二次电池以及电子设备的制作方法

1.本技术涉及电池技术领域，尤其涉及一种二次电池以及电子设备。


背景技术：

2.目前的二次电池结构，一般采用两端引出极耳的结构，极耳与集流体焊接后引出，极耳再与壳体底部通过电阻焊或激光焊接连接。
3.传统的钢壳电池为了保证电池的耐冲击性，从而电池壳体设计较厚，但是，这导致在底部激光焊接过程中，激光穿过钢壳与集流盘/极耳焊接，需要较大的焊接功率，随着焊接功率的增大，激光的精度波动也随之增大，导致焊接窗口小；在电池结构生产过程中，经常出现电池底部形变、裂纹、穿孔等问题，进而导致焊接优率低。


技术实现要素：

4.本技术提供一种二次电池以及电子设备，能够解决在激光焊接过程中由于焊接功率的增大导致电池底部形变、裂纹、穿孔等问题，利于提高电池底部的焊接优率，还能够改善电池底部的焊接不可靠。
5.第一方面，本技术提供了一种二次电池，所述二次电池包括壳体、电极组件和集流盘；所述集流盘和所述电极组件电连接；所述壳体的底部包括主体区和连接所述主体区的减薄区，即壳体底部设置有减薄区，所述减薄区与所述集流盘电连接；所述减薄区的面积占所述壳体底部的总面积的2%~30%。减薄区的面积为在垂直主体区方向上在壳体底部的投影面积。通过在所述壳体底部设置一定面积的所述减薄区，利于降低壳体底部焊接时的焊接功率，进而扩宽焊接窗口。一方面，若所述减薄区的面积占所述壳体底部总面积的比例过小，由于所述减薄区适用于降低电池底部焊接时的焊接功率，所述减薄区的面积过小则壳体底部的焊接面积不够，激光焊接时可能会焊接到未打薄区域（即所述壳体的底部不包括减薄区的其他区域），导致焊接优率明显下降，这是因为未打薄区域需要更大的焊接功率，而更大的焊接功率会导致焊接的精度降低；另一方面，若所述减薄区的面积过大，则壳体底部的强度会变弱，电连接后电池的产气现象会使壳体底部出现鼓包并且发生变形，进而影响焊接优率。
6.在一些实施方式中，所述减薄区的面积占所述壳体底部的总面积的4%~15%。通过进一步控制所述减薄区的面积占所述壳体底部总面积的4%~15%，利于进一步提高焊接优率，同时，可以提高焊接的可靠性。
7.在一些实施方式中，所述减薄区的厚度与所述主体区的厚度之比为30%~80%。通过控制所述减薄区的厚度与所述主体区的厚度之比在合适的范围，利于提高焊接优率，若所述减薄区的厚度与所述主体区的厚度之比过小，则会导致壳体底部的整体强度会变弱，电连接后电池产气会导致壳体底部鼓包甚至变形；若所述减薄区的厚度与所述主体区的厚度之比过大，则会导致底部焊接时的焊接功率变大，焊接功率大会导致壳体底部产生裂纹。
8.在一些实施方式中，所述减薄区的厚度与所述主体区的厚度之比为40%~70%。通过
进一步控制所述减薄区的厚度与所述主体区的厚度之比在40%~70%的范围内，利于进一步提高焊接优率，避免壳体底部产生裂纹。
9.在一些实施方式中，所述壳体底部的外表面以朝向所述集流盘的方向内凹以形成所述减薄区；在另一些实施方式中，所述壳体底部的内表面以背离所述集流盘的方向内凹以形成所述减薄区；在其他实施方式中，所述壳体底部的外表面以朝向所述集流盘的方向内凹，同时，所述壳体底部的内表面以背离所述集流盘的方向内凹，以形成所述减薄区。可见，所述壳体底部外表面的一侧打薄、内表面的一侧打薄或者外表面和内表面两侧的同时打薄均可以形成本技术所述的减薄区。
10.在一些实施方式中，所述集流盘朝向所述壳体底部的一端设有凸台，所述凸台与所述减薄区贴合设置；进一步地，所述凸台的凸起端的端面与所述减薄区的一侧表面贴合设置。
11.贴合设置是指所述凸台的凸起端的端面与所述减薄区的一侧表面贴合后无间隙或者基本无间隙，即为本技术所述的贴合设置或者贴合。此时，可以避免所述减薄区和所述集流盘之间存在较大的缝隙，进而避免壳体底部焊接时的穿孔现象，利于提高电池底部焊接优率，还可以提高焊接的可靠性。
12.在一些实施方式中，所述凸台与所述减薄区同心贴合设置；进一步地，所述凸台的凸起端的端面与所述减薄区的一侧表面同心贴合设置。所述的同心贴合设置用以避免焊接时的焊穿，进一步提高电池底部的焊接优率，以及进一步提升焊接时的可靠性。
13.在一些实施方式中，在所述二次电池的轴向方向，所述凸台的凸起端的投影面积小于所述减薄区的投影面积。
14.在一些实施方式中，所述凸台的凸起端的投影面积与所述减薄区的投影面积之比为0.6:1至0.98:1。此时，利于进一步提高电池底部的焊接优率。
15.在一些实施方式中，所述主体区的厚度为t1，所述减薄区的厚度为t2，所述凸台的厚度为t0，满足：t0≥t1‑ꢀ
t2。
16.在一些实施方式中，所述主体区的厚度为t1，所述减薄区的厚度为t2，所述凸台的厚度为t0，满足：1.0≤t0/（t1‑ꢀ
t2）≤1.3。通过控制所述凸台的厚度大于所述主体区的厚度与所述减薄区的厚度之差，并将所述凸台的厚度t0与所述主体区的厚度t1和所述减薄区的厚度t2之差的比值调控在一定范围内，利于优化电池底部焊接优率，进一步提升电池底部的焊接可靠性。
17.在一些实施方式中，所述凸台的凸起端的端面具有与所述减薄区相同的形状且与所述减薄区贴合设置。此时，利于更好地控制所述凸台与所述减薄区之间的间隙，进一步提高电池底部的焊接优率。
18.需要说明的是，所述凸台的设置适用于所述壳体底部凹陷的三种情况，即所述壳体底部的外表面以朝向所述集流盘的方向内凹形成所述减薄区；和/或，所述壳体底部的内表面以背离所述集流盘的方向内凹形成所述减薄区。
19.在一些实施方式中，所述二次电池包括极片；所述极片沿所述二次电池轴向的一端部留有空箔区；所述空箔区经揉平后形成的揉平面与所述集流盘电连接。
20.所述的极片可以是正极极片，也可以是负极极片；在本技术的一些实施例中，所述极片是正极极片，所述正极极片沿所述二次电池轴向的一端部留有空箔区，所述空箔区经
揉平后形成的揉平面与正极集流盘电连接；或者，在本技术的另一些实施例中，所述极片是负极极片，所述负极极片沿所述二次电池轴向的一端部留有空箔区，所述空箔区经揉平后形成的揉平面与负极集流盘电连接，所述正极集流盘或所述负极集流盘与所述减薄区电连接。
21.在一些实施方式中，上述二次电池为圆柱形二次电池，所述圆柱形二次电池还包括绕卷式裸电芯，所述绕卷式裸电芯包括上述的极片。
22.本技术采用全极耳结构裸电芯的电芯结构，用以改善高倍率放电下的升温问题；所述的全极耳结构裸电芯进一步为全极耳卷绕式裸电芯；具体地，在正极集流体（例如铝箔）表面涂布正极浆料形成正极极片，所述正极极片的一端留有空铝箔区；在负极集流体（例如铜箔）表面涂布负极浆料形成负极极片，所述负极极片的一端留有空铜箔区；所述正极极片和所述负极极片之间还设置有隔离膜，将所述正极极片、所述隔离膜以及所述负极极片层叠卷绕形成所述全极耳卷绕式裸电芯，所述空铝箔区和所述空铜箔区分别设置在所述全极耳卷绕式裸电芯的两端；将所述空铝箔区和所述空铜箔区通过揉平设备分别揉平形成揉平面，所述空铝箔区经揉平后形成的揉平面与正极集流盘电连接，所述空铜箔区经揉平后形成的揉平面与负极集流盘电连接；所述正极集流盘或所述负极集流盘再与所述减薄区电连接。
23.第二方面，本技术提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述的二次电池。
24.本技术一些实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：（1）本技术通过在壳体的底部设置所述减薄区，所述减薄区用以壳体底部的焊接，所述减薄区的面积占所述壳体底部的总面积的2%~30%，其利于降低焊接时的焊接功率，拓宽焊接窗口，且能够提升电池底部的焊接优率；（2）本技术中集流盘朝向所述减薄区一端的端部设置有凸台，所述凸台的凸起端的端面与所述减薄区贴合，用以避免所述集流盘与所述减薄区之间存在较大的缝隙，利于提高焊接优率；同时，调控所述凸台的凸起端在电池轴向的投影面积以及所述凸台的厚度范围，利于进一步提升电池底部焊接优率；（3）本技术采用全极耳卷绕式裸电芯，所述全极耳卷绕式裸电芯端部的空箔区经揉平后形成的揉平面与集流盘电连接，利于改善电池内部过热等安全隐患。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为本技术一实施例的二次电池的剖视图；图2为本技术一实施例的二次电池的底部局部放大图；图3为本技术一实施例的二次电池的底部局部剖视图；图4为本技术另一实施例的二次电池的底部局部剖视图；图5为本技术一实施例的二次电池的底部示意图；图6为本技术另一实施例的二次电池的底部示意图；
图7为本技术再一实施例的二次电池的底部示意图；图8为本技术一实施例的二次电池的底部焊接示意图；图9为本技术另一实施例的二次电池的底部焊接示意图。
27.图中：11、壳体；12、裸电芯；13、正极集流盘；14、负极集流盘；110、壳体底部；1101、减薄区；1102、主体区；140、凸台。
具体实施方式
28.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
29.请参阅图1和图2所示，本技术所述二次电池的第一实施方式包括壳体11，所述壳体11的内部容置有裸电芯12，所述裸电芯12为卷绕式裸电芯，由正极极片、负极极片和隔离膜卷绕后形成，所述正极极片上设置有第一空箔区，所述负极极片上设置有第二空箔区，所述第一空箔区和所述第二空箔区分别设置在所述裸电芯12的两端，所述第一空箔区和所述第二空箔区经揉平后形成的第一揉平面和第二揉平面，其分别与正极集流盘13和负极集流盘14电连接；在本技术第一实施方式的一些实施例中，所述正极集流盘13位于所述壳体11的上端，所述负极集流盘14位于所述壳体11的下端，所述壳体11的下端端部为壳体底部110，所述壳体底部110包括减薄区1101和主体区1102，所述减薄区1101设置在所述壳体底部110的中间位置处，所述壳体底部110不包括减薄区1101的其他区域即为主体区1102，所述主体区1102环绕所述减薄区1101的外周设置并与所述减薄区连接，所述减薄区1101一体成型于所述壳体底部110上，所述减薄区1101通过激光焊（例如穿透焊）与所述负极集流盘14电连接。
30.在本技术第一实施方式的另一些实施例中，所述正极集流盘13位于所述壳体11的下端，所述壳体底部110的中间位置处设置有减薄区1101，所述减薄区1101通过激光焊（例如穿透焊）与所述正极集流盘13电连接。
31.在本技术的其他实施例中，所述减薄区1101还可以非一体成型设于所述壳体底部110，只要能够实现降低焊接功率，拓宽焊接窗口，本技术对此并无限制。
32.本技术通过在所述壳体底部110设置所述减薄区1101以及与所述减薄区1101连接的所述主体区1102，同时控制所述减薄区1101的厚度小于所述主体区1102的厚度，在壳体底部的焊接过程中，通过在所述减薄区1101位置处进行激光焊接，使得所述壳体底部110与所述正极集流盘13或负极集流盘14实现位置固定的电连接，所述减薄区1101的设置可以有效降低所述壳体底部110焊接时的焊接功率，扩宽焊接窗口，利于提高焊接优率。
33.需要说明的是，在本技术中，所述减薄区1101是通过在所述壳体底部110的初始厚度上进行打薄形成的，打薄区域即为减薄区1101，未打薄区域即为主体区1102，因此，所述减薄区1101的厚度毫无质疑的小于所述壳体底部110的初始厚度，而且，所述减薄区1101的厚度方向与所述壳体11的底面垂直，所述主体区1102的厚度方向与所述减薄区1101的厚度方向平行。
34.在一些示例性的实施例中，所述减薄区1101的面积占所述壳体底部110总面积的2%~30%；所述壳体底部110的总面积包括所述主体区1102的面积与减薄区1101的面积之和
（下文中有时也称壳体底部面积）。通过控制所述减薄区的面积与所述壳体底部面积的比例在合适的范围，利于提高电池底部焊接时的焊接优率，例如，若所述减薄区的面积占所述壳体底部面积的比例过小（例如小于壳体底部面积的2%），由于所述减薄区适用于降低电池底部焊接时的焊接功率，所述减薄区的面积过小则壳体底部的焊接面积不够，激光焊接时可能会焊接到未打薄区域（即所述壳体底部不包括所述减薄区的其他区域），易造成激光未穿透壳体底部，导致焊接不良，进而使得焊接优率明显下降，焊接的可靠性也降低；另一方面，若所述减薄区的面积过大，则壳体底部的强度会变弱，电连接后电池的产气现象会使壳体底部出现鼓包并且发生变形，进而影响焊接优率。
35.示例性地，所述减薄区1101面积占所述壳体底部110总面积的2%、5%、8%、10%、15%、20%、25%、30%中的任意两个值组成的范围。
36.在一些示例性的实施例中，所述减薄区1101面积占所述壳体底部110总面积的4%~15%。
37.示例性地，所述减薄区1101面积占所述壳体底部110总面积的4%、6%、8%、10%、12%、14%、15%中的任意两个值组成的范围。此时，通过进一步控制所述减薄区的面积占所述壳体底部总面积的4%~15%，利于提高焊接优率，还可以提高焊接的可靠性。
38.在一些示例性的实施例中，所述减薄区1101的厚度与所述主体区1102的厚度之比为30%~80%。通过控制所述减薄区1101的厚度与所述主体区1102的厚度之比在合适的范围，利于进一步提高焊接优率，具体地，若所述减薄区1101的厚度与所述主体区1102的厚度比过小（例如厚度比小于30%），即所述减薄区1101的厚度相比于所述主体区1102的厚度过薄，则壳体底部的整体强度会变弱，电连接后电池产气会导致壳体的底部鼓包甚至变形；若所述减薄区1101的厚度与所述主体区1102的厚度比过大（例如厚度比大于80%），即壳体底部的打薄效果不明显，底部焊接时的焊接功率也会变大，焊接功率大则会导致壳体的底部产生裂纹，这是由于集流盘和壳体底部的材质不同、熔点不同，功率越大，则集流盘所含材料偏析到熔池的比例越大，导致冷却后两元素不相溶，裂纹越大。可见，所述减薄区的厚度与所述壳体底部的厚度之比过大或者过小均不利于提高焊接优率。示例性地，所述减薄区1101厚度与所述壳体底部110厚度之比为30%、40%、50%、60%、70%、80%中的任意两个值组成的范围。
39.在一些示例性的实施例中，所述减薄区1101的厚度与所述主体区的1102厚度之比为40%~70%。通过进一步控制所述减薄区1101的厚度与所述壳主体区的1102的厚度之比在40%~70%的范围内，利于进一步提高焊接优率，避免壳体底部产生裂纹。
40.示例性地，所述减薄区1101的厚度与所述主体区1102的厚度之比为40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%中的任意两个值组成的范围。
41.参阅图3所示，为本技术的一种实施方式，所述壳体底部110的外表面以朝向所述负极集流盘14的方向内凹以形成所述减薄区1101，图3中b所示的间距即为所述减薄区1101的厚度，a所示的间距即为所述主体区1102的厚度；通过在所述壳体底部110的外表面做外侧打薄，用以使其外表面内凹形成所述减薄区1101，所述减薄区1101与所述壳体底部110一体成型。
42.所述减薄区1101还可以非一体成型设于所述壳体底部110上，所述减薄区1101的材质可以与所述壳体的材质相同，也可以与所述壳体的材质不相同，只要能够实现降低底
部焊接功率、提高底部焊接优率以及提高焊接可靠性即可，本技术对此并无限制。结合图2所示，所述负极集流盘14朝向所述壳体11的底部110的一端端部设有凸台140，所述凸台140与所述减薄区1101贴合设置；进一步地，所述凸台140的凸起端的端面与所述减薄区1101的一侧表面贴合设置。通过在所述负极集流体14的一端端部设置所述凸台140，所述凸台140的凸起端朝向所述减薄区1101延伸且所述凸起端的端面与所述减薄区1101外表面贴合，用以避免所述减薄区1101和所述负极集流盘14之间存在较大缝隙，进而避免壳体底部焊接时的穿孔现象，利于提高电池底部焊接优率，且利于提升焊接的可靠性。
43.需要说明的是，在本技术的其他实施例中，还可以是正极集流盘与减薄区通过激光焊实现电连接，此时，所述正极集流盘朝向所述壳体11的底部110的一端端部设有凸台140，所述凸台140的凸起端的端面与所述减薄区1101的一侧表面贴合设置。
44.在一些示例性的实施例中，所述凸台140凸起端的端面与所述减薄区1101的一侧表面同心贴合设置；通过控制所述凸台140凸起端的端面与所述减薄区1101的外表面同心贴合设置，因为焊接是焊在所述壳体11的底部110的中心，通过将所述减薄区1101与所述凸台140同心设置用以避免焊穿，进而提高电池底部焊接优率，以及提升焊接的可靠性。
45.在一些示例性的实施例中，在所述二次电池的轴向方向，所述凸台140的凸起端的投影面积小于所述减薄区1101的投影面积，而且，所述凸台140的凸起端的投影面积与所述减薄区1101的投影面积之比为0.6:1至0.98:1。
46.所述凸台140凸起端的投影面积过小（例如其与所述打薄区1101的投影面积之比小于0.6:1）则容易导致焊穿，这因为激光经过所述壳体11底部110中间位置处的减薄区1101后，对应位置处若是没有所述凸台140的贴合设置就会因焊穿导致穿孔，不利于提高焊接优率；而若所述凸台140凸起端端面的面积过大，则会因外力导致集流盘变形，集流盘变形会造成不贴合焊接，所述凸台140的端面与所述减薄区1101的不贴合设置会产生较大的间隙，较大的间隙会导致激光的焊穿，造成电连接后壳体的穿孔，不利于提高焊接优率。
47.示例性地，所述凸台140的凸起端的投影面积与所述减薄区1101的投影面积之比为0.6:1、0.7:1、0.8:1、0.9:1、0.98:1中的任意两个值组成的范围。此时，利于进一步提高电池底部的焊接优率。
48.在一些示例性的实施例中，所述主体区1102的厚度为t1（即图3中a所示的间距），需要说明的是，本技术中所述的主体区1102的厚度指的是壳体底部110上未打薄区域的厚度（即壳体底部的初始厚度）；所述减薄区1101的厚度为t2（即图3中b所示的间距），所述凸台140的厚度为t0，且满足：t0≥t1‑ꢀ
t2。所述凸台140的厚度是指在所述二次电池的轴向方向，所述凸台140的底部与其顶部之间的间距。通过控制所述凸台140的厚度大于所述主体区1102的厚度与所述减薄区1101的厚度之差，利于提高电池底部的焊接优率，提升电池底部焊接的可靠性。
49.在一些示例性的实施例中，所述主体区1102的厚度为t1，所述减薄区1101的厚度为t2，所述凸台140的厚度为t0，满足：1.0≤t0/（t1‑ꢀ
t2）≤1.3。通过将所述凸台140的厚度t0与所述主体区1102的厚度t1和所述减薄区的厚度t2之差的比值调控在一定范围内，利于进一步优化电池底部焊接优率，以及进一步提升电池底部焊接的可靠性。
50.示例性地，所述凸台140的厚度t0与所述主体区1102的厚度t1和所述减薄区1101的厚度t2之差的比值为1.0、1.1、1.2、1.3中的任意两个值组成的范围。
51.在一些示例性的实施例中，所述凸台140凸起端的端面具有与所述减薄区1101相同的形状，且所述凸台140凸起端的端面与所述减薄区1101的一侧表面贴合设置；此时，利于更好地控制所述凸台与所述减薄区之间的间隙，进一步提高电池底部的焊接优率。例如，在本技术实施例中，所述凸台140凸起端的端面为圆形、方形或者环形，在本技术的其他实施例中，所述凸台140凸起端面还可以为三角形、多边形等其他平面形状，只要能够满足上述限制条件，实现提升底部焊接优率以及可靠性，本技术对此并无限制。
52.参阅图4，为本技术所述的二次电池的第二实施方式的结构示意图，第二实施方式中，所述二次电池的结构与第一实施方式的结构大体相同，不同之处在于：所述壳体底部110的内表面以背离所述负极集流盘14或正极集流盘13的方向内凹以形成所述减薄区1101。所述负极集流盘14或正极集流盘13靠近所述减薄区1101的端部设置有所述凸台140，所述凸台140的设置与第一实施方式相同。
53.本技术所述的二次电池还有第三种实施方式（图未示），其与第一实施方式的结构大体相同，不同之处在于：所述壳体底部110的内表面以背离所述负极集流盘14或正极集流盘13的方向内凹，同时所述壳体底部110的外表面以朝向所述负极集流盘14或正极集流盘13的方向内凹，即所述壳体底部110的内表面和外表面同时凹陷，以形成所述减薄区1101。所述负极集流盘14或正极集流盘13靠近所述减薄区1101的端部设置有所述凸台140，所述凸台140的设置与第一实施方式相同。
54.参阅图5至图7，在本技术实施例中，所述减薄区1101的中心点位于所述壳体11底面的中轴线上，所述减薄区1101的形状选自圆形、方形、环形中的任一种；参阅图8和图9，所述减薄区1101与所述负极集流盘14或正极集流盘13通过穿透焊焊接，焊接的形貌选自点焊、线焊或螺旋焊接中的任一种；在本技术的其他实施例中，所述减薄区1101的中心点可以位于所述壳体11底面上的其他位置，所述减薄区1101的形状还可以选自三角形、多边形中的任一种，只要能够实现提升底部焊接优率，提高焊接的可靠性，本发明对此并无限制。
55.一种圆柱形二次电池所述圆柱形二次电池包括壳体和卷绕式裸电芯，所述壳体的底部设有减薄区，所述卷绕式裸电芯包括极片，所述的极片可以是正极极片，也可以是负极极片；在本技术的一些实施例中，所述极片是正极极片，所述正极极片沿所述二次电池轴向的一端部留有空箔区，所述空箔区经揉平后形成的揉平面与正极集流盘电连接；或者，在本技术的另一些实施例中，所述极片是负极极片，所述负极极片沿所述二次电池轴向的一端部留有空箔区，所述空箔区经揉平后形成的揉平面与负极集流盘电连接，所述正极集流盘或所述负极集流盘与所述减薄区电连接。
56.所述二次电池的轴向方向是指沿所述二次电池的长度方向，结合图1所示，所述二次电池的长度方向是指所述二次电池壳体的底端到顶端的方向，或者其顶端到底端的方向。
57.一种电子设备所述电子设备包括如上的任意一种二次电池。本技术的电子设备置可用于，但不限于，笔记本电脑、笔输入型计算机、移动电脑、电子书播放器、便携式电话、便携式传真机、便携式复印机、便携式打印机、头戴式立体声耳机、录像机、液晶电视、手提式清洁器、便携cd机、迷你光盘、收发机、电子记事本、计算器、存储卡、便携式录音机、收音机、备用电源、电
机、汽车、摩托车、助力自行车、自行车、照明器具、玩具、游戏机、钟表、电动工具、闪光灯、照相机、家庭用大型蓄电池和锂离子电容器等。
58.以下将结合具体实施例对本技术作进一步详细的说明。
59.实施例1电芯组件制备将正极极片、负极极片和隔膜卷绕后形成所述裸电芯12，所述正极极片上设置有第一空箔区，所述负极极片上设置有第二空箔区，所述第一空箔区和所述第二空箔区分别设置在所述裸电芯12的两端，所述第一空箔区和所述第二空箔区分别经揉平设备揉平后形成第一揉平面和第二揉平面，所述第一揉平面和正极集流盘13电连接，所述第二揉平面和负极集流盘14，所述负极集流盘14背离所述第二揉平面的一侧设置凸台140，所述凸台140的各项参数参见表1所示。
60.电池壳体制备将市面上常见的电池的钢壳作为本技术初始厚度的壳体，初始壳体的壳体直径、壳体底部厚度以及壳体底部面积的参数见表1，将初始厚度的壳体的底部的中间区域进行打薄处理，形成具有减薄区1101的壳体11，所述减薄区1101的各项参数参见表1。
61.二次电池制备将上述制备得到的电芯组件置于上述制备得到的壳体11中，所述凸台140的凸起端的端面与所述减薄区1101的一侧表面同心贴合设置，所述减薄区1101通过穿透焊焊接在所述凸台140上，所述减薄区1101与所述负极集流盘14焊接导通，干燥后注入电解液，将所述裸电芯12另一端的正极集流盘13与盖帽焊接，盖帽带正电，最后盖板与壳体进行端盖激光密封焊接或钳口密封，形成所述二次电池。测试效果见表2。
62.实施例2~20与实施例1不同的是，在电芯组件和电池壳体的制备过程中，分别调控初始壳体的各项参数、凸台140的各项参数以及减薄区1101的各项参数，具体参见表1。测试效果见表2。
63.对比例1~3与实施例1不同的是，在电芯组件和电池壳体的制备过程中，分别调控凸台140的各项参数以及减薄区1101的各项参数，具体参见表1。测试效果见表2。
64.电池底部焊接优率测试电池底部焊接优率=电池良品数/电池总数；其中，电池良品数是指裸电芯装入壳体后通过底部穿透焊在壳体底部的减薄区将负极集流盘与壳体电连接，电连接后壳体未发生焊接不良、形变、裂纹、穿孔的异常的电池数量。
65.表1
组别
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壳体直径/mm主体区厚度/mm壳体底部面积/mm2减薄区面积/mm2减薄区面积/壳体底部总面积%减薄区厚度/mm减薄区厚度/主体区厚度%凸台凸起端投影面积/减薄区投影面积凸台厚度与主体区厚度和减薄区厚度之差的比值实施例15.90.327.330.552%0.1550%0.95:11.2实施例25.90.327.338.2030%0.1550%0.95:11.2实施例35.90.327.331.094%0.1550%0.95:11.2实施例45.90.327.332.198%0.1550%0.95:11.2实施例55.90.327.334.1015%0.1550%0.95:11.2实施例65.90.327.332.198%0.0930%0.95:11.2
实施例75.90.327.332.198%0.2480%0.95:11.2实施例85.90.327.332.198%0.1240%0.95:11.2实施例95.90.327.332.198%0.2170%0.95:11.2实施例105.90.327.332.198%0.1550%0.6:11.2实施例115.90.327.332.198%0.1550%0.98:11.2实施例125.90.327.332.198%0.1550%0.95:11实施例135.90.327.332.198%0.1550%0.95:11.3实施例1412.90.3130.6310.458%0.1550%0.95:11.2实施例1512.90.2130.6310.458%0.150%0.95:11.2实施例1612.90.5130.6310.458%0.2550%0.95:11.2实施例175.90.327.332.198%0.07525%0.95:11.2实施例185.90.327.332.198%0.25585%0.95:11.2实施例195.90.327.332.198%0.1550%0.5:11.2实施例205.90.327.332.198%0.1550%0.95:10.8对比例15.90.327.330.271%0.1550%0.95:11.2对比例25.90.327.338.7432%0.1550%0.95:11.2对比例35.90.327.330.000%0.3100%0.95:11.2
表2组别焊接不良率%变形率%裂纹率%穿孔率%焊接优率%实施例10.18%0.00%0.01%0.00�.81%实施例20.00%0.10%0.01%0.00�.89%实施例30.03%0.01%0.01%0.00�.95%实施例40.00%0.00%0.01%0.00�.99%实施例50.00%0.05%0.01%0.00�.94%实施例60.00%0.06%0.01%0.00�.93%实施例70.00%0.00%0.15%0.00�.85%实施例80.00%0.02%0.01%0.00�.97%实施例90.00%0.00%0.12%0.00�.88%实施例100.00%0.00%0.01%0.03�.96%实施例110.00%0.00%0.01%0.01�.98%实施例120.00%0.00%0.01%0.03�.96%实施例130.00%0.00%0.01%0.00�.99%实施例140.00%0.00%0.01%0.00�.99%实施例150.00%0.00%0.01%0.00�.99%实施例160.00%0.00%0.01%0.00�.99%实施例170.00%0.15%0.01%0.05�.79%实施例180.00%0.00%0.40%0.00�.60%实施例190.00%0.00%0.00%0.25�.75%实施例200.00%0.00%0.01%0.25�.74%对比例10.50%0.00%0.01%0.00�.49%对比例20.00%0.28%0.01%0.00�.71%对比例30.00%0.00%0.45%0.00�.55%对比例1~2和实施例1相比，对比例1中减薄区面积与壳体底部总面积之比仅为1%（低于本技术所述的2%~30%的范围），对比例1在电池底部焊接测试过程中的焊接不良率高
达0.50%，导致其焊接优率仅为99.49%，低于实施例1的焊接优率99.81%，低约0.32%；对比例2中减薄区面积与壳体底部总面积之比高达32%（高于本技术所述的2%~30%的范围），对比例2在电池底部焊接测试过程中的变形率高达0.28%，其焊接优率为99.71%，低于实施例1的焊接优率，低约0.1%。可见，减薄区面积与壳体底部面积之比在合适的范围，利于提高焊接优率。对比例3和实施例1相比，对比例3的壳体底部没有设置所述减薄区，对比例3在电池底部焊接测试过程中的裂纹率高达0.45%，其焊接优率仅为99.55%，远低于实施例1的焊接优率，低约0.26%。可见，在壳体底部设置所述减薄区利于提高电池底部的焊接优率。
66.实施例17-18和实施例1相比，实施例17中减薄区厚度与主体区厚度之比仅为25%（低于本技术所述的30%~80%的范围），实施例17在电池底部焊接测试过程中的变形率为0.15%，穿孔率为0.05%，导致其焊接优率仅为99.79%，低于实施例1的焊接优率；实施例18中减薄区厚度与主体区厚度之比高达85%（高于本技术所述的30%~80%的范围），实施例18在电池底部焊接测试过程中的裂纹率高达0.4%，其焊接优率仅为99.60%，低于实施例1的焊接优率，低约0.21%。可见，壳体底部的减薄区厚度与主体区厚度之比在合适的范围，利于提高焊接优率。
67.实施例19和实施例1相比，实施例19中凸台凸起端投影面积与减薄区投影面积之比仅为0.5:1（低于本技术所述的0.6:1~0.98:1的范围），其在底部焊接测试过程中的穿孔率为0.25%，导致焊接优率仅为99.75%。可见，凸台凸起端投影面积与减薄区投影面积之比在合适的范围，利于提高电池底部的焊接优率。
68.实施例20和实施例1相比，实施例20中凸台厚度与主体区厚度和减薄区厚度之差的比值仅为0.8（低于本技术所述的1.0~1.3的范围），其在底部焊接测试过程中的穿孔率为0.25%，焊接优率仅为99.74%。可见，凸台厚度与主体区厚度和减薄区厚度之差的比值在合适的范围，利于提高电池底部的焊接优率。
69.实施例2~16为实施例1的平行实施例，实施例1~16的焊接优率均在99.81%以上，且焊接优率最高可达99.99%。可见，通过优化减薄区的面积、减薄区的厚度以及设置合适的凸台尺寸可以进一步提高电池底部的焊接优率。
70.本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
71.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。