确定注射状态的制作方法

技术特征：
1.一种电子装置(104)，包括：壳体(203)，所述壳体被配置成附接到注射装置(102)；线圈(406a，406b)，所述线圈布置在所述壳体(203)中并且被配置成当所述电子装置(104)附接到所述注射装置(102)时，随着所述注射装置(102)的韦根线(224，226)从靠近第一磁体(402a，406b)的第一位置向靠近第二磁体(404a，404b)的第二位置移动而提供电压脉冲；和一个或多个处理器(308)，所述一个或多个处理器被配置用于接收所述电压脉冲。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一磁体(402a，406b)和所述第二磁体(404a，404b)中的至少一者布置在所述注射装置(102)的壳体(203)内。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一磁体(402a，406b)和所述第二磁体(404a，404b)中的至少一者布置在所述电子装置(104)的壳体(302)内。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述韦根线附接至所述注射装置(102)的可移动部件(208，220)，使得所述线圈(406a，406b)随着所述可移动部件(220)相对于所述电子装置(104)从靠近第一磁体(402a，406b)的第一位置向靠近第二磁体(404a，404b)的第二位置移动而提供电压脉冲。5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述一个或多个处理器被配置成基于所接收的电压脉冲来确定所述可移动部件(208，220)的位置。6.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述可移动部件(208，220)包括栓塞(208)、针护罩(220)或剂量旋钮(212)。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中当所述电子装置(104)附接至所述注射装置(102)时，所述电子装置(104)的壳体(302)被配置使得所述第一磁体(402a，406b)、所述第二磁体(404a，404b)和所述线圈(406a，406b)中的至少一者定位成靠近所述注射装置(102)的韦根线(224，226)。8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述电子装置(104)的壳体(302)被配置成相对于所述注射装置(102)的壳体(203)滑动，以将所述电子装置(104)定位成靠近所述注射装置(102)的韦根线(224，226)。9.一种注射装置(102)，包括：壳体(203)；和可移动部件(208，220)，所述可移动部件被配置成相对于所述壳体(203)移动并且包括韦根线(224，226)，其中所述壳体(203)被配置成使得电子装置(104)能够被附件至注射装置(102)，所述电子装置(104)包括：线圈(406a，406b)，其被配置成当所述电子装置(104)附接到所述注射装置(102)时，随着所述可移动部件(208，220)从第一位置向第二位置移动而提供电压脉冲，其中在所述第一位置，所述韦根线(224，226)靠近第一磁体(402a，406b)以及在所述第二位置，所述韦根线(224，226)靠近第二磁体(404a，404b)，和一个或多个处理器(308)，所述一个或多个处理器被配置用于接收所述电压脉冲。10.一种系统，包括：注射装置(102)，其包括：
壳体(203)；和可移动部件(208，220)，所述可移动部件被配置成相对于所述壳体(203)移动并且包括韦根线(224，226)，以及电子装置(104)，其包括：壳体(302)，其被配置成附接到所述注射装置(102)；线圈(406a，406b)，其被配置成当所述电子装置附接到所述注射装置(102)时，随着所述注射装置(102)的可移动部件(208，220)从第一位置向第二位置移动而提供电压脉冲，其中在所述第一位置，所述韦根线(224，226)靠近第一磁体(402a，406b)，以及在所述第二位置，所述韦根线(224，226)靠近第二磁体(404a，404b)；和一个或多个处理器(308)，所述一个或多个处理器被配置用于接收所述电压脉冲。

技术总结
一种电子装置(104)，包括：壳体(203)，所述壳体用于附接到注射装置(102)；第一传感器组件(304)，所述第一传感器组件包括第一线圈(406a)和极性相反的两个磁体(402a、404a)，其中，所述第一线圈(406a)被配置用于随着所述注射装置(102)的第一韦根线(224)从第一位置向第二位置移动而提供第一电压脉冲，所述第一位置靠近所述第一传感器组件(304)的所述磁体中的一者(402a)，所述第二位置靠近所述第一传感器组件(304)的另一个磁体(404a)；以及一个或多个处理器(308)，所述一个或多个处理器被配置用于在从所述第一线圈(406a)接收到所述第一电压脉冲之后从休眠状态进入使能状态。一电压脉冲之后从休眠状态进入使能状态。一电压脉冲之后从休眠状态进入使能状态。


技术研发人员：迈克尔
受保护的技术使用者：赛诺菲
技术研发日：2018.12.18
技术公布日：2022/11/11