功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法与流程

1.本公开总体上涉及功率半导体封装体以及用于制造功率半导体封装体的方法。


背景技术：

2.功率半导体封装体可以被配置为以高电压和/或高电流操作。因此，功率半导体封装体可能必须满足关于其部件之间或功率半导体封装体与其环境之间的电绝缘的严格要求。在绝缘不足的情况下，可能会发生诸如泄漏电流或电气短路之类的故障。为了提供足够的绝缘，功率半导体封装体可能需要沿着功率半导体封装体的外表面具有某个最小爬电距离。例如，最小爬电距离可能必须隔离600v或更高，甚至1kv或更高的电位差。改进的功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的改进的方法可以展示改进的绝缘能力以及进一步的优点。


技术实现要素：

3.各个方面涉及一种用于制造功率半导体封装体的方法，所述方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿所述至少一个系杆，从而形成切割表面；和在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。
4.各个方面涉及一种功率半导体封装体，其包括：裸片焊盘，其包括至少一个系杆残段，其中，切割表面被布置在所述至少一个系杆残段的端部处；半导体裸片，其附接到裸片焊盘；和包封物，其包封半导体裸片，其中，包封物完全覆盖切割表面，并且切割表面包括通过激光切割制造的微结构。
附图说明
5.附图示出了示例并且与下面的描述一起用于解释本公开的原理。本公开的其它示例和许多预期优点将容易理解，因为它们通过参考以下详细描述变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记表示相应的相似部分。
6.图1a和1b示出了包括系杆残段的功率半导体封装体的俯视图和剖视图，其中，包封物完全覆盖系杆残段的切割表面。
7.图2示出了另一功率半导体封装体的俯视图，其中，外部引线从包封物暴露，但系杆残段的切割表面没有从包封物暴露。
8.图3a和3b示出了另一功率半导体封装体的俯视图和细节图，其中，两个外部引线之间的爬电距离在细节图中示出。
9.图4a-4e示出了根据用于制造功率半导体器件的示例性方法处于不同制造阶段的图2的功率半导体封装体。
10.图5a-5c示出了根据一个示例的可以用于功率半导体封装体中的示例性系杆。
11.图6示出了根据一个示例的可以用于功率半导体封装体中的示例性裸片焊盘。
12.图7a-7c示出了用于制造功率半导体封装体的包封物的方法，其中，在模制期间使用可收回销将裸片焊盘保持在位。
13.图8示出了可以用于功率半导体封装体的制造的用于激光切割的设备。
14.图9是用于制造功率半导体封装体的示例性方法的流程图。
具体实施方式
15.在以下详细描述中，参考所描述的附图的取向使用方向性术语，例如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为本公开的部件可以以多个不同的取向定位，所以方向性术语仅用于说明的目的。可以利用其它示例并且可以进行结构或逻辑改变。
16.此外，虽然示例的特定特征或方面可能仅结合若干实施方式中的一个而被公开，但是这样的特征或方面可以与其它实施方式的一个或多个其它特征或方面组合，只要对任何给定或特定应用是期望和有利的，但另有特别说明或技术上受限除外。此外，就在详细说明或权利要求中使用的术语“包括”、“具有”、“带有”或其其它变体而言，这些术语旨在以类似于术语“包含”的方式是指开放式包括。可使用术语“耦合”和“连接”及其派生词。应当理解，这些术语可用来表示两个元件相互协作或相互作用，无论它们是直接物理接触还是电接触，或者它们彼此不直接接触；可以在“接合”、“附接”或“连接”的元件之间提供居间元件或层。然而，“接合”、“附接”或“连接”的元件也可彼此直接接触。此外，术语“示例性”仅意味着作为示例，而不是最好的或最优的。
17.功率半导体封装体的示例可以使用各种类型的半导体芯片或并入半导体芯片中的电路，例如ac/dc或dc/dc转换器电路、功率mos晶体管、功率肖特基二极管、jfet(junction gate field effect transistors；结栅极场效应晶体管)、功率双极晶体管、逻辑集成电路、模拟集成电路、功率集成电路等。
18.下面描述的功率半导体封装体可以包括一个或多个半导体芯片。举例来说，可以包括一个或多个功率半导体芯片。此外，封装体中可以包括一个或多个逻辑集成电路。逻辑集成电路可以被配置为控制其它半导体芯片的集成电路、例如功率半导体芯片的集成电路。逻辑集成电路可以以逻辑芯片实施。
19.半导体芯片可以用包封材料覆盖。包封材料可以是电绝缘的。包封材料可以包括或由任何合适的塑料或聚合物材料，例如硬质塑料、热塑性或热固性材料或层合材料(预浸料)制成，并且可以例如包含填充材料。
20.图1a和1b示出了功率半导体封装体100，其包括裸片焊盘110、附接到裸片焊盘110的半导体裸片120和包封半导体裸片120的包封物130。图1a示出了俯视图并且图1b示出了沿着图1a中箭头a所指的侧视图。
21.裸片焊盘110包括至少一个系杆残段140。在图1a和1b所示的示例中，功率半导体封装体100可包括两个系杆残段140。功率半导体封装体100可以包括任何合适数量的系杆残段140，例如一个、二个、三个、四个或四个以上。
22.系杆残段140包括布置在系杆残段140的端部处的切割表面141。切割表面141可以例如被布置成使得其背离裸片焊盘110。切割表面141包括通过激光切割制造的微结构。换句话说，系杆残段140是被激光切割断的系杆的剩余物，从而制造具有切割表面141的系杆残段140。如图1a和1b所示，包封物130完全覆盖切割表面141。
23.裸片焊盘110例如可以是引线框架的一部分。功率半导体封装体100可以例如包括可以是同一引线框架的一部分的外部接触部(在图1a和1b中未示出)。裸片焊盘110可以包括或由任何合适的金属或金属合金，例如al、fe或cu组成。系杆残段140可以与裸片焊盘110续连，这意味着裸片焊盘110和系杆残段140由单个部件制造(这由分开裸片焊盘110和系杆残段140的虚线表示)。
24.裸片焊盘110可以包括第一主侧111和相反的第二主侧112，其中，半导体裸片120布置在第一主侧111上。裸片焊盘110还可以包括连接第一和第二主侧111、112的侧向侧113，系杆残段140可以布置在侧向侧113上并从侧向侧113伸出。
25.包封物130可以覆盖裸片焊盘110的第一主侧和侧向侧113。根据一个示例，第二主侧112从包封物130暴露。暴露的第二主侧112可以例如被配置为功率半导体封装体100的外部接触部，或者它可以被配置为耦合到散热器。根据另一个示例，第二主侧112也可以被包封物130覆盖，如图1b所示。
26.半导体裸片120可以例如是功率半导体裸片，其被配置为以高电流和/或高电压操作。半导体裸片120的功率端子，例如源极、漏极、发射极或集电极端子可以电耦合到裸片焊盘110。功率半导体封装体100可以包括单个半导体裸片120或者它可以包括多个半导体裸片120。多个半导体裸片120可以耦合在一起，例如形成半桥电路、逆变器电路、转换器电路等。
27.包封物130可以例如包括模制体和/或硬塑料框架。包封物可以包括或由电介质、例如聚合物或聚合物复合物组成。包封物130可以被配置为保护半导体裸片120免受环境影响，并且它也可以被配置为使功率半导体封装体100的不同部分彼此电绝缘。
28.根据一个示例，包封物130完全覆盖半导体裸片120、裸片焊盘110的第一主侧111和所有侧向侧113。然而，功率半导体封装体100可以包括外部接触部(在图1a和1b中未示出)，其从包封物130暴露并且电耦合到半导体裸片110。
29.系杆残段140可以具有任何合适的尺寸。例如，系杆残段140可以具有小于或约0.5mm、大于0.5mm、大于1mm或大于2mm的宽度w。系杆残段140可以例如具有小于或约0.1mm、大于0.1mm、大于0.2mm、大于0.5mm或大于1mm的长度l。系杆残段140(和裸片焊盘110)可以例如具有小于或约0.1mm、大于0.1mm、大于0.2mm、大于0.5mm或大于1mm的厚度t。
30.切割表面141可以被布置为垂直于或基本上垂直于第一和第二主侧111、112。切割表面141可以平行于相应的侧向侧113。切割表面141的微结构(其如上所述是由于激光切割产生的微结构)可以不同于功率半导体封装体100的其它表面的微结构。切割表面141的微结构特别可以不同于第一和第二主侧111、112和侧向侧113的微结构。制造裸片焊盘110可以例如包括从金属片上冲压或机械切割出裸片焊盘110。侧向侧113因此可以包括通过冲压或机械切割制造的微结构，对于本领域技术人员而言，其明显不同于通过激光切割制造的微结构。
31.图2示出了另一功率半导体封装体200的俯视图，除了以下描述的不同之外，其可以与功率半导体封装体100相似或相同。
32.功率半导体封装体200包括功率半导体封装体100的所有部分，并且它附加地包括第一引线210和第二引线220。第一和第二引线210、220可以例如被配置为功率半导体封装体200的外部接触部。第一引线210可以例如与裸片焊盘110和系杆残段140续连。第二引线
220可以例如与裸片焊盘110和系杆残段140分离，并且可以通过连接导线、带或接触夹电耦合到半导体裸片120。第一和第二引线210、220可以例如是鸥翼型或任何其它合适类型的引线。
33.如图2所示，第一和第二引线210、220可以被布置在裸片焊盘110的不包括系杆残段140的侧向侧113上。然而，也可能的是，至少一些引线与系杆残段140布置在相同的侧向侧113上。系杆残段140可以例如被布置在两个引线之间。
34.如图2所示，功率半导体封装体200可以包括四个系杆残段140，它们可以例如成对地布置在裸片焊盘110的相反侧向侧113上。然而，功率半导体封装体200还可以包括任何其它数量的系杆残段140。此外，并非所有系杆残段140都需要与裸片焊盘110续连。替代地，系杆残段140中的一个或多个可以与功率半导体封装体200的其它引线框架部分续连、例如与第二引线220续连。
35.图3a和3b示出了另一功率半导体封装体300，其可以与功率半导体封装体100和200相似或相同。图3a示出了整个功率半导体封装体300的俯视图，图3b示出了图3a中的区段b的详细视图。
36.功率半导体封装体300包括处于包封物130中的凹部310，例如在包封物130的侧向侧131中。如从裸片焊盘110的第一侧111上方所见，包封物130的轮廓在凹部310中相对于侧向侧131的其余部分向内偏移。
37.凹部310可以被布置在功率半导体封装体300的两个第二引线220之间。凹部310可以被配置为用于增加凹部310任一侧上的两个第二引线220之间的爬电距离320。所需的爬电距离320可能与半导体封装体300操作时必须使用的电压：高电压比相对较低的电压可能需要更长的爬电距离320。爬电距离320可以例如为0.5mm或更大、1mm或更大、2mm或更大、4mm或更大、5mm或更大、6mm或更大、8mm或更大、或9mm或更大、或10mm或更大、或20mm或更大、或40mm或更大、或100mm或更大。例如，爬电距离320的尺寸与包封物130的介电特性相结合可以允许在产生飞弧之前两个第二引线220之间具有1kv或更大或1.2kv或更大的电势差。
38.系杆残段140可以被布置成使得它面向凹部310。然而，系杆残段140没有在凹部310中从包封物130暴露，而是包封物130完全覆盖它，包括覆盖切割表面141。如果系杆残段140从包封物中暴露，那么它将减少一半的爬电距离320，因此减少了可以施加到两个第二引线220的电势差。
39.根据一个示例，凹部310以及面向凹部310的系杆残段140不是被布置在两个第二引线220之间，而是布置在第一引线210与第二引线220之间或功率半导体封装体330的在侧向侧131处从包封物130暴露的任何其它导电部分之间。
40.图4a-4e示出了根据用于制造功率半导体封装体的示例性方法的处于制造的各个阶段的功率半导体封装体200。根据一个示例，功率半导体封装体100和300可以以类似的方式制造。
41.如图4a所示，提供了包括裸片焊盘110和框架410的引线框架400。框架410可以在四侧围绕裸片焊盘110并且它可以被配置为在功率半导体封装体200的制造期间被切除。裸片焊盘110通过至少一个系杆420、例如如图4a所示通过四个系杆420连接到框架410。
42.如图4b所示，半导体裸片120附接到裸片焊盘110。这可以例如包括将半导体裸片
120焊接、烧结或用导电胶粘合到裸片焊盘110。
43.如图4c所示，用激光切穿至少一个系杆420，从而制造所述至少一个系杆残段140和相应的切割表面141。根据一个示例，激光切穿系杆杆420包括在两个不同位置、例如靠近系杆420的两端激光切割系杆。每个系杆420可以例如沿着图4b中所示的切割线421被切割。以此方式，切割线421之间的一段长度的系杆422被完全切掉。系杆422的长度可以例如为小于或约为1mm、大于1mm、大于1.5mm、大于2mm或大于3mm。沿着切割线421切掉还可以制造与框架410续连的另外的系杆残段423，其中，每个另外的系杆残段423面向相应的系杆残段140。
44.任何合适的激光器430都可以用于激光切穿系杆420。例如，激光器430可以是yb光纤激光器，具有例如约为10kw/mm的功率密度，脉冲时间在纳秒到毫秒范围内。
45.根据一个示例，在激光切穿系杆420之后，所制造的系杆残段140可以在切割表面141处包括毛刺。这种毛刺可以例如包括尖锐的和/或粗糙的边缘，包封物130不容易粘附到该边缘，导致层离问题。因此可以在施加包封物130之前从切割表面141去除毛刺。这可以例如使用激光器430进行，例如在激光切割之后的后续激光应用过程中进行。在所述随后的激光应用过程中，激光器430可以以不同的设置使用，例如以降低的功率密度使用。然而，也可以选择激光器430的设置和/或系杆420的材料，使得激光切割过程不会产生毛刺。
46.根据一个示例，在系杆420已经被切穿之后，裸片焊盘110仍然通过第一引线210机械地连接到框架410。因此，第一引线210可以被设计为具有足够的稳定性以在该制造阶段机械地支撑裸片焊盘110。
47.根据一个示例，在半导体裸片120已经附接到裸片焊盘110之后执行激光切割。特别地，可以在将电连接器耦合到半导体裸片120之后执行激光切割。这样的电连接器可以例如用于将半导体裸片120的端子连接到功率半导体封装体200的外部接触部(图中未示出)。电连接器可以例如是包括连接导线、带或接触夹。
48.如图4d所示，在激光切割系杆420之后，包封物130被制造。这可以包括使用模制工具的模制腔440在裸片焊盘110和半导体裸片120之上模制。裸片焊盘110、半导体裸片120和系杆残段140完全被布置在模制腔440内，使得切割表面141可以被模制化合物完全覆盖。另一方面，第一和第二引线210、220可以伸出模制腔440。
49.如图4e所示，在制造包封物130之后，功率半导体封装体200可以通过切穿引线210、220而从框架410分离。因为在制造包封物130之前已经切穿了系杆420，所以在这个阶段不需要切割系杆来从框架410分离功率半导体封装体200。
50.图5a-5c示出了示例性系杆500、500'和500”，其中，可以使用系杆500、500'和500”中的每一个替代系杆420。
51.系杆500、500'和500”均包括至少一个凹口510，其中，系杆500、500'和500”的厚度在凹口内减小。与在具有更高厚度的位置进行切割相比，在凹口510内切穿系杆500、500'和500”可以更快并且产生更少的残留物。在凹口510内，系杆500、500'和500”的厚度可以例如减少20％或更多、40％或更多、60％或更多、或80％或更多。凹口510可以例如具有小于或约0.2mm、大于0.2mm、大于0.4mm、大于0.8mm或大于1mm的宽度d。
52.根据一个示例，凹口510可以通过冲压或蚀刻工艺制造。凹口510可以例如在将半导体裸片120布置在裸片焊盘110上之前、例如在引线框架400的制造过程中制造。
53.凹口510可以具有任何合适的形状，例如如图5a和5b所示的v形，或者它可以具有如图5c所示的平坦底部。此外，如图5b所示，凹口510可以被布置为在系杆的相反侧上的彼此面对的“双凹口”，使得单个切割线421延伸穿过双凹口。
54.在功率半导体封装体100、200或300使用系杆500、500'或500”制造的情况下，系杆残段140可以包括分段式端面。在系杆500和500'的情况下，端面的第一部分可以包括倾斜表面，第二部分可以包括切割表面141，其被布置为垂直于裸片焊盘110的第一和第二主侧111、112。在系杆500”的情况下，端面的第一部分可以包括垂直于第一和第二主侧111、112布置的凹入表面，并且第二部分可以包括切割表面141。在这两种情况下，第一部分的表面可以包括通过机械冲压或化学蚀刻制造的微结构，而切割表面141包括通过激光切割制造的微结构，如前所述。
55.图6示出了示例性裸片焊盘600，其可以替代功率半导体封装体100、200和300中的裸片焊盘110使用。裸片焊盘600可以与裸片焊盘110相似或相同，但它附加地包括至少一个模制锁定特征610。
56.模制锁定特征被配置为提高包封物130对裸片焊盘600的粘附。模制锁定特征610可以例如包括处于裸片焊盘600中的凹痕或通孔，其中，凹痕仅部分地延伸穿过裸片焊盘600，而通孔完全延伸穿过裸片焊盘600。模制锁定特征610可以具有任何合适的形状和任何合适的尺寸，例如圆形或矩形，直径为2mm或更小、或1mm或更小。
57.模制锁定特征610可以位于裸片焊盘600上与包封物130直接接触的任何合适的位置处。模制锁定特征610可以例如被布置为靠近裸片焊盘600的边缘或它可以布置在系杆残段140上。
58.模制锁定特征610可以例如通过激光切割裸片焊盘来制造。模制锁定特征610可以例如使用也用于切穿系杆420的相同激光器430制造。模制锁定特征610可以例如在切穿系杆420的相同工艺中制造。模制锁定特征610可以包括切割表面，该切割表面包括通过激光切割制造的微结构(类似于系杆残段140的切割表面141的微结构)。
59.图7a-7c示出了示例性模制过程，其可以例如用于制造如图4d所示的包封物130。为简单起见，图7a中未示出框架410。
60.如图7a和7b所示，在所述示例性模制过程中使用具有可收回销710的模制工具700。图7a示出了俯视图，图7b示出了从图7a中的箭头a方向的剖视图。可收回销710可被配置为在模制过程期间将裸片焊盘110保持在位。这可能是必要的，因为裸片焊盘110没有被系杆420保持在位，因为系杆420在这个阶段已经被切割掉。
61.可以例如在将裸片焊盘110放入模制工具700之后，将可收回销710下降到裸片焊盘110上。在模制工具700已经填充有模制材料之后，可以再次拉出可收回销710。根据一个示例，仅当模制材料充分硬化时才拉出可收回销710。
62.根据一个示例，可收回销710通常在包封物130中留下的孔随后例如通过注射成型材料被填满。根据另一个示例，这些孔不妨碍功率半导体封装体100、200或300的功能，因此不需要填充。
63.图7c示出了裸片焊盘110上的可收回销710的可能接触点720。接触点720可以例如布置在系杆残段140上或靠近系杆残段140或布置在裸片焊盘110上的任何其它合适位置。可以特别地选择接触点720，使得可收回销710接触裸片焊盘110但不接触半导体裸片120。
64.图8示出了激光切割设备800，根据一个示例，其可用于切穿系杆420。激光切割设备800还可用于制造模制锁定特征610。
65.激光切割设备800包括载体810，所述载体810被配置为用于承载诸如引线框架400的引线框架。激光切割设备800还包括废料收集器820，用于收集被激光器430从引线框架400切割掉的废料、例如一段系杆422。气体入口830、气体通道840和气体出口850被配置为将气流导向废料收集器820。气流可以帮助将废料输送到废料收集器820中。气流可以例如包括或由n、空气或任何其它合适的气体组成。根据一个示例，气体出口850耦合到用于产生负压的泵，从而吸入气流。
66.激光切割设备800不仅可以被配置用于将宏观废料、如一段系杆422收集在废料收集器820中。它还可以被配置用于从引线框架400和半导体裸片120去除激光切割过程的微观残余物，并借助于气流将它们收集在废料收集器820中。这可以帮助保持功率半导体封装体100、200和300的所有部件的表面清洁，从而确保制造的功率半导体封装体的正确功能。
67.图9是用于制造功率半导体封装体的示例性方法900的流程图。方法900可以例如用于制造功率半导体封装体100、200和300。
68.方法900包括：在步骤901处提供包括裸片焊盘和框架的引线框架的操作，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；在步骤902处将半导体裸片附接到裸片焊盘的操作；在步骤903处激光切穿所述至少一个系杆的操作，从而形成切割表面；以及在步骤904处在激光切割之后在裸片焊盘和半导体裸片之上模制的操作，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。
69.示例
70.在下文中，通过特定示例进一步说明功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法。
71.示例1是一种用于制造功率半导体封装体的方法，所述方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；进行激光切割而切穿所述至少一个系杆，从而形成切割表面；以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。
72.示例2是示例1的方法，所述方法还包括：将模制锁定特征激光切割到裸片焊盘中，其中，模制锁定特征包括通孔或腔；以及用模制化合物填充模制锁定特征。
73.示例3是示例1或2的方法，其中，所述激光切割包括在两个不同位置处进行激光切割而切穿所述至少一个系杆，使得一段系杆被完全切割掉。
74.示例4是示例3的方法，所述方法还包括：使用空气流、气流或负压，以便从引线框架上移除一段系杆。
75.示例5是前述示例中任一项的方法，所述方法还包括：在激光切割之后，用激光从切割表面去除毛刺。
76.示例6是前述示例中任一项的方法，其中，所述至少一个系杆包括至少一个凹口，在所述至少一个凹口中执行激光切割。
77.示例7是前述示例中任一项的方法，其中，所述引线框架还包括与裸片焊盘续连的引线，在模制期间所述裸片焊盘通过所述引线连接到框架。
78.示例8是示例7的方法，所述方法还包括：在模制之后，通过切穿引线将功率半导体
封装体从框架分离。
79.示例9是前述示例中任一项的方法，其中，使用具有可收回销的模制工具执行模制，其中，所述可收回销被配置为将裸片焊盘固定在位，所述可收回销在模制期间被收回。
80.示例10是前述示例中任一项的方法，所述方法还包括：在激光切割之前，将电连接器耦合到半导体裸片，其中，电连接器包括连接导线、带或接触夹。
81.示例11是一种功率半导体封装体，包括：裸片焊盘，其包括至少一个系杆残段，其中，切割表面被布置在所述至少一个系杆残段的端部处；半导体裸片，其附接到裸片焊盘；和包封物，其包封半导体裸片，其中，包封物完全覆盖切割表面，并且切割表面包括通过激光切割制造的微结构。
82.示例12是示例11的功率半导体封装体，其中，所述至少一个系杆残段面对包封物的第一侧向侧，在第一侧向侧没有金属部分从包封物暴露。
83.示例13是示例11或12的功率半导体封装体，所述功率半导体封装体还包括：至少一个通孔，其延伸穿过裸片焊盘，其中，所述通孔填充有包封物的材料，并且所述通孔包括另外的切割表面，所述另外的切割表面包括通过激光切割制造的微结构。
84.示例14是示例11-13中任一项的半导体封装体，其中，所述至少一个系杆残段包括凹口，并且所述切割表面被布置在所述凹口中。
85.示例15是示例11-14中任一项的半导体封装体，其中，所述切割表面没有任何毛刺。
86.示例16是一种包括用于执行示例1-10中任一项的方法的装置的设备。
87.虽然已经结合一个或多个实施方式图示和描述了本公开，但是可以在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下对图示的示例做出改变和/或修改。特别是关于由上述部件或结构(组件、装置、电路、系统等)执行的各种功能，除非另有说明，否则用于描述此类部件的术语(包括对“装置”的引用)旨在对应于执行所描述部件的指定功能的任何部件或结构(例如，功能上等效的)，即使在结构上不等同于本公开在此所示的示例性实施方式中执行该功能的公开结构。