一种在MgO衬底上制备高质量Fe3O4薄膜的方法

技术特征：
1.在mgo(001)衬底上制备高质量fe3o4(001)薄膜的方法，其特征在于，1)安装靶材，获得腔体真空；2)衬底预处理；3)预溅射；4)溅射沉积薄膜；所述步骤1)中，使用高纯fe即纯度大于99.95％靶材，腔体真空度达到1
×
10-8
torr以上。2.如权利要求1所述的在mgo(001)衬底上制备高质量fe3o4(001)薄膜的方法，其特征在于，将mgo(001)衬底清洗，去除衬底表面的油污杂质；清洗完毕干燥后通过真空系统传入生长腔室；将衬底加热至500
±
50℃退火30
±
10分钟，随后降温至溅射生长温度300
±
30℃。3.如权利要求2所述的在mgo(001)衬底上制备高质量fe3o4(001)薄膜的步骤，其特征在于，所述步骤3)为：通入高纯氩气99.999％和氧气99.999％的混合气体，氩气的体积为氧气体积的30倍以上。4.如权利要求3所述的在mgo(001)衬底上制备高质量fe3o4(001)薄膜的步骤，其特征在于，调节抽气速率，使溅射时的气压稳定在4
×
10-3
torr；氧气和氩气的比例通过电控的流量阀门控制，使用射频电源功率30w以上开始预溅射，时间15
±
8分钟。5.如权利要求2所述的在mgo(001)衬底上制备高质量fe3o4(001)薄膜的步骤，其特征在于，所述步骤4)中，在薄膜的沉积过程中，衬底温度保持在300
±
30℃，并以2-10rpm的速度旋转；通过控制溅射的时间，沉积不同厚度的薄膜。

技术总结
本发明公开了一种在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜的方法，使用磁控溅射装置在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜，安装靶材，获得腔体真空；衬底预处理；预溅射；溅射沉积薄膜；所述步骤1)中，使用高纯Fe即纯度大于99.95％靶材，腔体真空度达到1


技术研发人员：陆显扬 张哲 徐永兵 严羽 何亮
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2022.09.07
技术公布日：2022/11/11