三维存储器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；叠层结构，设置于所述衬底上；以及沟道结构，贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中；栅线间隙结构，贯穿所述叠层结构，并包括在平行于所述衬底的第一方向上间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中，所述第一栅线间隙结构在所述第一方向的尺寸小于所述第二栅线间隙结构在所述第一方向的尺寸。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一栅线间隙结构在垂直于所述第一方向的第二方向延伸，并包括第一栅线间隙以及完全填充所述第一栅线间隙的多晶硅层。3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一栅线间隙结构还包括设置在所述第一栅线间隙与所述多晶硅层之间的氧化层。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二栅线间隙结构在垂直于所述第一方向的第二方向延伸，并包括第二栅线间隙以及设置在所述第二栅线间隙内的填充层。5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述填充层为绝缘介电层。6.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第二栅线间隙结构还包括设置在所述第二栅线间隙与所述填充层之间的阻隔层。7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底依次包括：盖层、导电层、支撑层和衬底介电层，其中，所述盖层靠近所述叠层结构；所述导电层延伸穿过所述沟道结构的沟道层的侧面部分；以及在所述衬底的、与所述第一栅线间隙结构和所述第二栅线间隙结构对应的位置设置有源极触点，所述源极触点从所述衬底的、远离所述叠层结构的一侧引出。8.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；叠层结构，设置于所述衬底上；以及沟道结构，贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中；栅线间隙结构，贯穿所述叠层结构，并包括在平行于所述衬底的第一方向上间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中，所述第一栅线间隙结构包括多晶硅层；以及所述第二栅线间隙结构包括电介质材料层或者导电材料层。9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述第一栅线间隙结构还包括第一栅线间隙，其中，所述多晶硅层完全填充于所述第一栅线间隙。10.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，
所述第一栅线间隙结构在所述第一方向的尺寸小于所述第二栅线间隙结构在所述第一方向的尺寸。11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一栅线间隙结构还包括设置在所述第一栅线间隙与所述多晶硅层之间的氧化层。12.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述第二栅线间隙结构还包括第二栅线间隙以及设置在所述第二栅线间隙内的填充层，其中，所述填充层包括所述电介质材料层或者所述导电材料层。13.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述填充层为绝缘介电层。14.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述第二栅线间隙结构还包括设置在所述第二栅线间隙与所述填充层之间的阻隔层。15.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述衬底依次包括：盖层、导电层、支撑层和衬底介电层，其中，所述盖层靠近所述叠层结构；所述导电层延伸穿过所述沟道结构的沟道层的侧面部分；以及在所述衬底的、与所述第一栅线间隙结构和所述第二栅线间隙结构对应的位置设置有源极触点，所述源极触点从所述衬底的、远离所述叠层结构的一侧引出。

技术总结
本申请提供了一种三维存储器。三维存储器包括：衬底、叠层结构、沟道结构以及栅线间隙结构。叠层结构设置于衬底上，沟道结构贯穿叠层结构并延伸至衬底中。栅线间隙结构贯穿叠层结构，并包括在平行于衬底的第一方向上间隔设置的第一栅线间隙结构和第二栅线间隙结构，其中第一栅线间隙结构在第一方向的尺寸小于第二栅线间隙结构在第一方向的尺寸。栅线间隙结构在第一方向的尺寸。栅线间隙结构在第一方向的尺寸。


技术研发人员：张坤 周文犀 吴林春 孔翠翠
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2022/11/29