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供电模块以及稳压电路的制作方法

2022-11-13 23:27:33 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种供电模块,所述供电模块包括:预供电单元,具有电压输入端、电压输出端,所述电压输入端用于输入输入电压,当所述输入电压大于零时,所述预供电单元将所述输入电压转换为输出电压,并通过所述电压输出端输出所述输出电压;防倒灌单元,与所述电压输出端连接,且具有预压输出端和防倒灌使能端,在所述防倒灌使能端接收到的防倒灌使能信号为第一状态时,通过所述预压输出端输出所述电压输出端的电压;第一电压比较单元,与所述防倒灌模块连接,实时接收所述预压输出端的电压,并在所述预压输出端的电压大于预设阈值时,向所述防倒灌使能端输入第二状态的防倒灌信号,以使所述防倒灌单元禁止所述预压输出端的电压输入所述电压输出端,所述第一状态与所述第二状态不同。2.根据权利要求1所述的供电模块,所述供电模块还包括:防残压单元,与所述预压输出端连接,且具有电源输出端和防残压使能端,所述防残压使能端用于接收防倒灌使能信号;在所述防残压使能端接收到防倒灌使能信号为第一状态时,断开所述预压输出端与所述电源输出端之间的连接,使所述预压输出端输出电压;第二电压比较单元,与所述防残压单元连接,实时接收所述电源输出端的电压,并在所述电源输出端的电压大于所述预设阈值时,向所述防残压使能端输入第二状态的防倒灌使能信号,以使所述防残压单元接通所述预压输出端与所述电源输出端,所述预压输出端与所述电源输出端共同输出电压。3.根据权利要求2所述的的供电模块,其中,所述第二电压比较单元在向所述防残压使能端输入第二状态的防倒灌使能信号的同时,还用于向所述防倒灌单元输入第二状态的防倒灌信号。4.根据权利要求2所述的供电模块,其中,所述防残压单元包括:防残压场效应管和反相器;所述防残压场效应管的衬底、源极均与所述预压输出端连接,所述防残压场效应管的栅极与所述反相器的输出端连接,所述防残压场效应管的漏极作为所述电源输出端;所述反相器的输入端作为所述防残压使能端,用于接收防倒灌使能信号。5.根据权利要求1所述的供电模块,其中,所述防倒灌单元包括:防倒灌场效应管,所述防倒灌场效应管的衬底、源极相连作为所述预压输出端,所述防倒灌场效应管的栅极用于接收所述防倒灌使能信号;所述防倒灌场效应管的漏极与所述预供电单元连接。6.根据权利要求5所述的供电模块,其中,所述防倒灌单元还包括:控制场效应管,所述控制场效应管的栅极与所述防倒灌场效应管的栅极连接,所述控制场效应管的漏极与所述预供电单元连接,在接收到第二状态的防倒灌使能信号之后开始工作,所述控制场效应管的源极与地连接。7.根据权利要求1-6任意一项所述的供电模块,其中,所述预供电单元包括:电流镜、压控电流源、负反馈电路、功率管、使能场效应管;所述使能场效应管用于接收供电使能信号,并为所述电流镜提供第一电流;所述电流镜分别与所述压控电流源、所述功率管连接,所述电流镜在得到第一电流之
后,生成第二电流,随着所述压控电流源输出电流的变小,控制所述功率管的通断;所述功率管的漏极与所述负反馈电路的输入端连接作为所述电压输出端,所述功率管的栅极分别与所述电流镜、所述压控电流源连接,所述功率管的源极作为所述电压输入端;所述负反馈电路的输出端与所述压控电流源连接,用于为所述压控电流源连接提供控制电压。8.根据权利要求7所述的供电模块,其中,所述预供电单元还包括:齐纳二极管,所述齐纳二极管的正极与所述功率管的栅极连接,所述齐纳二极管的负极与所述电压输入端连接。9.根据权利要求7所述的供电模块,其中,所述预供电单元还包括:限流电阻;所述使能场效应管的栅极与所述限流电阻的一端连接,所述限流电阻的另一端作为供电使能端,用于接收供电使能信号。10.一种稳压电路,所述电路包括:权利要求1-9任意一项所述的供电模块;电压基准电路,与所述供电模块连接,用于接收所述供电模块的供电,将所述供电转换为基准电压,并输出所述基准电压;线性稳压器,与所述电压基准电路连接,用于接收所述基准电压,并基于所述基准电压向所述供电模块输出稳定电压。

技术总结
本公开的实施例提供一种供电模块,供电模块包括:预供电单元,具有电压输入端、电压输出端,电压输入端用于输入输入电压,当输入电压大于零时,预供电单元将输入电压转换为输出电压,并通过电压输出端输出输出电压;防倒灌单元,与电压输出端连接,且具有预压输出端和防倒灌使能端,在防倒灌使能端接收到的防倒灌使能信号为第一状态时,通过预压输出端输出电压输出端的电压;第一电压比较单元,与防倒灌模块连接,实时接收预压输出端的电压,并在预压输出端的电压大于预设阈值时,向防倒灌使能端输入第二状态的防倒灌信号,以使防倒灌单元禁止预压输出端的电压输入电压输出端。通过本实施例提供的供电模块扩充了输入电压范围。施例提供的供电模块扩充了输入电压范围。施例提供的供电模块扩充了输入电压范围。


技术研发人员:刘伟波 马梦娇
受保护的技术使用者:骏盈半导体(上海)有限公司
技术研发日:2022.08.16
技术公布日:2022/11/11
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