半导体处理液及其制造方法与流程

技术特征：
1.半导体处理液，其为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在sus304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下，[化学式1]式(1)中，r1及r2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基；其中，r1及r2的碳原子数合计为3以下；r3表示氢原子或异丙基。2.如权利要求1所述的半导体处理液，其中，所述式(1)中的r1及r2的碳原子数合计为1～3。3.如权利要求1所述的半导体处理液，其中，所述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物为4,5,5-三甲基四氢呋喃-2-醇或2-异丙氧基-4,5,5-三甲基四氢呋喃。4.半导体处理液，其为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，所述半导体处理液含有下述式(2)表示的α,β-不饱和醛化合物，[化学式2]式(2)中，r1及r2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基；其中，r1及r2的碳原子数合计为3以下；在将所述式(2)表示的α,β-不饱和醛化合物的浓度换算成由该α,β-不饱和醛化合物衍生的下述式(1)中的r3为异丙基的氧杂环戊烷化合物的浓度时，所述式(2)表示的α,β-不饱和醛化合物、与下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的合计浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下，[化学式3]式(1)中，r1及r2的含义与所述式(2)相同；r3表示氢原子或异丙基。5.如权利要求4所述的半导体处理液，其中，所述式(2)表示的α,β-不饱和醛化合物的碳原子数为4～6。6.如权利要求4所述的半导体处理液，其中，所述式(2)表示的α,β-不饱和醛化合物为巴豆醛。7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体处理液，其中，水分量以质量基准计为0.1～
100ppm。8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体处理液，其中，异丙醇是利用丙烯的直接水合法得到的。9.权利要求1～7中任一项所述的半导体处理液的制造方法，所述半导体处理液的制造方法包括下述工序：低沸蒸馏工序，利用低沸蒸馏塔对含水量为80质量％以上的粗异丙醇水溶液进行蒸馏，将沸点比异丙醇低的低沸杂质从所述低沸蒸馏塔的塔顶蒸馏除去，并且从所述低沸蒸馏塔的塔底得到除去了低沸杂质的异丙醇水溶液；共沸蒸馏工序，利用共沸蒸馏塔对所述异丙醇水溶液进行蒸馏，将异丙醇与水的共沸混合物从所述共沸蒸馏塔的塔顶蒸馏除去，并且将沸点比异丙醇高的高沸杂质从所述共沸蒸馏塔的塔底排出；和脱水工序，对所述共沸混合物进行脱水，得到高纯度异丙醇，在所述低沸蒸馏工序中，将在所述低沸蒸馏塔的塔内流下的液体以相对于向该低沸蒸馏塔供给的所述粗异丙醇水溶液而言为0.1体积％以上的比例从该低沸蒸馏塔的中间提取为侧流，将该侧流的实质总量排出至体系外。10.如权利要求9所述的半导体处理液的制造方法，其中，所述低沸蒸馏工序中的所述侧流的提取位置是从所述低沸蒸馏塔的上层起算10～50％的位置。11.如权利要求9或10所述的半导体处理液的制造方法，其中，所述粗异丙醇水溶液是利用丙烯的直接水合法得到的。

技术总结
本发明提供半导体处理液及其制造方法，所述半导体处理液为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在SUS304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下。式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R1及R2的碳原子数合计为3以下。R3表示氢原子或异丙基。表示氢原子或异丙基。表示氢原子或异丙基。表示氢原子或异丙基。


技术研发人员：品川正志 德永贵史 三嶋祐 保坂俊辅
受保护的技术使用者：株式会社德山
技术研发日：2021.03.30
技术公布日：2022/11/11