低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法

技术特征：
1.一种低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，包括：在线路基板的内层线路(2)表面真空压合第一abf层(3)；对所述第一abf层(3)进行烘烤，使所述第一abf层(3)的固化度高于50％；在烘烤后的第一abf层(3)上制造第一外层线路(5)；重复上述三个步骤，得到多层印刷线路板；在所述多层印刷线路板表面依次真空压合第二abf层和铜箔(6)；将压合后的第二abf层置于烘箱中烘烤以完成预固化，使所述第二abf层的固化度高于50％；对预固化后的第二abf层进行真空加温加压，使所述第一abf层(3)和第二abf层完全固化，得到完全固化后的多层印刷线路板。2.根据权利要求1所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述在线路板的内层线路(2)表面真空压合第一abf层(3)之前，还包括：对所述内层线路(2)表面进行粗化处理。3.根据权利要求1所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述在烘烤后的第一abf层(3)上制造第一外层线路(5)，包括：对所述烘烤后的第一abf层(3)进行激光钻孔，使第一abf层(3)中形成与所述内层线路(2)连通的第一盲孔(4)；在所述第一abf层(3)表面和所述第一盲孔(4)中形成所述第一外层线路(5)。4.根据权利要求1所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述在烘烤后的第一abf层(3)上制造第一外层线路(5)之后，还包括：在130℃下烘烤30min，以去除水汽。5.根据权利要求1所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述多层印刷线路板中的最外层第一abf层(3)的固化度为50％-80％。6.根据权利要求1所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述对预固化后的第二abf层进行真空加温加压，使所述第一abf层(3)和第二abf层完全固化，具体包括：将预固化后的第二abf层置于真空条件，在层压机的镜面隔离钢板夹持下，通过加温和加压，使所述第一abf层(3)和第二abf层完全固化。7.根据权利要求1所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述得到完全固化后的多层印刷线路板之后，还包括：将所述完全固化后的多层印刷线路板表面的铜箔(6)减薄；去除所述铜箔(6)，在完全固化后的第二abf层上制造第二外层线路(11)，得到低翘曲印刷线路板。8.根据权利要求7所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述减薄后的铜箔(6)厚度小于3μm。9.根据权利要求7所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述去除所述铜箔(6)，在完全固化后的第二abf层上制造第二外层线路(11)，具体包括：对所述第二abf层和铜箔(6)进行激光钻孔，使第二abf层和铜箔(6)中形成与所述第一外层线路(5)连通的第二盲孔(7)；
去除激光钻孔残留胶渣；去除表面的铜箔(6)；在所述第二abf层和所述第二盲孔(7)中化学镀铜，形成电镀种子层(8)；在所述电镀种子层(8)上光刻形成图形电镀掩膜(9)；在所述电镀种子层(8)中未被所述图形电镀掩膜(9)覆盖的区域电镀形成电路图形(10)并填充所述第二盲孔(7)；去除所述图形电镀掩膜(9)；去除所述图形电镀掩膜(9)覆盖的所述电镀种子层(8)，形成所述第二外层线路(11)。10.根据权利要求7所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述得到低翘曲印刷线路板之后，还包括：在所述低翘曲印刷线路板的最外层制造阻焊层(12)。11.根据权利要求10所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述制造阻焊层(12)之后，还包括：在所述低翘曲印刷线路板的最外层未被所述阻焊层(12)覆盖的区域涂覆表面涂敷层(13)。12.根据权利要求11所述的低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，其特征在于，所述涂覆表面涂敷层(13)之后，还包括：在所述表面涂敷层(13)上制作焊球(14)，再将所述焊球(14)压平。

技术总结
本发明提供一种低翘曲高密度多层印刷线路板制造方法，涉及封装基板制造技术领域。该方法包括：在线路基板的内层线路表面真空压合第一ABF层；对第一ABF层进行烘烤，使第一ABF层的固化度高于50％；在烘烤后的第一ABF层上制造第一外层线路；重复上述三个步骤，得到多层印刷线路板；在多层印刷线路板表面依次真空压合第二ABF层和铜箔；将压合后的第二ABF层置于烘箱中烘烤以完成预固化，使第二ABF层的固化度高于50％；对预固化后的第二ABF层进行真空加温加压，使第一ABF层和第二ABF层完全固化，得到完全固化后的多层印刷线路板。本发明可降低基板翘曲和不需要除气孔，在高密度封装基板的设计中具有极其重要的作用。的设计中具有极其重要的作用。的设计中具有极其重要的作用。


技术研发人员：于中尧
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2022.08.24
技术公布日：2022/11/11