一种半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：重布线结构；所述重布线结构包括至少一层重布线层；其中，每层所述重布线层包括：第一线路和第二线路；所述第一线路和所述第二线路具有相同的延伸方向，且所述第二线路结合于所述第一线路的平行于所述延伸方向的至少一侧；所述第二线路中包括至少一个孔隙结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述孔隙结构沿所述延伸方向延伸，且贯穿所述第二线路。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每条所述第二线路中，所述孔隙结构的数量大于等于3个，且小于等于5个。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线层的宽度大于等于5微米，且小于等于50微米；在所述重布线层的交叉点，所述孔隙结构的宽度大于等于5微米；在所述重布线层的交叉点以外，所述孔隙结构的宽度大于等于1微米，且小于等于5微米；所述交叉点为所述重布线层中任意两条线路交叉的位置。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一线路的厚度大于等于2微米，且小于等于5微米。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一介质层；所述第一介质层上形成有第一凹孔；所述第二线路形成于所述第一凹孔中。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的厚度大于等于4微米，且小于等于6微米。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线结构还包括：重布线通孔和层间介质层；每层所述重布线层通过所述重布线通孔电连接到另一层所述重布线层；所述层间介质层覆盖至少一层所述重布线层和所述重布线通孔。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线层的图案包括：接地图案、电源图案和信号图案。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，半导体结构还包括：硅通孔结构；所述硅通孔结构位于基板之中；所述硅通孔结构电连接至少一层所述重布线层。11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成重布线层；所述重布线层包括：第一线路和第二线路；所述第一线路和所述第二线路具有相同的延伸方向，且所述第二线路结合于所述第一线路的平行于所述延伸方向的至少一侧；所述第二线路中包括至少一个孔隙结构。12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述重布线层的方法包括：在所述基底上沉积第一介质层；在所述第一介质层上形成第一凹孔；在所述第一凹孔中沉积形成所述重布线层。
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一凹孔中沉积形成所述重布线层，包括：沉积导电材料；所述导电材料覆盖所述第一介质层，且填充所述第一凹孔；对所述导电材料进行回刻，在对应于所述第一凹孔的所述导电材料处形成第二凹孔；在所述第二凹孔的顶部形成扩口；在所述扩口处沉积所述导电材料，封闭所述第二凹孔，形成所述孔隙结构，从而形成所述第二线路。14.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一凹孔中沉积形成所述重布线层，包括：附着于所述第一凹孔的底部和侧壁，沉积导电材料，直至所述导电材料的顶部封闭，从而形成包括所述孔隙结构的所述第二线路。15.根据权利要求13或14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二线路之后，形成所述重布线层的方法还包括：继续沉积所述导电材料，形成所述第一线路，从而形成所述重布线层。

技术总结
本公开涉及集成电路领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：重布线结构；重布线结构包括至少一层重布线层。其中，每层重布线层包括：第一线路和第二线路。第一线路和第二线路具有相同的延伸方向，且第二线路结合于第一线路的平行于延伸方向的至少一侧。第二线路中包括至少一个孔隙结构。本公开实施例能够提高芯片整体的热性能，减少性能退化。化。化。


技术研发人员：刘志拯
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2022.10.19
技术公布日：2022/11/18