液晶显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种液晶显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.现有液晶显示器件为了提高显示器件的视角、亮度、对比度和响应速度，会采用ffs(fringe field switching，边缘场开关技术)技术。在液晶显示器件中，为了减小寄生电容，会将绝缘层的厚度增大，但这种设计会导致液晶显示器件的存储电容较小，相应的液晶显示器件需要较高的驱动电压，导致液晶显示器件的功耗较高。
3.所以，现有液晶显示器件存在无法兼顾寄生电容较小和功耗较低的要求的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种液晶显示面板及其制备方法，用以缓解现有液晶显示器件存在无法兼顾寄生电容较小和功耗较低的要求的技术问题。
5.本技术实施例提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括：
6.衬底；
7.第一电极层，设置于所述衬底一侧；
8.第二电极层，设置于所述第一电极层远离所述衬底的一侧；
9.绝缘层，设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间；
10.其中，所述液晶显示面板包括开口区和非开口区，所述开口区内所述绝缘层的厚度小于所述非开口区内所述绝缘层的厚度。
11.在一些实施例中，所述绝缘层包括钝化层，所述钝化层设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述开口区内所述钝化层的厚度小于所述非开口区内所述钝化层的厚度。
12.在一些实施例中，所述液晶显示面板还包括栅极层、有源层和源漏极层，所述栅极层设置于所述衬底与所述第一电极层之间，所述有源层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层设置于所述有源层远离所述栅极层的一侧，所述钝化层设置于所述源漏极层与所述第二电极层之间，所述源漏极层与所述第二电极层之间的间距大于所述第一电极层与所述第二电极层之间的间距。
13.在一些实施例中，所述第一电极层与所述第二电极层之间的间距范围为所述源漏极层与所述第二电极层之间的间距的六分之一至二分之一。
14.在一些实施例中，所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层，所述栅极绝缘层设置于所述第一电极层和所述钝化层之间，所述钝化层设置于所述栅极绝缘层和所述第二电极层之间，所述开口区内所述栅极绝缘层和所述钝化层的厚度之和小于所述非开口区内所述栅极绝缘层和所述钝化层的厚度之和。
15.在一些实施例中，所述开口区内所述栅极绝缘层的厚度等于所述非开口区内所述
栅极绝缘层的厚度，所述开口区内所述钝化层的厚度小于所述非开口区内所述钝化层的厚度。
16.在一些实施例中，所述开口区内所述栅极绝缘层的厚度小于所述非开口区内所述栅极绝缘层的厚度。
17.在一些实施例中，所述开口区内所述钝化层的厚度小于或者等于所述非开口区内所述钝化层的厚度。
18.在一些实施例中，所述开口区内所述栅极绝缘层的厚度大于所述非开口区内所述栅极绝缘层的厚度，所述开口区内所述钝化层的厚度小于所述非开口区内所述钝化层的厚度。
19.同时，本技术实施例提供一种液晶显示面板制备方法，该液晶显示面板制备方法包括：
20.提供衬底；
21.在所述衬底上形成第一电极层；
22.在所述第一电极层上沉积绝缘层，并在所述绝缘层上形成光阻层；
23.采用半透光光罩对所述光阻层进行显影和蚀刻，得到第一光阻部分、第二光阻部分和无光阻部分，其中，所述第二光阻部分对应开口区设置，所述第一光阻部分对应非开口区设置，所述无光阻部分的厚度为零，所述第二光阻部分的厚度小于所述第一光阻部分的厚度；
24.对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔；所述过孔对应所述无光阻部分；
25.去除所述第二光阻部分；
26.对所述第二光阻部分对应区域的所述绝缘层进行刻蚀，以使得与所述第二光阻部分对应的所述开口区内所述绝缘层的厚度小于与所述第一光阻部分对应的所述非开口区内所述绝缘层的厚度；
27.去除所述第一光阻部分，并在所述绝缘层上形成第二电极层，得到液晶显示面板。
28.有益效果：本技术提供一种液晶显示面板及其制备方法；该液晶显示面板包括衬底、第一电极层、第二电极层和绝缘层，第一电极层设置于衬底一侧，第二电极层设置于第一电极层远离衬底的一侧，绝缘层设置于第一电极层和第二电极层之间，其中，液晶显示面板包括开口区和非开口区，开口区内绝缘层的厚度小于非开口区内绝缘层的厚度。本技术通过使开口区内绝缘层的厚度小于非开口区内绝缘层的厚度，则可以增大开口区内的第一电极层和第二电极层之间的存储电容，减小液晶显示面板的驱动电压，降低功耗；同时，非开口区内绝缘层的厚度大于开口区内绝缘层的厚度，则非开口区内的电极或者走线之间的间距较大，使寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
附图说明
29.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
30.图1为本技术实施例提供的液晶显示面板的第一种示意图。
31.图2为本技术实施例提供的液晶显示面板的第二种示意图。
32.图3为本技术实施例提供的液晶显示面板的第三种示意图。
33.图4为本技术实施例提供的液晶显示面板制备方法的流程图。
34.图5为本技术实施例提供的液晶显示面板制备方法的流程中的各步骤对应的液晶显示面板的第一种示意图。
35.图6为本技术实施例提供的液晶显示面板制备方法的流程中的各步骤对应的液晶显示面板的第二种示意图。
36.图7为本技术实施例提供的半透光光罩的示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
38.本技术实施例针对现有液晶显示器件存在无法兼顾寄生电容较小和功耗较低的要求的技术问题，提供一种液晶显示面板及其制备方法，用以缓解上述技术问题。
39.在本技术实施例中，第一电极层和第二电极层之间的存储电容的大小等于位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层的介电常数、真空介电常数、第一电极层和第二电极层的相对面积的乘积除以位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层的厚度；存储电容的电荷量等于存储电容的大小乘以像素驱动电压，则可以知道像素驱动电压与第一电极层和第二电极层之间的绝缘层的厚度成正比，在第一电极层和第二电极层之间的绝缘层的厚度越大时，需要的像素驱动电压越大，导致液晶显示面板的功耗较高。而对于寄生电容，绝缘层的厚度越大，寄生电容越小，因此，现有技术无法兼顾寄生电容和功耗。本技术实施例通过使开口区内绝缘层的厚度小于非开口区绝缘层的厚度，使开口区的存储电容较大，减小像素驱动电压，减小功耗，同时，非开口区的寄生电容较小，兼顾了寄生电容较小和功耗较低的要求。
40.如图1所示，本技术实施例提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板1包括：衬底11、第一电极层16、第二电极层18和绝缘层(例如图1中的钝化层17)，第一电极层16设置于所述衬底11一侧，第二电极层18设置于所述第一电极层16远离所述衬底11的一侧；绝缘层设置于所述第一电极层16和所述第二电极层18之间；其中，所述液晶显示面板1包括开口区191a和非开口区191b，所述开口区191a内所述绝缘层的厚度(例如图1中开口区191a内钝化层17的厚度h1)小于所述非开口区191b内所述绝缘层的厚度(例如图1中非开口区191b内钝化层17的厚度h2)。
41.如图1所示，本技术实施例提供一种液晶显示面板1，该液晶显示面板1通过使开口区191a内绝缘层的厚度小于非开口区191b内绝缘层的厚度，则可以增大开口区191a内的第一电极层16和第二电极层18之间的存储电容，减小液晶显示面板1的驱动电压，降低功耗；同时，非开口区191b内绝缘层的厚度大于开口区191a内绝缘层的厚度，则非开口区191b内的电极和走线之间的间距较大，使寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
42.在一种实施例中，如图1所示，所述绝缘层包括钝化层17，所述钝化层17设置于所述第一电极层16和所述第二电极层18之间，所述开口区191a内所述钝化层17的厚度h1小于
所述非开口区191b内所述钝化层17的厚度h2。通过使开口区内钝化层的厚度小于非开口区内钝化层的厚度，则第一电极层和第二电极层之间的间距较小，存储电容较大，可以减小液晶显示面板的像素驱动电压，同时位于非开口区内钝化层的厚度较大，第二电极层与其他金属形成的寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的存储电容较小和寄生电容较小的要求。
43.具体的，从图1中可以看到，在开口区191a，第一电极层16和第二电极层18之间的钝化层的厚度较小，使得第一电极层16和第二电极层18形成的存储电容较大，相应的液晶显示面板的像素驱动电压较小，液晶显示面板的功耗较低。同时，在非开口区191b，第二电极层18与源漏极层15之间的钝化层的厚度较大，使第二电极层18与源漏极层15的寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
44.针对液晶显示面板无法兼顾寄生电容较小和功耗较低的要求。在一种实施例中，如图1所示，所述液晶显示面板1还包括栅极层12、有源层14和源漏极层15，所述栅极层12设置于所述衬底11与所述第一电极层16之间，所述有源层14设置于所述栅极层12远离所述衬底11的一侧，所述源漏极层15设置于所述有源层14远离所述栅极层12的一侧，所述钝化层17设置于所述源漏极层15与所述第二电极层18之间，所述源漏极层15与所述第二电极层18之间的间距(在图1中为非开口区191b内钝化层17的厚度h2)大于所述第一电极层16与所述第二电极层18之间的间距(在图1中为开口区191a内钝化层17的厚度h1)。通过使源漏极层与第二电极层之间的间距大于第一电极层与第二电极层之间的间距，使得源漏极层与第二电极层之间的寄生电容较小，而第一电极层和第二电极层之间的存储电容较大，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
45.具体的，如图1所示，源漏极层15形成有源极、漏极，源极可以直接形成在第一电极层上，与第一电极层搭接实现电连接，无需形成过孔，降低液晶显示面板的厚度，减少液晶显示面板的制备工艺。同时，源漏极层15会形成数据线与其他走线，在非开口区，可能会与第二电极层存在重合，导致出现寄生电容，通过使源漏极层与第二电极层之间的间距大于第一电极层与第二电极层之间的间距，减小寄生电容。
46.其中，第一电极层可以包括像素电极，像素电极直接与源极连接，第二电极层可以包括公共电极，公共电极和像素电极间隔并形成用于驱动液晶旋转的电场。
47.在一种实施例中，所述开口区内绝缘层的厚度范围为所述非开口区内绝缘层的厚度的六分之一至二分之一。
48.具体的，以图1为例，通过使开口区191a内绝缘层的厚度(即图1中的钝化层17的厚度h1)非为非开口区191b内绝缘层的厚度(即图1中钝化层17的厚度h2)的六分之一至二分之一，使开口区内绝缘层的厚度较小，增大存储电容，减小功耗，且不会出现膜层过薄导致信号线短路和信号干扰。
49.具体的，绝缘层为钝化层时，非开口区的钝化层的厚度为4000埃至6000埃，开口区内的钝化层的厚度小于2000埃。
50.在一种实施例中，如图1所示，所述第一电极层16与所述第二电极层18之间的间距范围h1为所述源漏极层15与所述第二电极层18之间的间距h2的六分之一至二分之一。通过使第一电极层和第二电极层的间距范围为源漏极层与第二电极层之间的间距的六分之一至二分之一，使开口区内绝缘层的厚度较小，增大存储电容，减小功耗，寄生电容较小，且不
会出现膜层过薄导致信号线短路和信号干扰。
51.针对现有液晶显示器件存在无法兼顾寄生电容较小和功耗较低的要求的技术问题。在一种实施例中，如图2所示，所述绝缘层包括栅极绝缘层13和钝化层17，所述栅极绝缘层13设置于所述第一电极层16和所述钝化层17之间，所述钝化层17设置于所述栅极绝缘层13和所述第二电极层18之间，所述开口区191a内所述栅极绝缘层13和所述钝化层17的厚度之和h3小于所述非开口区191b内所述栅极绝缘层13和所述钝化层17的厚度之和(h4 h5)。通过使开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度之和小于非开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度之和，使开口区内的栅极绝缘层和钝化层中的至少一个的厚度减小，从而增大第一电极层和第二电极层之间的存储电容，降低像素驱动电压，降低功耗，同时，使非开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度较大，减小寄生电容，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
52.具体的，如图2所示，所述液晶显示面板1还包括栅极层12、有源层14和源漏极层15，所述栅极层12设置于所述衬底11和所述栅极绝缘层13之间，所述有源层14设置于所述栅极绝缘层13和所述源漏极层15之间，所述源漏极层15穿过过孔连接至第一电极层16。在第一电极层设置在衬底和栅极绝缘层之间时，可以使源漏极层穿过过孔连接至第一电极层，实现信号的传递。
53.针对液晶显示面板的第二电极层和源漏极层形成的寄生电容较大。在一种实施例中，如图3所示，所述开口区191a内所述栅极绝缘层13的厚度h8等于所述非开口区191b内所述栅极绝缘层13的厚度h7，所述开口区191a内所述钝化层17的厚度h9小于所述非开口区191b内所述钝化层17的厚度h10。通过使开口区191a内栅极绝缘层13的厚度等于非开口区191b内栅极绝缘层13的厚度，使得在制备液晶显示面板时，无需改变栅极绝缘层的制备过程，同时，开口区191a内钝化层17的厚度小于非开口区191b内钝化层17的厚度，使第一电极层16和第二电极层18之间的绝缘层的厚度减小，增大第一电极层16和第二电极层18的存储电容，减小液晶显示面板的像素驱动电压，降低功耗，同时，非开口区191b的第二电极层18和源漏极层15之间的绝缘层的厚度较大，减小寄生电容，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
54.具体的，对于液晶显示面板，寄生电容会存在于不同膜层的电极之间，但由于相隔多个膜层的金属层之间的寄生电容较小，因此，一般不考虑相邻多个膜层的金属层之间的寄生电容，而相邻金属层的寄生电容较大，因此，减小相邻金属层的寄生电容，能够降低液晶显示面板的压降。本技术实施例通过使位于第二电极层和源漏极层之间的绝缘层的厚度大于开口区的绝缘层的厚度，减小寄生电容，而对于第二电极层和栅极层可能存在的寄生电容，由于该寄生电容较小，在此不进行说明，且由于位于第二电极层和源漏极层之间的绝艳层也位于第二电极层和栅极层之间，即使第二电极层和栅极层存在寄生电容，也可以减小第二电极层和栅极层的寄生电容。
55.在一种实施例中，如图2所示，所述开口区191a内所述栅极绝缘层13的厚度小于所述非开口区191a内所述栅极绝缘层13的厚度。通过使开口区191a内栅极绝缘层13的厚度小于非开口区191b内栅极绝缘层13的厚度，使开口区内第一电极层16和第二电极层18之间的存储电容增大，减小液晶显示面板的像素驱动电压，降低液晶显示面板的功耗，同时，非开口区的栅极绝缘层的厚度较大，使得在源漏极层与栅极层之间存在投影重合时，减小源漏
极层和栅极层之间的寄生电容，降低液晶显示面板的压降，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
56.在一种实施例中，如图3所示，所述开口区191a内所述钝化层17的厚度h9小于或者等于所述非开口区191b内所述钝化层17的厚度h10。通过使开口区191a内钝化层17的厚度等于非开口区191b内钝化层17的厚度，则可以使得在制备液晶显示面板时，无需改变钝化层的制备过程，且开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度之和小于非开口区内钝化层的厚度之和，可以增大第一电极层和第二电极层之间的存储电容，降低像素驱动电压，降低功耗，同时，使非开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度较大，减小寄生电容，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。通过使开口区内钝化层的厚度小于非开口区内钝化层的厚度，则可以使第一电极层和第二电极层之间的间距较小，存储电容较大，可以减小液晶显示面板的像素驱动电压，降低液晶显示面板的功耗，同时位于非开口区内钝化层的厚度较大，第二电极层与其他金属形成的寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的存储电容较小和寄生电容较小的要求。
57.具体的，通过使开口区内栅极绝缘层的厚度小于非开口区内栅极绝缘层的厚度，开口区内钝化层的厚度小于非开口区内钝化层的厚度，使开口区内第一电极层和第二电极层的存储电容进一步增大，进一步减小液晶显示面板的像素驱动电压，降低液晶显示面板的功耗；同时，位于非开口区的栅极绝缘层和钝化层的厚度较大，使第二电极层与源漏极层之间的寄生电容较小，源漏极层与栅极层之间的寄生电容较小，第二电极层与栅极层之间的寄生电容较小，减小液晶显示面板的寄生电容，减小压降，从而兼顾了液晶显示面板的存储电容较小和寄生电容较小的要求。
58.具体的，还可以使开口区的钝化层的厚度大于非开口区的钝化层的厚度，同时使所述开口区内所述栅极绝缘层和所述钝化层的厚度之和小于所述非开口区内所述栅极绝缘层和所述钝化层的厚度之和，可以增大第一电极层和第二电极层之间的存储电容，可以减小液晶显示面板的像素驱动电压，降低液晶显示面板的功耗，同时位于非开口区内钝化层的厚度较大，第二电极层与其他金属形成的寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的存储电容较小和寄生电容较小的要求。
59.在一种实施例中，所述开口区内所述栅极绝缘层的厚度大于所述非开口区内所述栅极绝缘层的厚度，所述开口区内所述钝化层的厚度小于所述非开口区内所述钝化层的厚度。通过使开口区内栅极绝缘层的厚度大于非开口区内栅极绝缘层的厚度，开口区内钝化层的厚度小于非开口区内钝化层的厚度，使位于非开口区内的第二电极层和源漏极层之间的间距增大，则可以减小第二电极层和源漏极层之间的寄生电容；同时，通过使开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度之和小于非开口区内栅极绝缘层和钝化层的厚度之和，可以增大第一电极层和第二电极层之间的存储电容，降低像素驱动电压，降低功耗，同时，使非开口区内第二电极层和源漏极层之间的间距较大，减小寄生电容，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
60.在一种实施例中，第一电极层为像素电极层，第二电极层为公共电极层，可以通过使公共电极层图案化形成多畴，提高显示效果。
61.在本实施例中，开口区是指液晶显示面板透光显示的区域，非开口区可以包括位于相邻开口区之间不透光的区域，也可以包括非显示区。
62.在一种实施例中，所述液晶显示面板还包括液晶层、彩膜层和基板，所述液晶层设置于所述第二电极层远离所述第一电极层的一侧，所述彩膜层设置于所述液晶层远离所述第二电极层的一侧，所述基板设置于所述彩膜层远离所述液晶层的一侧。
63.同时，如图4所示，本技术实施例提供一种液晶显示面板制备方法，该液晶显示面板制备方法包括：
64.s1，提供衬底；该步骤对应的液晶显示面板的结构如图5中的(a)所示；
65.s2，在所述衬底上形成第一电极层；该步骤对应的液晶显示面板的结构如图5中的(b)所示；
66.s3，在所述第一电极层上沉积绝缘层，并在所述绝缘层上形成光阻层；该步骤对应的液晶显示面板的结构如图5中的(b)所示；
67.s4，采用半透光光罩对所述光阻层进行显影和蚀刻，得到第一光阻部分、第二光阻部分和无光阻部分，其中，所述第二光阻部分对应开口区设置，所述第一光阻部分对应非开口区设置，所述无光阻部分的厚度为零，所述第二光阻部分的厚度小于所述第一光阻部分的厚度；该步骤对应的液晶显示面板的结构如图5中的(c)所示；
68.具体的，如图7所示，半透光光罩21包括全透光部分211、半透光部分212和不透光部分213，全透光部分211的透光率可以为100％，不透光部分213的透光率可以为0，半透光部分212的透光率可以介于不透光部分和全透光部分的透光率之间，通过半透光掩模版对光阻层刻蚀，相应的可以对绝缘层进行刻蚀，使得绝缘层形成过孔、不同厚度的多个部分，具体使开口区内绝缘层的厚度小于非开口区内绝缘层的厚度，从而可以大第一电极层和第二电极层之间的存储电容，降低像素驱动电压，降低功耗，同时，使非开口区内第二电极层和源漏极层之间的间距较大，减小寄生电容，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
69.具体的，在采用半透光光罩对所述光阻层进行显影和蚀刻时，如图5中的(c)所示，图中示出了半透光光罩21的半透光部分212和不透光部分213，通过半透光光罩21对光阻层201进行显影和蚀刻，得到第一光阻部分201a、第二光阻部分201b和无光阻部分(图中未示出)，使得第二光阻部分201b的厚度小于第一光阻部分201a的厚度。
70.s5，对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔；所述过孔对应所述无光阻部分；
71.s6，去除所述第二光阻部分；该步骤对应的液晶显示面板的结构如图6中的(a)所示；
72.s7，对所述第二光阻部分对应区域的所述绝缘层进行刻蚀，以使得与所述第二光阻部分对应的所述开口区内所述绝缘层的厚度小于与所述第一光阻部分对应的所述非开口区内所述绝缘层的厚度；该步骤对应的液晶显示面板的结构如图6中的(b)所示；
73.具体的，如图6中的(b)所示，由于非开口区的绝缘层被第一光阻部分201a保护，因此，可以仅对开口区的绝缘层进行刻蚀，使开口区的绝缘层的厚度小于非开口区的绝缘层的厚度。
74.s8，去除所述第一光阻部分，并在所述绝缘层上形成第二电极层，得到液晶显示面板。该步骤对应的液晶显示面板的结构如图1所示。
75.本技术实施例提供一种液晶显示面板制备方法，该液晶显示面板制备方法制备的液晶显示面板通过使开口区内绝缘层的厚度小于非开口区内绝缘层的厚度，则可以增大开
口区内的第一电极层和第二电极层之间的存储电容，减小液晶显示面板的驱动电压，降低功耗；同时，非开口区内绝缘层的厚度大于开口区内绝缘层的厚度，则非开口区内的电极或者走线之间的间距较大，使寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
76.同时，本技术实施例提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括上述实施例任一所述的液晶显示面板。
77.具体的，液晶显示装置通常包括背光、外框和液晶显示面板，外框将背光与液晶显示面板连接，背光用于为液晶显示面板提供背光。
78.具体的，背光包括直下式背光模组或者侧入式背光模组。
79.根据上述实施例可知：
80.本技术实施例提供一种液晶显示面板及其制备方法；该液晶显示面板包括衬底、第一电极层、第二电极层和绝缘层，第一电极层设置于衬底一侧，第二电极层设置于第一电极层远离衬底的一侧，绝缘层设置于第一电极层和第二电极层之间，其中，液晶显示面板包括开口区和非开口区，开口区内绝缘层的厚度小于非开口区内绝缘层的厚度。本技术通过使开口区内绝缘层的厚度小于非开口区内绝缘层的厚度，则可以增大开口区内的第一电极层和第二电极层之间的存储电容，减小液晶显示面板的驱动电压，降低功耗；同时，非开口区内绝缘层的厚度大于开口区内绝缘层的厚度，则非开口区内的电极或者走线之间的间距较大，使寄生电容较小，从而兼顾了液晶显示面板的寄生电容较小和功耗较低的要求。
81.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
82.以上对本技术实施例所提供的一种液晶显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。