芯片封装结构及制备方法与流程

技术特征：
1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供第一临时载片，于所述第一临时载片上形成释放层；于所述释放层上形成重新布线层，所述重新布线层包括第一面及相对的与所述释放层连接的第二面，且所述重新布线层包括介质层及层叠的金属布线层；于所述重新布线层的第一面上键合芯片，所述芯片与所述重新布线层电连接；于所述重新布线层上形成塑封层，所述塑封层覆盖所述重新布线层及所述芯片；于所述塑封层上形成粘合层和第二临时载片；去除所述第一临时载片及所述释放层，显露所述重新布线层的第二面；于所述重新布线层的第二面上形成焊料凸点，所述焊料凸点与所述重新布线层电连接；提供基板，所述重新布线层与所述基板通过所述焊料凸点电连接；去除所述粘合层和所述第二临时载片并于所述塑封层中形成凹槽，所述凹槽显露所述芯片；于所述凹槽中填充液态导热金属；于所述基板上形成散热盖板，且密封所述凹槽。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：形成所述凹槽的方法包括机械开槽、激光开槽、化学刻蚀开槽和等离子体蚀刻开槽的一种或组合。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：填充所述液态导热金属之后及形成所述散热盖板之前，包括于所述塑封层和所述液态导热金属的表面形成导热封胶层的步骤。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述导热封胶层覆盖所述液态导热金属。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述散热盖板中具有与所述凹槽对应设置的空腔。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述重新布线层的第一面上还形成有导热件，且所述凹槽显露所述导热件。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述液态导热金属的导热系数为20w/m
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k~100w/m
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k；所述液态导热金属包括镓、铟或锡中的一种或组合。8.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：基板；重新布线层，所述重新布线层包括第一面及相对的第二面，且所述重新布线层包括介质层及层叠的金属布线层；焊料凸点，所述焊料凸点位于所述重新布线层的第二面与所述基板之间，且所述焊料凸点与所述重新布线层及所述基板电连接；芯片，所述芯片位于所述重新布线层的第一面上，且与所述重新布线层电连接；塑封层，所述塑封层位于所述重新布线层的第一面上，且覆盖所述重新布线层及所述芯片；凹槽，所述凹槽位于所述塑封层中，且显露所述芯片；液态导热金属，所述液态导热金属填充于所述凹槽中；散热盖板，所述散热盖板与所述基板固定连接且密封所述凹槽。
9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于：还包括位于所述重新布线层的第一面上的导热件，且所述凹槽显露所述导热件。10.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于：所述散热盖板包括顶面为平面的平面式散热盖板或带有翅片的翅片式散热盖板中的一种；所述散热盖板中具有与所述凹槽对应设置的空腔。

技术总结
本发明的芯片封装结构及制备方法，所述芯片封装结构包括：基板；重新布线层；芯片；塑封层；凹槽，位于所述塑封层中，且显露所述芯片；液态导热金属，所述液态导热金属填充于于所述凹槽中；散热盖板，所述散热盖板与所述基板固定连接且与所述凹槽形成密封结构。通过在塑封层上形成显露芯片的凹槽，并通过在凹槽中引入具有高的导热系数的液态导热金属，使得液态导热金属与芯片直接接触以作为热扩散材料，既能防止液态导热金属在封装过程中溢出，又能提高芯片的散热性能，从而减少封装结构电性能下降的概率，且可有效降低封装热阻，进而大幅提高封装过程中的热扩散效率，从而形成具有较好散热性能的芯片封装结构。热性能的芯片封装结构。热性能的芯片封装结构。


技术研发人员：陈彦亨 林正忠
受保护的技术使用者：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
技术研发日：2022.09.29
技术公布日：2022/11/8