具有成核抑制的特征填充的制作方法

技术特征：
1.一种方法，其包括：将特征中的金属表面暴露于包含氮物质的等离子体以抑制所述金属表面上的金属成核；以及在将所述金属表面暴露于所述包含氮物质的等离子体之后，将所述特征暴露于包含氧物质且不含氮物质的等离子体以进一步抑制所述金属表面上的金属成核。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括在将所述金属表面暴露于所述包含氧物质的等离子体之后，在所述特征中沉积金属。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属表面是钨(w)、钼(mo)、钌(ru)或钴(co)表面中的一种。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮物质是氮自由基。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧物质是氧自由基。6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属表面暴露于所述包含氮物质的等离子体形成金属氮化物。7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述特征暴露于所述包含氧的等离子体形成金属氧氮化物。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体是远程产生的。9.根据权利要求1所述的方法，其中等离子体是不含离子的基于自由基的等离子体。10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述金属表面处于待用金属填充的凹陷特征中。11.一种方法，其包括：在抑制表面上的金属成核的处理工艺之后，将处理过的表面暴露于包含氧物质和氮物质的等离子体以解除对所述表面上的金属成核的抑制。12.根据权利要求11所述的方法，其还包括，在所述表面上沉积之前并且在解除对所述表面的抑制之后，将所述表面暴露于氮物质以抑制所述表面上的金属成核。13.根据权利要求11所述的方法，其中暴露所述处理过的表面是响应延迟而进行的。14.根据权利要求13所述的方法，其还包括接收延迟的指示。15.根据权利要求11所述的方法，其还包括，在解除对所述表面上的金属成核的抑制之后，将所述表面暴露于抑制所述表面上的金属成核的处理工艺。16.根据权利要求15所述的方法，其还包括在将所述表面暴露于所述处理工艺之后，在所述特征中沉积金属。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述金属是钨(w)、钼(mo)、钌(ru)和钴(co)中的一种。18.根据权利要求11-17中任一项所述的方法，其中，所述氮物质是氮自由基。19.根据权利要求11-18中任一项所述的方法，其中，所述氧物质是氧自由基。20.根据权利要求11-18中任一项所述的方法，其中所述o:n的比率介于10:90-90:10(原子)之间。

技术总结
本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。还提供了增强抑制的方法和减少或消除金属成核抑制的方法。或消除金属成核抑制的方法。或消除金属成核抑制的方法。


技术研发人员：罗希特
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2022/11/18