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一种无铅型高储能密度铁电薄膜的制备方法

2022-11-28 11:53:55 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种无铅型高储能密度铁电薄膜,其特征在于,在pt(111)/ti/sio2/si复合衬底上沉积的铁电薄膜,其中复合衬底自上而下分别为pt,ti,sio2和si,复合衬底上沉积的具有铁电效应的铁电薄膜化学式为ba(zr
0.35
ti
0.65
)o3(bzt35),厚度为200-400nm。2.权利要求1所述的无铅型高储能密度铁电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤如下:(1)将pt(111)/ti/sio2/si衬底和bzt35陶瓷靶材分别置入样品台和溅射位,调整靶基距为6~8cm,然后抽真空至1
×
10-4
~2
×
10-4
pa,并加热衬底至温度为550~650℃,再通入压强为1.0~1.5pa、氩气与氧气的流速比为40:0~40:15的混合气,调整溅射功率为100~140w、溅射时间为40~80min;(2)关闭氩气只充入氧气,在溅射室内50pa~150pa纯氧气氛下原位退火5~15min;(3)将经过溅射及原位退火处理所得薄膜降至室温后从溅射室中取出,放入高温管式炉,在(0.1
±
0.01)mpa纯氧气氛中以(10
±
1)℃/min的升温速率升温至650℃~800℃,保温5~15min后随炉降温,制得bzt35铁电薄膜。

技术总结
一种无铅型高储能密度铁电薄膜的制备方法。所述铁电薄膜是在Pt(111)/Ti/SiO2/Si复合衬底上沉积具有铁电效应的化学式为Ba(Zr


技术研发人员:孙正 李响 孙彦纪 岳喜鹏 韩叶梅 谢杨杨 王芳 张楷亮
受保护的技术使用者:天津理工大学
技术研发日:2022.08.30
技术公布日:2022/11/25
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