探针单元的制作方法

1.本发明涉及一种容置接触探针的探针单元，接触探针对特定电路结构进行信号的输出/输入。


背景技术：

2.传统上，当在对半导体集成电路或液晶面板等检测对象进行导通状态检测或操作特性检测时使用探针单元，该探针单元具备：接触探针，其提供检测对象与用来输出检测用信号的信号处理装置之间的电连接；和探针座，其容置多个上述接触探针。
3.通常，当输出/输入高频的电信号时，会产生被称为插入损耗(insertion loss)的信号损耗。为了在探针单元中高精度地进行高速操作，在所使用的频域中减小该插入损耗很重要。例如，专利文献1公开了一种在接触探针的周围设置空气层，以匹配特性阻抗的技术。
4.专利文献1：日本特开2012-98219号公报


技术实现要素：

5.然而，在专利文献1所公开的技术当中，虽然接触探针的中央部分的阻抗可调整，但前端部、基端部的特性阻抗却是无法调整的。
6.本发明是有鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够调整接触探针整体的特性阻抗的探针单元。
7.为了解决上述问题，以达成目的，本发明的探针单元包括：多个第一接触探针，其分别在长度方向上的一个端部侧与接触对象的电极接触；第二接触探针，其与外部的接地连接；以及探针座，其保持所述第一接触探针和所述第二接触探针，其中，所述探针座中形成有：第一中空部，其插入并保持所述第一接触探针；第二中空部，其插入并保持所述第二接触探针；和通孔，其设置于所述第一中空部的周围，且所述探针座具有导电部，该导电部构成所述通孔，且将所述通孔与所述第二接触探针电连接。
8.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述导电部设置于所述通孔、以及形成该通孔的开口端的表面上。
9.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中所述通孔形成为直径在局部不同的呈台阶状的孔状。
10.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述通孔形成为中心轴的位置彼此不同的呈台阶状的孔状。
11.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述探针座由一个构件形成。
12.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述探针座是在所述第一中空部的贯穿方向上层叠多个构件而形成的。
13.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述通孔由分别形成于所述多个构件中的贯穿孔形成，在至少一个构件中，形成为所述贯穿孔的直径在局部不同的呈台阶状
的孔状。
14.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述通孔由分别形成于所述多个构件中的贯穿孔形成，在至少一个构件中，形成为所述贯穿孔的中心轴的位置彼此不同的呈台阶状的孔状。
15.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，在所述多个构件中分别形成有构成所述通孔的贯穿孔，所述通孔中，在所述构件的层叠方向上彼此相邻的构件中形成的贯穿孔的至少一部分，从该贯穿孔的贯穿方向观察时彼此重叠。
16.此外，根据本发明的探针单元，在上述发明中，所述通孔在从贯穿方向观察时的开口的形状形成为长孔状。
17.根据本发明，具有能够调整接触探针整体的特性阻抗的效果。
附图说明
18.图1为表示本发明实施方式1的探针单元的主要部分的结构的局部截面图。
19.图2为说明本发明实施方式1的探针单元的通孔的配置的图。
20.图3为表示在使用本发明实施方式1的探针座来检测半导体集成电路时的状态的图。
21.图4为说明本发明实施方式1的变形例1的探针单元的通孔的配置的图。
22.图5为说明本发明实施方式1的变形例2的探针单元的通孔的配置的图。
23.图6为说明本发明实施方式1的变形例3的探针单元的通孔的配置的图。
24.图7为说明本发明实施方式1的变形例4的探针单元的通孔的主要部分的结构的截面图。
25.图8为说明本发明实施方式1的变形例5的探针单元的通孔的主要部分的结构的截面图。
26.图9为说明本发明实施方式1的变形例6的探针单元的通孔的主要部分的结构的截面图。
27.图10为表示本发明实施方式2的探针单元的主要部分的结构的局部截面图。
28.图11为表示本发明实施方式3的探针单元的主要部分的结构的局部截面图。
具体实施方式
29.以下参照附图详细说明用于实施本发明的方式。另外，本发明并不限于以下实施方式。此外，以下说明中所参照的各图仅以能够理解本发明内容程度地示意性表示出其形状、尺寸和位置关系，因此，本发明并不仅限于各图中所例示的形状、尺寸和位置关系。
30.实施方式1
31.图1为表示本发明实施方式1的探针单元的主要部分的结构的局部截面图。图1所示的探针单元1为在对作为检测对象物的半导体集成电路进行电气特性检测时所使用的装置，且为电连接半导体集成电路(稍后说明的半导体集成电路100)与用来将检测用信号输出至半导体集成电路的电路基板(稍后说明的电路基板200)之间的装置。
32.探针单元1在长度方向上的两端与彼此不同的两个被接触体、即半导体集成电路100及电路基板200接触，并且具有：导电性的信号用接触探针2a(以下简称为“信号用探针
2a”)，其用于导通检测用的信号；接地用接触探针2b(以下简称为“接地用探针2b”)，其与外部的接地电极连接；探针座3，其依照规定的图案来容置并保持信号用探针2a及接地用探针2b。另外，探针单元1亦可具备：座构件，其设置在探针座3的周围且用于抑制在进行检测时半导体集成电路产生位置偏移。
33.信号用探针2a使用导电性材料而形成，且具备：第一柱塞21，其在进行半导体集成电路的检测时，与该半导体集成电路中被输入检测信号的电极接触；第二柱塞22，其与具备检测电路的电路基板中输出检测信号的电极接触；弹簧构件23，其设置在第一柱塞21与第二柱塞22之间，以可伸缩方式连接第一柱塞21与第二柱塞22。构成信号用探针2a的第一柱塞21、第二柱塞22以及弹簧构件23具有相同的轴线。图1所示的信号用探针2a中，第一柱塞21、第二柱塞22以及弹簧构件23的各个纵轴(中心轴)与轴n
p
一致。
34.信号用探针2a在接触半导体集成电路时，通过弹簧构件23伸缩来缓和对于半导体集成电路的连接用电极的冲击，并且对半导体集成电路及电路基板施加载重。另外，在下文中，在信号用探针2a中，以与半导体集成电路的电极接触的一侧为前端侧，以在轴线方向上与半导体集成电路侧相反的一侧为基端侧。此外，当在柱塞单体中界定前端侧及基端侧时，在与半导体集成电路接触的柱塞中，以半导体集成电路侧为前端侧，以在轴线方向上与半导体集成电路侧相反的一侧为基端侧。此外，在与电路基板接触的柱塞中，以电路基板侧为前端侧，以在轴线方向上与电路基板侧相反的一侧为基端侧。
35.第一柱塞21能够通过弹簧构件23的伸缩作用而在轴线方向上移动，且在检测时，通过弹簧构件23的弹力而在往半导体集成电路接近的方向上施力，进而与半导体集成电路的电极接触。此外，第二柱塞22能够通过弹簧构件23的伸缩作用而在轴线方向上移动，且通过弹簧构件23的弹力而在往电路基板接近的方向上施力，进而与电路基板的电极接触。
36.在弹簧构件23中，其第一柱塞21侧为紧密卷绕部23a，另一方面，其第二柱塞22侧为疏松卷绕部23b。紧密卷绕部23a的端部与第一柱塞21连接。另一方面，疏松卷绕部23b的端部与第二柱塞22连接。此外，第一柱塞21、第二柱塞22与弹簧构件23之间通过弹簧的卷绕力而嵌合及/或通过焊接而接合。
37.接地用探针2b具有与信号用探针2a相同的结构。具体而言，接地用探针2b使用导电性材料而形成，且具备：第一柱塞21，其在进行半导体集成电路的检测时与该半导体集成电路的接地用的电极接触；第二柱塞22，其与电路基板的接地用的电极接触；弹簧构件23，其设置在第一柱塞21与第二柱塞22之间，以可伸缩方式连接第一柱塞21与第二柱塞22。构成接地用探针2b的第一柱塞21、第二柱塞22以及弹簧构件23具有相同的轴线。图1所示的接地用探针2b中，第一柱塞21、第二柱塞22以及弹簧构件23的各个纵轴(中心轴)与轴n
p
一致。
38.探针座3通过将使用树脂、可加工陶瓷、硅等绝缘性材料而形成的第一构件31、第二构件32、第三构件33、第四构件34层叠而形成。在图1所示的探针座3中，由图的上侧起以第三构件33、第一构件31、第二构件32、第四构件34的顺序层叠。第一构件31至第四构件34通过例如螺丝固定或粘合等已知方式来固定。
39.在探针座3中形成有：中空部35，其形成用于容置多个信号用探针2a的空间；中空部36，其形成用于容置多个接地用探针2b的空间。此外，探针座3中在信号用探针2a的周围形成有多个通孔37。
40.在第一构件31中，在形成该第一构件31的表面的面上施加了镀覆处理。镀覆处理
中使用了导电性材料。因此，在第一构件31的表面上形成有第一导电性皮膜31a及第二导电性皮膜31b。另外，第一导电性皮膜31a形成于除中空部35之外的、包括通孔37的形成部分的表面上。此外，第二导电性皮膜31b形成于中空部35的形成部分的表面上。第一导电性皮膜31a与第二导电性皮膜31b彼此分离，以确保绝缘。在图1所示的例子当中，通过切除皮膜的一部分来分离皮膜。
41.在第二构件32至第四构件34中与第一构件31同样地，在除了形成中空部35的内周面的部分之外的表面上，施加了镀覆处理。在第二构件32的表面上形成有第一导电性皮膜32a及第二导电性皮膜32b。在第三构件33的表面上形成有第一导电性皮膜33a及第二导电性皮膜33b。在第四构件34的表面上形成有第一导电性皮膜34a及第二导电性皮膜34b。第一导电性皮膜32a～34a形成于除中空部35之外的、包括通孔37的形成部分的表面上。此外，第二导电性皮膜32b～34b形成于中空部35的形成部分的表面上。第一导电性皮膜31a～34a中至少有一部分构成导电部。
42.因此，在通过层叠第一构件31至第四构件34而形成的探针座3中，在各个构件之间的边界以及外表面上存在导电性皮膜。
43.通过使形成于第一构件31至第四构件34的贯穿孔彼此的轴线一致而形成中空部35。在中空部35中，在内周面上形成有第二导电性皮膜31b～34b，以形成导电性的内周面。中空部35延伸在第一构件31至第四构件34的层叠方向上。
44.通过使形成于第一构件31至第四构件34的贯穿孔彼此的轴线一致而形成中空部36。在中空部36中，在内周面上形成有第一导电性皮膜31a～34a，以形成导电性的内周面。
45.中空部35、36的形成位置根据半导体集成电路的布线图案来决定。中空部35、36皆具有其直径沿着贯穿方向而不同的呈台阶状的孔状。也就是说，各个座孔由小直径部及大直径部所构成，其中小直径部在探针座3的端面上具有开口，且大直径部的直径比此小直径部大。图1所示的探针座3中，在第一构件31与第三构件33之间的边界、第二构件32与第四构件34之间的边界中，分别形成有台阶部。各个座孔的形状根据其所容置的信号用探针2a及接地用探针2b的结构而决定。
46.信号用探针2a的第一柱塞21通过使凸缘与第三构件33的壁面抵接，而具有防止信号用探针2a从探针座3上脱落的功能。此外，第二柱塞22通过使凸缘与第四构件34的壁面抵接，而具有防止信号用探针2a从探针座3上脱落的功能。
47.接地用探针2b的第一柱塞21通过使凸缘与第三构件33的壁面抵接，而具有防止接地用探针2b从探针座3上脱落的功能。此外，第二柱塞22通过使凸缘与第四构件34的壁面抵接，而具有防止接地用探针2b从探针座3上脱落的功能。
48.通过使形成于第一构件31至第四构件34的贯穿孔彼此的轴线一致而形成通孔37。也就是说，通孔37设置为从探针座3中信号用探针2a的前端侧的表面起而遍及至基端侧的表面。在图1所示的通孔37中，各个贯穿孔的中心轴与轴n
t
重叠。通孔37中，在垂直于贯穿方向的方向上的开口的形状呈圆形。通孔37中，在内周面上形成第一导电性皮膜31a～34a，以形成导电性的内周面。
49.通孔37形成圆柱状的中空空间，且在信号用探针2a的周围形成一个或多个。在本实施方式1当中所说明的是在一个信号用探针2a的周围形成八个通孔37的例子。图2为说明本发明实施方式1的探针单元的通孔的配置的图。例如，以信号用探针2a的配置位置(轴n
p
)
为中心，等间隔地设置八个通孔37。在图2中，各个通孔37的贯穿孔的直径相同，且各个通孔37与轴n
p
之间的最短距离为彼此相同的距离d1。也就是说，经过所有的通孔37的中心的圆(图2的虚线)的中心与信号用探针2a的中心(轴n
p
)重叠。由所有的通孔37形成的通孔群相对于信号用探针2a具有同轴结构。
50.在本实施方式1中，决定好通孔37的配置位置、数量、通孔37形成的各个贯穿孔的大小等，以使得将信号用探针2a及接地用探针2b视为一个传送路径时的特性阻抗成为事先设定的值(例如50ω)。
51.图3为表示探针单元1在检测半导体集成电路100时的状态的图。在检测时，在信号用探针2a中，第一柱塞21与半导体集成电路100的检测信号用的电极101接触，第二柱塞22与电路基板200的检测信号用的电极201接触。另一方面，在接地用探针2b中，第一柱塞21与半导体集成电路100的接地用的电极102接触，第二柱塞22与电路基板200的接地用的电极202接触。在检测半导体集成电路100时，通过来自半导体集成电路100的接触载重，使得弹簧构件23呈受到压缩的状态。
52.在检测时从电路基板200供给至半导体集成电路100的检测用信号，例如，从电路基板200的电极201起，经由信号用探针2a的第二柱塞22、紧密卷绕部23a(或是第二导电性皮膜)、第一柱塞21，进而到达半导体集成电路100的电极101。如上所述，在信号用探针2a中，由于第一柱塞21及第二柱塞22经由紧密卷绕部23a而导通，因此能够将电气信号的导通路径最小化。因此，能够防止检测时信号流动至疏松卷绕部23b，并降低电阻及电感。此时，经由第二柱塞22、第二导电性皮膜、第一柱塞21的路径可不通过弹簧构件23而传送信号。
53.此外，接地用探针2b的第一柱塞21与第一导电性皮膜33a或31a接触。另一方面，接地用探针2b的第二柱塞22与第一导电性皮膜34a或32a接触。而且，接地用探针2b的弹簧构件23与第一导电性皮膜31a或32a接触。
54.通常，在处理交流信号的电子电路中，已知在具有不同阻抗的布线彼此连接的位置上，会依照不同阻抗间的比所对应的量来反射信号，阻碍了信号的传递。此情况在所使用的半导体集成电路100与信号用探针2a之间的关系中亦然，当半导体集成电路100的特性阻抗、信号用探针2a中的特性阻抗等两者具有明显不同的值时，产生电气信号的损失，并且电气信号的波形失真。
55.此外，由于特性阻抗的差异，使得在连接位置上所产生的信号反射的比例随着半导体集成电路100的高速化，即高频化而变大。因此，当在制作与以高频驱动的半导体集成电路100相对应的探针单元1时，高精度地进行阻抗调整，以使信号用探针2a的特性阻抗的值与半导体集成电路100的值一致很重要。
56.然而，从进行阻抗匹配的观点来看，改变信号用探针2a的形状等并不容易。信号用探针2a中，其外径被抑制在1mm以下，且具有由第一柱塞21、第二柱塞22及弹簧构件23所构成的复杂形状等限制是原本就被施加的，因此，从设计及制造的观点来看，要改变为适于阻抗匹配的形状是困难的。
57.因此，在本实施方式中，并非改变信号用探针2a的结构，而是采用了通过在第一柱塞21、第二柱塞22及弹簧构件23的周围配置通孔37来调整特性阻抗的值的结构。通过采用此种结构，使得在信号用探针2a的结构上能够通用传统的结构。例如，可将与传统的接地用探针2b相同的探针作为信号用探针2a使用。
58.此外，在本实施方式中，由于不必将信号用探针2a改变为适于阻抗匹配的形状，因此能够提升所使用的探针的形状的自由度。
59.而且，在本实施方式1中，在信号用探针2a的周围，设置了在探针座3中信号用探针2a的前端侧的表面起而遍及至基端侧的表面的通孔37，由此能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗的值。具体而言，能够通过调整通孔的配置数量、通孔的贯穿孔的直径、通孔的配置(相对于信号用探针2a的距离)，来调整特性阻抗的值。而且，通过用多个通孔37来围绕信号用探针2a，能够不易受到由于噪音等外部因素所造成的影响，并且能够降低由于能量流出至外部所导致的能量损失。
60.在上述的实施方式1中，将通孔37配置在信号用探针2a的周围，并经由接地用探针2b而连接至外部的接地。根据本实施方式1，通过间接地连接至外部的接地的通孔37，能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗。根据本实施方式1能够调整包括信号用探针2a的端部在内的整体的特性阻抗。此外，根据本实施方式1，通过调整通孔的位置，能够调整相对于信号用探针2a的垂直于轴线方向的方向上的接地位置。
61.此外，根据上述的实施方式1，由于探针座3的外表面被导电性皮膜所覆盖，因此相较于未施加镀覆处理的情况具有优异的高频特性。
62.此外，根据上述的实施方式1，由于通过通孔能够调整特性阻抗，因此能够提升接地用探针2b的配置自由度。
63.另外，在上述的实施方式1中，亦可为第一导电性皮膜33a、34a与外部的接地连接的结构。
64.此外，在上述的实施方式1中，已说明了相对于信号用探针的轴n
p
对称地配置多个通孔的示例，但亦可为非对称的配置。
65.此外，在上述的实施方式1中，已说明了相对于一个信号用探针均等地配置多个通孔的示例，但亦可非均等地配置通孔。此时，非均等可为以信号用探针的轴n
p
上的一点为中心的圆的周向距离不同等的非均等，亦可为距离轴n
p
最短距离(上述距离d1)彼此不同等的非均等，亦可为两者兼具。
66.此外，在上述实施方式1中，已针对在探针座3的各个构件上形成导电性皮膜的示例进行了说明，但亦可使用相较于构件的厚度足够薄的导电性的板、片、膜等，来取代皮膜。
67.此外，在上述实施方式1中，已说明了在中空部35的表面上形成第二导电性皮膜31b～34b，以形成导电性的贯穿孔的情况，但亦可不形成第二导电性皮膜而为绝缘性的内周面。
68.变形例1
69.图4为说明本发明实施方式1的变形例1的探针单元的通孔的配置的图。变形例1的探针单元中，上述探针座3中有一部分的通孔的尺寸具有差异。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
70.在变形例1的探针座中，在信号用探针2a的周围形成六个通孔37、两个通孔37a。在图4中示出了三组通孔37配置为隔着轴n
p
而分别彼此面对，且通孔37a配置为隔着轴n
p
而彼此面对的示例。
71.通过使形成于第一构件31至第四构件34中的贯穿孔彼此的轴线一致而形成通孔37a。通孔37a形成圆柱状的中空空间。通孔37a中，垂直于贯穿方向的方向上的开口的形状
呈圆形。通孔37a在内周面上形成导电性皮膜(例如上述的第一导电性皮膜31a～34a)，其内周面具有导电性。通孔37a的贯穿孔的直径大于通孔37的贯穿孔的直径。
72.通孔37、37a配置在使得各个贯穿孔的中心经过了以信号用探针2a的轴n
p
为中心的圆(图4的虚线)的位置。此外，通孔37a与轴n
p
之间的最短距离d2比通孔37与轴n
p
之间的最短距离d1短。
73.如本变形例1般，在信号用探针2a的周围配置了彼此尺寸不同的通孔37、37a，且经由接地用探针2b连接至外部的接地。在变形例1中也与实施方式1同样地，通过间接地连接至外部的接地的通孔37、37a，能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗。
74.变形例2
75.图5为说明本发明实施方式1的变形例2的探针单元的通孔的配置的图。变形例2的探针单元中，上述探针座3中有一部分的通孔的尺寸、配置具有差异。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
76.在变形例2的探针座中，在信号用探针2a的周围形成六个通孔37、两个通孔37a。在图5中示出了三组通孔37配置为隔着轴n
p
而分别彼此面对，且通孔37a配置为隔着轴n
p
而彼此面对的示例。
77.通孔37、37a配置在使得通孔37与轴n
p
之间的最短距离、以及通孔37a与轴n
p
之间的最短距离，为相同的距离d1的位置。
78.如本变形例2般，在信号用探针2a的周围配置彼此尺寸不同的通孔37、37a，并经由接地用探针2b连接至外部的接地。在变形例2中也与实施方式1同样地，通过间接地连接至外部的接地的通孔37、37a，能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗。
79.变形例3
80.图6为说明本发明实施方式1的变形例3的探针单元的通孔的配置的图。变形例3的探针单元中，上述探针座3中有一部分的通孔的尺寸、配置具有差异。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
81.在变形例3的探针座中，在信号用探针2a的周围形成八个通孔37b。在图6中示出了四组通孔37b配置为隔着轴n
p
而分别彼此面对的示例。
82.通孔37b在从贯穿方向观察时的开口的形状形成为长孔状。通孔37b配置在使得各个贯穿孔的重心经过了以信号用探针2a的轴n
p
为中心的圆(图6的虚线)的位置。在通孔37b中也在内周面上形成导电性皮膜(例如上述的第一导电性皮膜31a～34a)，使得内周面具有导电性。
83.如本变形例3般，在信号用探针2a的周围配置多个通孔37b，并经由接地用探针2b连接至外部的接地。在变形例3中也与实施方式1同样地，通过间接地连接至外部的接地的通孔37b，能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗。
84.此外，在变形例3中，由于将通孔37b的贯穿孔的开口形状形成为长孔，因此相较于通孔37、37a，扩大了以通孔37b围绕信号用探针2a的范围。如上述般通过将通孔的形状形成为圆形以外的形状，使得特性阻抗的调整自由度提升，其结果为能够提升探针单元的高频特性。此外，通过扩大围绕的范围，能够进一步降低由于往外部流出能量所导致的能量损失。
85.变形例4
86.图7为说明本发明实施方式1的变形例4的探针单元的通孔的主要部分的结构的截面图。变形例4的探针单元中，上述探针座3中的通孔的形状具有差异。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
87.通过使形成于第一构件31至第四构件34的贯穿孔互相连通而形成变形例4的通孔。在通孔中，在内周面上形成导电性皮膜(例如上述的第一导电性皮膜31a～34a)，以形成导电性的内周面。通孔的直径在局部不同。具体而言，例如，形成于第三构件33的贯穿孔37a的直径q1与形成于第一构件31的贯穿孔37b的直径q2彼此不同。贯穿孔37a的中心轴n1与贯穿孔37b的中心轴n2彼此连接成直线状。
88.如本变形例4般，在信号用探针2a的周围配置形成呈台阶状的孔状的通孔，并经由接地用探针2b连接至外部的接地，由此能够获得与实施方式1同样的效果，并且能够根据信号用探针2a的形状来调整特性阻抗。
89.变形例5
90.图8为说明本发明实施方式1的变形例5的探针单元的通孔的主要部分的结构的截面图。变形例5的探针单元中，上述探针座3中的通孔的形状具有差异。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
91.通过使形成于第一构件31至第四构件34的贯穿孔互相连通而形成变形例5的通孔。在通孔中，在内周面上形成导电性皮膜(例如上述的第一导电性皮膜31a～34a)，以形成导电性的内周面。通孔的轴的位置在局部不同。具体而言，例如，形成于第三构件33的贯穿孔37c的中心轴n1与形成于第一构件31的贯穿孔37d的中心轴n2的位置彼此不同。此外，贯穿孔37c的直径q3与贯穿孔37d的直径q4具有相同的直径。如上述般，变形例5的通孔由中心轴的位置在局部不同的贯穿孔形成。此时，由第一构件31至第四构件34的层叠方向观察通孔时，形成于构件的层叠方向上彼此相邻的构件上的贯穿孔中的至少一部分彼此重叠。通过使形成于各个构件的贯穿孔彼此间至少有一部分连通而形成通孔。
92.如本变形例5般，在信号用探针2a的周围配置使一部分的贯穿孔的轴错位的呈台阶形的孔状的通孔，并经由接地用探针2b连接至外部的接地，由此能够获得与实施方式1同样的效果，并且能够根据信号用探针2a的形状来调整特性阻抗。
93.变形例6
94.图9为说明本发明实施方式1的变形例6的探针单元的通孔的主要部分的结构的截面图。变形例6的探针单元中，上述探针座3中的通孔的形状具有差异。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
95.通过使形成于第一构件31至第四构件34的贯穿孔彼此连通而形成变形例6的通孔。在通孔中，在内周面上形成导电性皮膜(例如上述第一导电性皮膜31a～34a)，以形成导电性的内周面。通孔的直径、轴的位置在局部不同。具体而言，例如，形成于第三构件33的贯穿孔37e的直径q5与形成于第一构件31的贯穿孔37f的直径q6彼此不同。此外，贯穿孔37e的中心轴n1与贯穿孔37f的中心轴n2彼此的位置不同。
96.如本变形例6般，在信号用探针2a的周围配置使一部分的贯穿孔的直径不同且轴错位的呈台阶形的孔状的通孔，并经由接地用探针2b连接至外部的接地，由此能够获得与实施方式1同样的效果，并且能够根据信号用探针2a的形状来调整特性阻抗。
97.亦可构成为适当地组合变形例1～6的通孔的结构。例如，对于配置在同一个探针
座中的各个信号用探针，亦可使其至少一部分的形状、配置具有差异。
98.实施方式2
99.接着参照图10来说明实施方式2。图10为表示本发明实施方式2的探针单元的主要部分的结构的局部截面图。实施方式2的探针单元具有探针座3a以取代上述探针座3。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
100.探针座3a由使用树脂、可加工陶瓷、硅等的绝缘性材料而形成的单个构件形成。探针座3a中形成有：中空部35，其形成用于容置多个信号用探针2a的空间；中空部(上述中空部36)，其形成用于容置多个接地用探针2b的空间。中空部35、36呈具有可允许接触探针的插拔并可防止其脱落的直径的孔状。此外，在探针座3a中，在信号用探针2a的周围形成多个通孔38。
101.在探针座3a中，在该探针座3a的表面上施加镀覆处理。在镀覆处理中使用了导电性的材料。因此，在探针座3a的表面上形成第一导电性皮膜3a及第二导电性皮膜3b。另外，第一导电性皮膜3a形成于除中空部35之外的、包括通孔38的形成部分的表面上。此外，第二导电性皮膜3b形成于中空部35的形成部分的表面上。第一导电性皮膜3a与第二导电性皮膜3b之间彼此分离，以确保绝缘。
102.通孔38为垂直于贯穿方向的方向上的开口的形状呈圆形且直径在局部不同的贯穿孔。具体而言，通孔38具有：第一孔部38a，其形成于一个表面侧(在图10中为第一柱塞21延伸的一侧)；第二孔部38b，其形成于另一个表面侧(在图10中为第二柱塞22延伸的一侧)；第三孔部38c，其设置在第一孔部38a与第二孔部38b之间。第一孔部38a及第二孔部38b的开口的直径大于第三孔部38c的开口的直径。在通孔38中，在内周面上形成第一导电性皮膜3a，以形成导电性的内周面。另外，第一孔部38a、第二孔部38b及第三孔部38c的各个中心轴彼此连接成直线状。
103.通孔38形成其直径在局部不同的呈台阶状的圆柱状的中空空间，并且在信号用探针2a的周围形成有多个。例如，与实施方式1同样地，在一个信号用探针2a的周围形成八个通孔38。
104.在上述实施方式2中，在信号用探针2a的周围配置通孔38，并经由接地用探针2b连接至外部的接地。如上述般，根据本实施方式2，通过间接地连接至外部的接地的通孔38，能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗。根据本实施方式2，能够调整包括信号用探针2a的端部在内的整体特性阻抗。此外，根据本实施方式2，通过调整通孔的位置，能够调整相对于信号用探针2a的垂直于轴线方向的方向上的接地位置。
105.此外，在实施方式2中，由于通孔38的贯穿孔的直径在局部不同，因此，能够根据信号用探针2a的形状来调整特性阻抗。
106.实施方式3
107.接着参照图11来说明实施方式3。图11为表示本发明实施方式3的探针单元的主要部分的结构的局部截面图。实施方式3的探针单元具有探针座4以取代上述探针座3。其他结构与探针单元1相同的结构，因此省略其说明。
108.探针座4将使用树脂、可加工陶瓷、硅等的绝缘性材料而形成的第一构件41、第二构件42予以层叠而形成。图11所示的探针座4由图的上侧起以第一构件41、第二构件42的順序层叠。第一构件41及第二构件42通过螺丝固定或黏合等已知的方法来固定。
109.在探针座4中形成有：中空部35，其形成用于容置多个信号用探针2a的空间；中空部(未图示出)，其形成用于容置多个接地用探针2b的空间。此外，在探针座4中，在信号用探针2a的周围形成多个通孔43。
110.在第一构件41中，在形成该第一构件41的表面的面上施加了镀覆处理。镀覆处理中使用了导电性的材料。因此，在第一构件41的表面上形成有第一导电性皮膜41a及第二导电性皮膜41b。另外，第一导电性皮膜41a形成于除中空部35之外的、包括通孔43的形成部分的表面上。此外，第二导电性皮膜41b形成于中空部35的形成部分的表面上。第一导电性皮膜41a与第二导电性皮膜41b彼此分离，以确保绝缘。
111.在第二构件42中，与第一构件41同样地，在形成第二构件42的表面的面上施加了镀覆处理。在第二构件42的表面上形成有第一导电性皮膜42a及第二导电性皮膜42b。另外，第一导电性皮膜42a形成于除中空部35之外的、包括通孔43的形成部分的表面上。此外，第二导电性皮膜42b形成于中空部35的形成部分的表面上。第一导电性皮膜42a与第二导电性皮膜42b彼此分离，以确保绝缘。
112.因此，在通过层叠第一构件41及第二构件42而形成的探针座4中，在各个构件之间的边界及外表面上存在导电性皮膜。
113.通过使形成于第一构件41及第二构件42的贯穿孔彼此的轴线一致而形成中空部35。在中空部35中，在内周面上形成第二导电性皮膜41b、42b，以形成导电性的内周面。
114.通孔43为垂直于贯穿方向的方向上的开口的形状呈圆形，且中心轴的位置在局部不同并呈台阶状的贯穿孔。具体而言，通孔43具有：第一孔部43a，其形成于探针座4的一个表面侧(在图11中第一柱塞21延伸的一侧)；第二孔部43b，其形成于另一个表面侧(在图11中第二柱塞22延伸的一侧)；第三孔部43c，其设置在第一孔部43a与第二孔部43b之间。第一孔部43a、第二孔部43b及第三孔部43c的开口的直径彼此相同。此外，在相邻的孔部彼此连通的范围内，第一孔部43a、第二孔部43b的中心轴n
t1
、n
t2
与第三孔部43c的中心轴n
t3
之间的位置互不相同。在通孔43中，在内周面上形成第一导电性皮膜41a、42a，以形成导电性的内周面。
115.通孔43形成呈台阶状的圆柱状的中空空间，并且在信号用探针2a的周围形成有多个通孔43。关于通孔43，可为例如与实施方式1同样地，在一个信号用探针2a的周围形成八个通孔43。
116.在上述实施方式3中，在信号用探针2a的周围配置通孔43，且经由接地用探针2b连接至外部的接地。由此，根据本实施方式3，通过间接地连接至外部的接地的通孔43，能够调整信号用探针2a的前端部及基端部的特性阻抗。根据本实施方式3，能够调整包括信号用探针2a的端部在内的整体特性阻抗。此外，根据本实施方式3，通过调整通孔的位置，能够调整相对于信号用探针2a的垂直于轴线方向的方向上的接地位置。
117.此外，在实施方式3中，通孔43的各个贯穿孔中，中心轴的位置在局部不同，因此能够根据信号用探针2a的形状来调整特性阻抗。
118.可适当地组合以上所说明的实施方式1～3及其变形例。此外，亦可针对各接触探针，由实施方式及变形例1～3的通孔的配置或形状来个别地选择并采用其结构。
119.另外，在此所说明的接触探针的结构仅为一示例，可应用公知的各种种类的探针。例如，不限在由如上述般的柱塞及螺旋弹簧所构成，亦可为：具有管构件的探针、弹簧针、实
心的导电性构件、导电性的管件、或是可将线挠曲成弓状而获得载重的线探针、或是用于连接电气接点之间的连接端子(连接器)，亦可适当组合此等探针。
120.此外，关于上述实施方式1～3及其变形例的探针座列举了层叠四个或两个构件而构成的例子以及由一个构件所构成的例子，但亦可层叠三个构件、五个以上的构件而构成。
121.此外，在上述实施方式1～3及其变形例中，关于导电性皮膜，只要可电连接通孔及接地用探针2b即可，亦可并未在探针座3的构件的整个表面上形成，而是局部地形成图案。例如，亦可为此结构：使导电性皮膜形成于构成通孔的部分、以及构成通孔的开口端的构件(例如图1所示第三构件33及第四构件34)的外表面。此时，至少在检测时导电性皮膜与接地用探针2b电连接。
122.如上所述，本发明亦可包括并未在此记载的各种实施方式等，在未脱离本技术权利要求书所界定的技术思想的范围内，可进行各种设计变更等。
123.如上所述，本发明的探针单元适于调整接触探针整体的特性阻抗。
124.符号说明
[0125]1ꢀꢀꢀꢀ
探针单元
[0126]
2a
ꢀꢀꢀ
接触探针(信号用探针)
[0127]
2b
ꢀꢀꢀ
接触探针(接地用探针)
[0128]
3、3a、3b 探针座
[0129]
3a、31a～34a、41a、42a
ꢀꢀꢀꢀ
第一导电性皮膜
[0130]
3b、31b～34b、41b、42b
ꢀꢀꢀꢀ
第二导电性皮膜
[0131]
21
ꢀꢀꢀꢀ
第一柱塞
[0132]
22
ꢀꢀꢀꢀ
第二柱塞
[0133]
23
ꢀꢀꢀꢀ
弹簧构件
[0134]
23a
ꢀꢀꢀ
紧密卷绕部
[0135]
23b
ꢀꢀꢀ
疏松卷绕部
[0136]
31、41
ꢀꢀꢀ
第一构件
[0137]
32、42
ꢀꢀꢀ
第二构件
[0138]
33
ꢀꢀꢀꢀ
第三构件
[0139]
34
ꢀꢀꢀꢀ
第四构件
[0140]
35、36
ꢀꢀꢀ
中空部
[0141]
37、37a、37b、38、43
ꢀꢀꢀ
通孔
[0142]
100
ꢀꢀꢀ
半导体集成电路
[0143]
101、102、201、202
ꢀꢀ
电极
[0144]
200
ꢀꢀꢀ
电路基板