽41的整个底壁，也可以设置于第一凹槽41的底壁和侧壁上，此处不作限制。第一锚定层51可以由聚氨酯、氰基丙烯酸乙酯类、聚氨酯低聚体和丙烯酸脂中的至少一种材料制成。在低于100℃的环境下或紫外光照射时，第一锚定层51的表面功能基团极化，吸引第一发光单元61的出光面中的极性氢键，以实现将第一发光单元61与第一锚定层51固定连接，进而对第一发光单元61进行限位。第一锚定层51的厚度为10μm～20μm。第一锚定层51的厚度太厚，浪费材料也不会提升第一锚定层51与出光面的吸引效果。第一锚定层51的厚度太薄，不足以使第一锚定层51与出光面相互吸引，吸引效果差。
87.s52：将第一发光单元转移至第一凹槽，第一锚定层将第一发光单元固定于第一凹槽内。
88.具体地，先将第一发光单元61转移至第一凹槽41内，由于第一互斥层31与第一发光单元61的出光面互斥，使得第一发光单元61可以顺利进入第一凹槽41内，由于第一锚定层51与第一发光单元61的出光面相互吸引，可以将第一发光单元61固定于第一凹槽41内，从而对要转移至第一平坦层21的第一发光单元61进行限位，防止第一发光单元61产生横向位移，进而降低第一发光单元61的转移难度以及提升第一发光单元61的定位精度。利用第一发光单元61的出光面的特性，不需要对出光面进行额外处理，就可以实现出光面与第一锚定层51相互吸引的效果，可以简化制作工艺。
89.s6：在第一平坦层远离驱动基板的一侧制备第二平坦层，第二平坦层覆盖第一发光单元。
90.具体地，在第一平坦层21远离驱动基板1的一侧制备第二平坦层22，且第二平坦层22覆盖第一发光单元61。第二平坦层22远离驱动基板1的一侧的表面平坦化。第二平坦层22由透明绝缘材料制成，第二平坦层22的材料与第一平坦层21的材料可以相同，也可以不同，此处不作过多限制。
91.s7：在第二平坦层远离驱动基板的表面制备第二互斥层。
92.步骤s7与步骤s3相似，请参照步骤s3，此处不再赘述。
93.在本实施方式中，第一凹槽41内未设置第一锚定层51，在其他可选实施方式中，第一凹槽41内可以设置第一锚定层51，此处不作限制。
94.s8：在第二平坦层上开设第二凹槽，且第二凹槽裸露于第二互斥层。
95.步骤s8与步骤s4相似，请参照步骤s4，此处不再赘述。
96.进一步地，第一凹槽41与第二凹槽42在驱动基板1上的正投影不重叠。
97.s9：将第二发光单元转移至第二凹槽内，且第二发光单元的出光面与第二互斥层相互排斥。
98.步骤s9与步骤s5相似，以及第二发光单元62的出光面和第二互斥层32的互斥原理与第一发光单元61和第一互斥层31的互斥原理相同，请参照步骤s5，此处不再赘述。
99.进一步地，第一凹槽41与第二凹槽42在驱动基板1上的正投影不重叠，使得第二发光单元62与第一发光单元61在驱动基板1的正投影不重叠。第二发光单元62与第一发光单元61均为发光二极管，且发光二极管的尺寸小于等于200μm。第二发光单元62的类型与第一发光单元61的类型和/或尺寸可以相同，也可以均不相同，根据实际需求进行设计。在本实施方式中，第二发光单元62与第一发光单元61的类型和尺寸均相同，只是第二发光单元62与第一发光单元61发出的光的颜色不同。
100.在一实施方式中，将第二发光单元62转移至第二凹槽42内，且第二发光单元62的出光面与第二互斥层32相互排斥的具体步骤如下所示：
101.请参阅图5和图6，图5是图1中步骤s9一实施方式对应的流程示意图，图6是图5中步骤s91至s92对应的结构示意图。
102.s91：在第二凹槽内制备第二锚定层；第二锚定层与第二发光单元的出光面相互吸引。
103.步骤s91与步骤s51相似，以及第二发光单元62的出光面和第二锚定层52相互吸引的原理与第一发光单元61和第一锚定层51相互吸引的原理相同，请按照步骤s51，此处不再赘述。
104.s92：将第二发光单元转移至第二凹槽，第二锚定层将第二发光单元固定于第二凹槽内。
105.步骤s92与步骤s52相似，请按照步骤s52，此处不再赘述。
106.s10：在第二平坦层远离驱动基板的一侧制备第三平坦层，第三平坦层覆盖第二发光单元。
107.具体地，在第二平坦层22远离驱动基板1的一侧制备第三平坦层23，且第三平坦层23覆盖第二发光单元62。第三平坦层23远离驱动基板1的一侧的表面平坦化。第三平坦层23由透明绝缘材料制成，第三平坦层23的材料与第一平坦层21的材料可以相同，也可以不同，过渡层7的材料与第二平坦层22的材料可以相同，也可以不同，此处不作过多限制。
108.s11：在第三平坦层远离驱动基板的表面制备第三互斥层。
109.步骤s11与步骤s3相似，请参照步骤s3，此处不再赘述。
110.s12：在第三平坦层上开设第三凹槽，且第三凹槽裸露于第三互斥层。
111.步骤s12与步骤s4相似，请参照步骤s4，此处不再赘述。
112.s13：将第三发光单元转移至第三凹槽内，且第三发光单元的出光面与第三互斥层相互排斥；其中，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元分别在驱动基板上的正投影不重叠。
113.步骤s13与步骤s5相似，以及第三发光单元63的出光面与第三互斥层33的互斥原
理与第一发光单元61与第一互斥层31的互斥原理相同，请参照步骤s5，此处不再赘述。
114.进一步地，第一凹槽41、第二凹槽42以及第三凹槽43分别在驱动基板1上的正投影不重叠，使得第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63分别在驱动基板1上的正投影不重叠。
115.在一实施方式中，将第三发光单元63转移至第二凹槽42内，且第三发光单元63的出光面与第三互斥层33相互排斥的具体步骤如下所示：
116.请参阅图7和图8，图7是图1中步骤s13一实施方式对应的流程示意图，图8是图7中步骤s131至s132对应的结构示意图。
117.s131：在第三凹槽内制备第三锚定层；第三锚定层与第三发光单元的出光面相互吸引。
118.步骤s131与步骤s51相似，以及第三发光单元63的出光面和第三锚定层53相互吸引的原理与第一发光单元61和第一锚定层51相互吸引的原理相同，请按照步骤s51，此处不再赘述。
119.s132：将第三发光单元转移至第三凹槽，第三锚定层将第三发光单元固定于第三凹槽内。
120.步骤s132与步骤s52相似，请按照步骤s52，此处不再赘述。
121.s14：在第三平坦层远离驱动基板的一侧制备过渡层，过渡层覆盖第三发光单元。
122.具体地，在第三平坦层23远离驱动基板1的一侧制备过渡层7，且过渡层7覆盖第三发光单元63。过渡层7远离驱动基板1的一侧的表面平坦化。过渡层7由绝缘材料制成。
123.s15：分别使第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的电极裸露。
124.具体地，在过渡层7上制备第一通孔71和第二通孔72。第一通孔71分别使第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63的电极裸露于过渡层7。第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63均属于发光元件6，并经驱动基板1驱动发光。第一通孔71和第二通孔72均为多个且均间隔设置。一个第二通孔72对应发光元件6的一个电极设置。
125.s16：在第一通孔与第二通孔内制备电极引线，电极引线使第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元的电极分别与驱动基板的电极导通。
126.具体地，在第一通孔71与第二通孔72内制备电极引线8，电极引线8使第一发光单元61、第二发光单元62、第三发光单元63的电极分别与驱动基板1的电极导通。电极引线8的一端电连接驱动基板1的电极，另一端电连接发光元件6的一个电极。一个电极引线8对应一个第一通孔71和一个第二通孔72设置。电极引线8可以是金属材质，也可以是氧化铟锡(ito)，此处不作限制，根据实际需求进行选择。每个电极引线8可以是一体成型结构，也可以分为两部分。每个电极引线8是一体成型结构时，每个电极引线8通过一道沉积工艺制成。每个电极引线8均包括两部分时，可以先在第一通孔71内制备电极引线8的一部分，再在第二通孔72内制备电极引线8的另一部分，并使电极引线8的两部分免焊线连接。这两部分的材料可以相同也可以不同。通过在第一通孔71和第二通孔72内制备电极引线8，实现驱动基板1与发光元件6的电连接，可以减少焊线工艺和降低键合难度，进而提高键合良率。在其他实施方式中，电极引线8的两部分也可以通过焊线连接。
127.本技术提供一种显示面板100的制备方法，制备方法包括制备驱动基板1；在驱动基板1的一侧制备第一平坦层21；将第一发光单元61转移至第一平坦层21；在第一平坦层21
远离驱动基板1的一侧制备第二平坦层22，第二平坦层22覆盖第一发光单元61；将第二发光单元62转移至第二平坦层22；在第二平坦层22远离驱动基板1的一侧制备第三平坦层23，第三平坦层23覆盖第二发光单元62；将第三发光单元63转移至第三平坦层23；其中，第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63分别在驱动基板1上的正投影不重叠；在过渡层7远离驱动基板1的一侧制备过渡层7，过渡层7覆盖第三发光单元63；分别使第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63的电极裸露。通过将第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63进行分次转移和分层设置，可以降低第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63的转移难度，提升定位精度。
128.请参阅图9，图9是本技术提供的显示面板第一实施例的结构示意图。
129.本技术提供一种显示面板100，显示面板100包括驱动基板1、多层平坦层2、多层互斥层3、凹槽4、发光元件6、过渡层7和电极引线8。多层平坦层2设置于驱动基板1的一侧。每层平坦层2远离驱动基板1的一侧设置有凹槽4。多层互斥层3设置于驱动基板1的一侧，平坦层2和互斥层3在垂直于驱动基板1的方向上交替且层叠设置，且互斥层3与驱动基板1间隔设置。凹槽4设置于每层平坦层2远离所述驱动基板1的一侧，且对应连通一层互斥层3。发光元件6设置于凹槽4。过渡层7设置于平坦层2和互斥层3远离驱动基板1的一侧。电极引线8的两端分别连接驱动基板1的电极和发光元件6的电极，用于将驱动基板1与发光元件6导通，使得驱动基板1能驱动发光元件6发光。
130.驱动基板1包括衬底11，衬底11上设置有驱动电路层12，驱动电路层12用于驱动显示面板100发光。衬底11为透明基板，衬底11的透光率不低于95％，使得显示面板100的出光效果更好。衬底11的厚度为0.4mm～0.6mm。衬底11可以为蓝宝石、石英、硅和碳化硅中的一种或多种，此处不作过多限制。驱动电路层12为多层结构，且驱动电路层12至少包括5层结构。驱动电路层12包括电极(图未示)、多个扫描线(图未示)、多个数据线(图未示)和多个薄膜晶体管(tft)。驱动基板1还可以包括与驱动电路层12绑定的驱动芯片(图未示)。驱动电路层12可以是采用基于非晶硅、多晶硅、氧化物等技术的主动式驱动电路，也可以是进行走线的被动式驱动电路，此处不作限制，根据实际需求进行设计。
131.请参阅图10，图10是本技术提供的驱动基板一实施例的结构示意图。
132.在一实施例中，驱动电路层12包括依次层叠设置于衬底11的第一金属层121、第一绝缘层122、有源半导体层123、第二金属层124和第二绝缘层125。衬底11的厚度为0.4mm～0.6mm，第一金属层121的厚度为150nm～450nm，第二金属层124的厚度为150nm～450nm，第一绝缘层122的厚度为400nm～1000nm，第二绝缘层125的厚度为50μm～200μm，有源半导体层123的厚度为30nm～60nm。第一金属层121的材料和第二金属层124的材料可以是铜、铝或钼，也可以是其他金属。第一金属层121和第二金属层124的材料可以相同，也可以不相同，此处不作限制。第一绝缘层122的材料可以是氧化硅，也可以是其他材料。第二绝缘层125的材料可以是氮化硅，也可以是其他材料。有源半导体层123的材料可以是非晶硅也可以是其他材料。此处对驱动电路层12各层的材料和厚度不作限制，根据实际需求进行选择。
133.请参阅图11，图11是本技术提供的第三互斥层、第三平坦层与第三凹槽一实施例的俯视结构示意图。
134.多层平坦层2包括第一平坦层21、第二平坦层22和第三平坦层23。互斥层3包括第一互斥层31、第二互斥层32和第三互斥层33。第一平坦层21、第一互斥层31、第二平坦层22、
第二互斥层32、第三平坦层23和第三互斥层33依次层叠设置于驱动基板1上。第一平坦层21、第二平坦层22和第三平坦层23均由透明绝缘材料制成，第一平坦层21可以是有机绝缘材料，也可以是其他材料，此处不作限制。第一互斥层31、第二互斥层32和第三互斥层33均由聚丙烯酸类材料制成。互斥层3的厚度为10μm～20μm。互斥层3的厚度太厚，浪费材料也不会提升互斥层3与发光元件6的出光面的互斥效果。互斥层3的厚度太薄，不足以使互斥层3与发光元件6的出光面互斥，互斥效果差。利用发光元件6的出光面的特性，不需要对出光面进行额外处理，就可以实现发光元件6的出光面与互斥层3互斥的效果，可以简化制作工艺。在本实施例中，每层互斥层3平铺对应的平坦层2远离驱动基板1一侧的整个表面并裸露在该平坦层2上设置的凹槽4。
135.凹槽4包括第一凹槽41、第二凹槽42和第三凹槽43，第一凹槽41设置于第一平坦层21远离驱动基板1的一侧且连通第一互斥层31，第二凹槽42设置于第二平坦层22远离驱动基板1的一侧且连通第二互斥层32，第三凹槽43设置于第三平坦层23远离驱动基板1的一侧且连通第三互斥层33，第一凹槽41、第二凹槽42和第三凹槽43均为多个，且分别在驱动基板1上的正投影不重叠。一个凹槽4对应设置一个发光元件6，凹槽4的高度不小于发光元件6的高度的一半。凹槽4的深度不能太深，凹槽4的深度太深，不仅浪费材料增加制造成本，还会增加显示面板100的高度和后续步骤的工艺难度。凹槽4的深度太浅，不能很好的容置发光元件6，不利于对发光元件6的限位。凹槽4的形状可以设置为矩形，也可以设置为其他形状。凹槽4的形状和深度可以根据实际需要以及发光元件6的尺寸进行设计。
136.请参阅图12，图12是本技术提供的第三互斥层、第三平坦层与第三凹槽其他实施例的俯视结构示意图。
137.在其他实施例中，第三互斥层33可以间隔设置于第三平坦层23远离驱动基板1一侧的表面。第三凹槽43可以对应第三互斥层33设置，且第三互斥层33环绕第三凹槽43设置，其中，在平行于第三平坦层23的方向上，第三凹槽43与第三互斥层33可以有间隙，也可以无间隙。第三互斥层33的形状可以是环形，也可以是不规则图形，此处不作限制。应当可以理解，第三互斥层33的设置方式，也同样适用于第二互斥层32和第一互斥层31。第三互斥层33、第二互斥层32和第一互斥层31的设置方式可以相同，也可以不同。
138.发光元件6包括分层设置的第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63。第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63分别在驱动基板1上的正投影不重叠，从而不影响显示面板100的发光效果。发光元件6为发光二极管，发光二极管的尺寸小于等于200μm。发光二极管可以为微米发光二极管(micro-led)或小型发光二极管(mini-led)。第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63的类型和/或尺寸可以相同，也可以均不相同，根据实际需求进行选择。在本实施例中，第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63的类型和尺寸均相同，第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63发出的光的颜色各不相同。第一发光单元61设置于第一凹槽41，第二发光单元62设置于第二凹槽42，第三发光单元63设置于第三凹槽43，且第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63的出光面均朝向驱动基板1设置，发光元件6设置有电极的表面与出光面相对设置。发光元件6的出光面与互斥层3相互排斥，使得在转移发光元件6时发光元件6可以迅速进入凹槽4，进而提高发光元件6的定位精度。发光单元的出光面由氮化镓或硅制成，在生产工艺过程中，会对出光面进行酸洗，酸洗后的出光面表现出极性，容易与极性分子基团亲
和。由于互斥层3由聚丙烯酸类材料制成，聚丙烯酸表面的羧酸根离子与发光单元的出光面的极性氢键通过静电力相互排斥，使得发光单元不能固定于互斥层3。利用发光元件6的出光面的特性，不需要对出光面进行额外处理，就可以实现发光元件6的出光面与互斥层3互斥的效果，可以简化制作工艺。
139.过渡层7设置于第三互斥层33远离驱动基板1的一侧，封装第三发光单元63。过渡层7由绝缘材料制成。过渡层7上开设有间隔设置的第一通孔71和第二通孔72。驱动基板1的电极裸露于第一通孔71，发光元件6的电极裸露于第二通孔72。第一通孔71和第二通孔72均为多个，一个第二通孔72对应发光元件6的一个电极。
140.电极引线8设置于第一通孔71和第二通孔72中，电极引线8的一端电连接驱动基板1的电极，另一端电连接发光元件6的一个电极。一个电极引线8对应一个第一通孔71和一个第二通孔72设置。电极引线8可以是金属材质，也可以是氧化铟锡(ito)，此处不作限制，根据实际需求进行选择。在本实施例中，电极引线8为一体成型结构，通过在第一通孔71和第二通孔72内设置电极引线8，实现驱动基板1与发光元件6的电连接，可以减少焊线工艺和降低键合难度，进而提高键合良率。在其他可选实施例中，每个电极引线8可以包括两部分，第一部分设置于第一通孔71内，第二部分设置于第二通孔72内，并与第一部分连接。第一部分和第二部分的材料可以相同，也可以不相同。
141.请参阅图13，图13是本技术提供的显示面板第二实施例的结构示意图。
142.本技术提供的驱动基板1第二实施例与本技术提供的驱动基板1第一实施例的结构基本相同，不同之处在于：驱动基板1还包括锚定层5。
143.驱动基板1还包括锚定层5，锚定层5设置于凹槽4内，以将发光元件6固定于凹槽4。锚定层5包括第一锚定层51、第二锚定层52和第三锚定层53。第一锚定层51设置于第一凹槽41内，第二锚定层52设置于第二凹槽42内，第三锚定层53设置于第三凹槽43内，一个锚定层5对应设置于一个凹槽4内。锚定层5设置于凹槽4的底壁。锚定层5与发光元件6的出光面相互吸引，用于将发光元件6固定于凹槽4内。在锚定层5与互斥层3的相互配合下，在转移发光元件6时，可以快速对发光元件6进行限位，防止发光元件6产生横向位移，进而降低发光元件6的转移难度以及提升发光元件6的定位精度。锚定层5可以由聚氨酯、氰基丙烯酸乙酯类、聚氨酯低聚体和丙烯酸脂中的至少一种材料制成。在低于100℃的环境下或紫外光照射时，锚定层5的表面功能基团极化，吸引发光元件6的出光面中的极性氢键，以实现将发光元件6与锚定层5固定连接，进而对发光单元进行限位。锚定层5的厚度为10μm～20μm。锚定层5的厚度太厚，浪费材料也不会提升锚定层5与出光面的吸引效果。锚定层5的厚度太薄，不足以使锚定层5与出光面相互吸引，吸引效果差。利用发光元件6的出光面的特性，不需要对出光面进行额外处理，就可以实现发光元件6的出光面与锚定层5相互吸引的效果，可以简化制作工艺。在本实施例中，每个凹槽4内均设置有锚定层5，在其他可选实施例中，可以部分凹槽4内设置有锚定层5，部分凹槽4内不设置锚定层5，根据实际需求进行设计，此处不作限制。
144.本技术提供一种显示面板100，显示面板100由上述的制备方法制得。显示面板100包括驱动基板1、多层平坦层2、多层互斥层3、多个凹槽4、发光元件6和锚定层5。多层平坦层2和多层互斥层3设置于驱动基板1的一侧；平坦层2和互斥层3在垂直于驱动基板1的方向上交替且层叠设置；互斥层3与驱动基板1间隔设置；多个凹槽4间隔设置于平坦层2远离驱动
基板1的一侧；发光元件6设置于凹槽4；发光元件6的出光面朝向驱动基板1设置，且与互斥层3相互排斥；发光元件6包括分层设置的第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63；第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63分别在驱动基板1上的投影不重叠；锚定层5设置于凹槽4内，锚定层5与发光元件6的出光面相互吸引。通过将第一发光单元61、第二发光单元62和第三发光单元63进行分次转移和分层设置，以及设置互斥层3和锚定层5，可以对要转移的发光元件6快速定位，可以降低发光元件6的转移难度，提升定位精度。
145.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利保护范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。