用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配系统的制作方法

1.本发明涉及一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配系统，一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配方法以及一种相应的数据处理装置。


背景技术：

2.用于生产印刷电路板(printed circuit boards,pcbs)的面板的基底尺寸正在大幅增加，以提高制造效率，及适应大物理尺寸技术要求。面板的单边长度已经远远超过了1000毫米，在某些情况下甚至超过了3000毫米。
3.在电子工业的面板制造过程中，一个重要的加工步骤是创建所谓的互连，也就是说，在电路板上的设备之间制造单独的电气连接。通常情况下，用铜(或其他导电材料)的电化学沉积技术来创建这些互连。与微电子互连相比，面板上的电气连接线在尺寸上是肉眼可见的，而且在整个面板上的分布肉眼可见大多是不均匀的。例如，在铜沉积区域的肉眼可见的不均匀分布会导致这样的效果：在金属线密度低的区域，与铜线密度高的区域相比，铜的沉积率会更高。这是因为在低密度的金属线区域，相对于要沉积的金属线密度较高的区域，有更多的含铜电解液可用于沉积过程(金属离子扩散限制较少)。此外，相对于可用的金属线，有效电场线的密度更高。
4.迄今为止，改善互连线整体沉积均匀性的最佳加工方法是基于所谓的hsp系统，即包含高速电镀技术的系统。在这样的系统中，将一个或两个hsp与一个或两个基底一起浸入一个含有电解液和一个或多个阳极的槽中。在这个充满电解液的槽内，电解液(以及随之而来的电流分布)通过hsp板被引向基底表面。hsp通常是专门为加工某些面板设计而生产的，其中面板特征在一定程度上与基底上待电镀的金属线特征一致。在现有技术中，通过创造高密度的电解质喷射器和电流密度分布元件，大致对应于在基底上反应的表面元件的分布，已经改善了基底上的空间不均匀电镀问题，这些元件定义了一个要显示的结构，例如，一个出口开口与一个表面元件大致对齐。然而，当面板尺寸达到大尺寸时，为不同的面板设计和不同的尺寸制造特定的hsp分配体变得非常耗时且昂贵。
5.de 102010033256 a1公开了一种用于在化学和/或电解表面处理中产生定向流动和电流密度图案的装置和方法。所述装置包括分流器主体，所述分流器主体被设置于其正面与待处理的基底平面平行的位置，并且所述分流器主体的正面设有多个出口开口，处理液通过所述出口开口流向基底表面。从基底回流的处理液通过连接通道被引出至分流器主体的背面。同时，电场在导电基底表面的定向分布受所述连接通道的特定布置的影响。


技术实现要素：

6.因此，可能需要为用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体和电流提供改进的分配系统，这可以使不同的面板设计和尺寸具有更好的沉积均匀性，而不必重新
制造和更换hsp单元。
7.该问题通过本发明独立权利要求的内容来解决，其中进一步的实施例被纳入从属权利要求中。应当注意，以下描述的本发明的各个方面也适用于用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统，用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配方法以及相应的数据处理装置。
8.根据本发明，提出了一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配系统。所述分配系统包括分配体和屏蔽元件。所述分配体包括多个开口。工艺流体和/或电流可以通过所述开口。工艺流体通过的开口和电流通过的开口可以是分开的，这意味着开口是不同的。换言之，一些开口用于通过工艺流体，其他开口用于通过电流。所述屏蔽元件被配置为至少有部分覆盖多个开口中的至少一个(或至少一些)以限制工艺流体和/或通过分配体的电流的流动。这可以理解为屏蔽元件可以独立地覆盖工艺流体开口和电流开口，从而独立地控制和限制工艺流体的流动和电流的流动。
9.换言之，屏蔽元件可以覆盖分配体的局部，从而影响沉积材料，例如，铜，在基底上的局部沉积率。术语“局部”是指同一基底上的不同区域或点。通过控制基底上的局部沉积率，可以实现更好更均匀的整体沉积。这尤其适用于基底密度不同的结构的情况，这种情况通常会导致不同的沉积率和较差的整体沉积均匀性。因此，根据本发明的分配系统可以平衡在同一基底上沉积不同密度的结构的常规负面影响。因此，所述分配系统可以在基底上加工不同密度的结构，并具有很好的沉积均匀性。
10.更详细地说：通过沉积工艺，基底可以具有致密和非致密结构以及隔离和非隔离结构。致密和非致密结构以及隔离和非隔离结构可能导致不同水平的沉积率。致密结构可以理解为为沉积材料在基底上的覆盖率在70％-90％之间，而非致密结构可以理解为覆盖率在10％-30％之间。此外，100％到0％的分布都是可能的。如果一个区域具有致密结构而另一区域具有非致密结构，则非致密结构区域可能具有比致密结构区域更高的沉积率。对于隔离和非隔离结构，基底可以具有不均匀的沉积率，而在基底的隔离区域中具有较高的沉积率。此外，靠近基底边缘的区域或边缘本身可以具有比远离基底边缘的区域更高的沉积率。
11.通过将屏蔽元件应用于分配系统，沉积材料在基底上的分配率可以调整为至少平衡前面所解释的不规则性。具体地，通过屏蔽元件改变分配体开口的覆盖率，可以调整沉积材料的分配率，并且可以使沉积更均匀。
12.在一个实施例中，所述分配体可以包括用于工艺流体和电流的多个开口。在该实施例中，一些开口可以是排放孔，一些其他开口可以是喷射孔。所述排放孔可以被配置为引导电流。所述排放孔可以是在分配体的正面和背面之间延伸的通孔。所述排放孔可以用作电流密度分布元件。所述喷射孔可以是用于排放电解质的电解质喷射器。分配体的正面可以朝向基底，分配体的背面可以在正面的相对侧上，不面向基底(而是面向例如至少一个阳极)。所述屏蔽元件可以被配置为至少有部分覆盖多个开口中的至少一个，以限制工艺流体的流动和/或通过分配体的电流的流动。通过覆盖分配体的至少一些开口，可以改变工艺流体的流动和/或可以改变基底的电流分布。
13.通过各自独立的开口引导电流与工艺流体分开，可以在处理基底表面的特定部分时提供进一步的灵活性和简洁性。通过不同的开口将电流和工艺流体的分布分开，可以进
行有针对性的选择，例如，在改变电流的流量(减少或增加)的同时，可以保持工艺流体的流量不受影响。在降低电流密度的同时不减少流向基底的工艺流体会导致，例如，在基底的化学和/或电解表面处理过程中防止氢气泡更强烈地附着到基底上，或者在处理后颗粒仍然可以从表面被洗掉。类似地，可以在改变(增加或减少)工艺流体的流量的同时，保持电流的流量恒定。也有可能，电流或工艺流体中的一个被切断(被阻止到达基底)，而另一个继续流过分配体。在一个实施例中，所述屏蔽元件被配置为至少有部分覆盖多个开口中的至少一个(或至少一些)，从而不仅改变通过分配体的工艺流体的流动，还改变用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电流分布。
14.在化学和/或电解表面处理系统和方法中，将待处理的基底连接到基底支架上，浸入电解工艺流体中并用作阴极。电极可以浸入加工室中的工艺流体中并用作阳极。可以将直流电施加到工艺流体中以在阳极离解带正电的金属离子。然后这些离子可以迁移至阴极，在那里，它们会电镀附着在阴极上的基底。或者，阳极可以是惰性的，并且在这种情况下能够提供沉积金属离子所需的电流，所述金属离子通过电解液组合物提供。
15.分配系统可以是具有垂直加工室的垂直分配系统，基底垂直插入其中。分配系统也可以是具有水平加工室的水平分配系统，基底水平插入其中。
16.基底可以包括导体板、半导体基底、薄膜基底、以及基本为片状的金属或金属化的工件或类似物。
17.为了将工艺流体和/或电流的流动引导至基底，分配体包括多个开口。所述开口可以被配置为在加工室中喷射工艺流体和/或接收来自加工室的工艺流体的回流。引导工艺流体的开口可以朝向基底和/或朝向与基底相反的方向。
18.屏蔽元件可以对应于分配体，特别是形状和尺寸。这意味着，它们可以具有相同的形状和大小。屏蔽元件也可以小于分配体。屏蔽元件也可以大于分配体或大于待处理的区域，特别是在基底的边缘区域。屏蔽元件可以包括至少一个孔，工艺流体可以通过这个孔。换言之，屏蔽元件的块状材料可以覆盖分配体的多个开口中的至少一个，并且干扰或阻挡工艺流体和/或电流的流动。因此，工艺流体的流动和/或通过分配体的电流的流动被改变，只有一部分工艺流体，可以通过屏蔽元件的孔，到达基底。因此，基底上的沉积材料(例如铜)的沉积率可能受到屏蔽元件的影响。
19.屏蔽元件可以包括至少一个孔，但也可以包括允许工艺流体和电流通过的多个孔。这些孔可以按照相同的尺寸和形状形成。但是，这些孔也可以按照不同尺寸和/或形状形成。孔可以是矩形、三角形、多边形或圆形。孔还可以包括垂直、水平或交叉设置的若干狭槽。
20.屏蔽元件可以覆盖开口的特定部分，使得一些开口可以将工艺流体直接喷向基底或相反的方向，而其余开口可以被屏蔽元件覆盖，使得从这些开口出来的工艺流体不会直接到达基底。屏蔽元件也可以覆盖开口的特定部分，将电流引导至基底，而其余开口可以被屏蔽元件覆盖，使得从这些开口出来的电流不会直接到达基底。屏蔽元件的这种覆盖率可以在0％和100％之间。换言之，屏蔽元件的块状材料可以覆盖分配体的一些开口，例如可以覆盖所有开口的30％或更多，所有开口的50％或更多或者所有开口的70％或更多。
21.在一个实施例中，用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统包括加工单元，所述加工单元被配置为根据待处理基底局部的预设局部沉积率，通过屏
蔽元件来控制开口的覆盖范围。所述加工单元可以仅阻挡或覆盖用于工艺流体的开口或仅阻挡或覆盖用于电流的开口。换言之，加工单元可根据工艺流体的预设局部沉积率监测并确定分配体的一部分开口被屏蔽元件阻挡或覆盖。因此，可以实现根据开口的所需覆盖范围自动改变或移动屏蔽元件。
22.在一个实施例中，加工单元还可以进一步被配置为基于要施加在基底局部的结构的局部密度来确定局部沉积率。根据预设要求，例如结构的局部密度或沉积的均匀性，加工单元可以监测并确定工艺流体的局部沉积率。因此，可以实现根据开口的所需覆盖范围自动改变或移动屏蔽元件。
23.在一个实施例中，所述屏蔽元件是板状的，以覆盖开口阵列。所述屏蔽元件可以使得分配体的开口的特定或预设区域可以被阻挡或干涉。屏蔽元件可以相对于待处理的基底表面平行排列，可以在分配体和基底之间，也可以在分配体和阳极之间。因此，如果屏蔽元件可以形成板状，则可以减小加工室的尺寸，在所述加工室中可以插入分配体、基底、阳极和工艺流体。进一步地，分配体所有待覆盖的开口可以与屏蔽元件具有相同的距离，使得开口具有均匀的覆盖效果。但是，屏蔽元件可以是其他形状，例如，壳形或环形。环形不仅包括圆形的环形，还包括由正方形、长方形或任何其他角度的形式所表达的环形，这些环形可以完成并支持更高的沉积均匀性的目标。
24.在一个实施例中，屏蔽元件相对于分配体是可移动。换言之，屏蔽元件可以比分配体小，可以移动到被确定为待覆盖的位置。优选地，屏蔽元件在本实施例中可沿垂直和水平方向移动。附加地，或替代地，屏蔽元件可以可释放地固定在分配体上，如果有必要，屏蔽元件可以用另一个具有不同覆盖范围的屏蔽元件替换。优选地，屏蔽元件在本实施例中可沿垂直方向移动。
25.在一个实施例中，屏蔽元件包括多个模板或销，至少部分地插入分配体的多个开口中的至少一个(或至少一些)中，以防止工艺流体或电流的流动。根据基于预设的局部沉积率、结构的局部密度和/或电流分布确定的所需覆盖范围，可将多个销插入分配体的至少一个(或至少一些)开口中。
26.在一个实施例中，屏蔽元件以机械、静电和/或磁力方式连接到分配体上。屏蔽元件可以以预设距离可释放地附接到分配体上，也可以与分配体紧密配合。屏蔽元件和分配体可以同时或分别插入加工室中。屏蔽元件可以沿着分配体和/或沿着待处理的基底表面插入。
27.在一个实施例中，分配体可以包括屏蔽元件框架。所述屏蔽元件框架可以包括凹槽，屏蔽元件可以插入其中。屏蔽元件框架可以直接布置在分配体上。屏蔽元件框架可以通过施加静电、机械或磁力等类似力量来固定屏蔽元件。屏蔽元件框架可以允许根据不同的待处理基底，(自动)更换屏蔽元件。
28.如果是模板，模板可以以适合的方式插入分配体的开口中，以避免模板在工艺流体中丢失或在电流通过期间被移除。此外，还可以施加静电、机械或磁力等类似力量将模板固定在开口中。根据不同的待处理基底，模板可以(自动)更换。模板可以在使用后清洗。
29.在一个实施例中，至少有一个(或至少一些)模板包括孔洞。待插入开口中的模板可以包括在分配体的开口方向上延伸的通孔。通过所述通孔，可以喷射或排出工艺流体。因此，通过改变通孔的直径，所述孔洞可以对开口的覆盖范围或电流分布进行额外调整。
30.在一个实施例中，所述开口是排放孔。术语“排放孔”可以理解为开口，电流通过这些开口流过分配体。
31.在一个实施例中，排放孔是在朝向基底的分配体的正面和与正面相对的分配体的背面之间延伸的通孔。换言之，分配体可以包括第一面和第二面。为了使得电流的流体通信通过分配体，分配体可以包括在第一面或正面与第二面或背面之间的通孔。例如，可以在分配体的正面提供电流，并流回分配体以到背面。因此，排放孔可以形成为连接分配体的正面和背面的通孔或通道。
32.在一个实施例中，开口是喷射孔，被配置为将工艺流体引导至基底。术语“喷射孔”可以理解为开口，工艺流体通过这些开口从分配体中流向基底或加工侧。换言之，布置在分配体上或分配体中的喷射孔可以面向待处理的基底。因此，在这种情况下，喷射孔可以根据预设覆盖范围至少有部分被屏蔽元件覆盖，以调整工艺流体的喷射率，并相应地调整基底上的沉积率。
33.在一个实施例中，引导电流的开口的尺寸和/或形状可以不同于引导工艺流体的开口。例如，喷射孔的尺寸和/或形状可以不同于排放孔。
34.在一个实施例中，用于引导工艺流体流动的开口的数量可以多于用于引导电流流动的开口的数量。换言之，排放孔的数量可以少于喷射孔的数量。然而，引导工艺流体流动的开口也可以等于引导电流的开口的数量；即，排放孔和喷射孔的数量可以相等。
35.在一个实施例中，开口布置在分配体的正面。分配体的正面被配置为面向基底以对基底进行表面处理。分配体的正面可以面向加工侧，所述加工侧布置有基底，分配体的背面可以面向阳极侧，所述阳极侧布置有阳极。所述正面和所述背面可以相对于分配体彼此相对。
36.换言之，待屏蔽元件覆盖的开口可以布置在基底的方向上。因此，加工室中的工艺流体的喷射率或排放率(或两者)以及电流密度可以相对于结构的局部密度进行调整。
37.在一个实施例中，开口布置在分配体的背面。所述背面与分配体的正面相对设置，其中正面被配置为朝向基底以对基底进行表面处理。换言之，待屏蔽元件覆盖的开口可以布置在阳极的方向上。因此，可以调节工艺流体进入阳极侧的排放率。优选地，屏蔽元件可以直接设置在分配体背面的开口上。
38.在一个实施例中，分配体的背面也被配置为朝向另一个附加基底，以对所述附加基底进行表面处理。因此，两个待处理的基底相对于分配体对称设置，加工单元可以被配置为控制两个基底的开口覆盖范围。因此，可以进一步促进和加快对一个以上的基底的化学和/或电解表面处理。在上述实施例中，引导电流的开口也可以是通孔，将电流引导至两个待处理的基底。
39.根据本发明，还提出了一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配方法。所述用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配方法包括以下步骤：
[0040]-提供分配体，其中所述分配体包括用于工艺流体及电流的多个开口；
[0041]-提供屏蔽元件，其中所述屏蔽元件被配置为至少有部分覆盖多个开口中的至少一个(或至少一些)以限制工艺流体的流动和通过分配体的电流，以及
[0042]-通过屏蔽元件控制工艺流体的流动和通过分配体的电流。
[0043]
因此，可以调整沉积材料在基底上的分配率。特别是，通过改变屏蔽元件的覆盖范围，并因此通过改变分配体的开口对工艺流体和电流的覆盖范围，可以控制沉积材料的分配率。因此，基底可以包括均匀的沉积材料层。
[0044]
在一个实施例中，根据分配方法提供的分配体可以包括用于引导工艺流体的开口和用于引导电流的其他开口。一些开口可以是排放孔，另一些开口可以是喷射孔。排放孔可以配置为引导电流，而喷射孔可以配置为将工艺流体引导至基底上。排放孔可以在分配体的正面和背面之间延伸，正面朝向基底。在上述实施例中，屏蔽元件可以被配置为至少有部分覆盖开口，以限制工艺流体的流动和/或通过分配体的电流的流动，从而改变工艺流体的流动或改变基底的电流分布，或同时改变工艺流体和电流的流动。
[0045]
根据本发明，还提出了一种数据处理装置，包括用于执行上述方法步骤的方式。
[0046]
应当理解，根据独立权利要求所述的系统、方法和数据处理装置具有相似和/或相同的优选实施例，特别是如从属权利要求中所定义的。应进一步理解，本发明的优选实施例也可以是从属权利要求与相应独立权利要求的任意组合。
[0047]
本发明的这些和其他方面将从下文描述的实施例中变得明显并得到阐明。
附图说明
[0048]
下面将参照附图对本发明的示例性实施例进行描述：
[0049]
图1根据本发明内容，示意性且示例性地示出了用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配系统的实施例。
[0050]
图2a,b根据本发明内容，示意性且示例性地示出了设置在分配系统的分配体上的屏蔽元件的实施例。
[0051]
图3a,b根据本发明内容，示意性且示例性地示出了设置在分配系统内的屏蔽元件的实施例。
[0052]
图4a,b根据本发明内容，示意性且示例性地示出了屏蔽系统的实施例。
[0053]
图5根据本发明内容，示意性且示例性地示出了屏蔽系统的实施例。
具体实施方式
[0054]
图1根据本发明内容，示意性且示例性地示出了用于对基底20进行化学和/或电解表面处理的工艺流体及电流的分配系统1的实施例。
[0055]
在化学和/或电解表面处理技术中，将待处理的基底20连接到基底支架21上，并浸入电解工艺流体中，用作阴极。将一个电极浸入工艺流体中，用作阳极40。将直流电施加到工艺流体中以在阳极40离解带正电的金属离子。然后这些离子可以迁移至阴极，在那里，它们会电镀附着在阴极上的基底40。
[0056]
基底20可以包括导体板、半导体基底、薄膜基底、以及基本为片状的金属或金属化的工件或类似物。
[0057]
所述分配系统1包括分配体10和屏蔽元件30。为了将工艺流体的流动和/或电流引导至基底20，所述分配体10包括多个开口11(继续参照图3a和3b)。所述开口11可以将工艺流体喷射至基底20和/或接收来自基底20的工艺流体的回流。其他开口11可以将电流喷射至基底20。所述屏蔽元件30被配置为覆盖多个开口11中的一些开口，以限制工艺流体的流
动和/或通过分配体10的电流。所述屏蔽元件30至少包括一个孔32，工艺流体和电流可以流过孔32(继续参照图4a和4b)。
[0058]
待屏蔽元件30覆盖的开口11可以是排放孔。所述排放孔可以形成为通孔，在分配体10的朝向基底20的正面和分配体10的与正面相对并朝向阳极40的背面之间延伸。穿过分配体10的排放孔被配置为向基底20提供电流以用于基底20的表面处理。所述背面与分配体10的正面相对设置。
[0059]
或者，开口11可以是设置在正面的喷射孔，并被配置为将工艺流体引导至基底20。
[0060]
在又一设置中，开口11可以是用于提供电流的排放孔和用于将工艺流体引导至基底的喷射孔的组合。
[0061]
待屏蔽元件30覆盖的开口11可以设置在分配体10的正面。所述开口11可以是排放孔或喷射孔或两者的组合。换言之，屏蔽元件30可以设置在基底20和分配体10之间。或者，待屏蔽元件30覆盖的开口11可以设置在分配体10的背面。换言之，屏蔽元件30可以设置在阳极40和分配体10之间。
[0062]
所述分配系统1进一步还包括加工单元(未示出)，所述加工单元被配置为基于待处理的基底20局部的预设局部沉积率，通过屏蔽元件30来控制开口11的覆盖范围。所述加工单元进一步还被配置为基于要施加在基底20局部的结构的局部密度来确定局部沉积率。所述加工单元还被配置为通过屏蔽元件控制开口的覆盖范围以限制用于基底的化学和/或电解表面处理的电流分布。所述屏蔽元件可以仅阻挡或覆盖用于工艺流体的开口11或用于电流的开口11或两者的组合。
[0063]
图2a和2b示意性且示例性地示出了设置在分配体10上的屏蔽元件30的实施例。所述屏蔽元件30为板状，以覆盖开口11的阵列(参照图3a和3b)。所述屏蔽元件30相对于分配体10可移动，优选在垂直方向上移动。为了将屏蔽元件30固定在分配体10上，在分配体10上设置屏蔽元件框架31。所述屏蔽元件框架31包括凹槽，板状屏蔽元件可以容易地在所述凹槽中滑动。作为屏蔽元件框架31的替代或附加，屏蔽元件30可以通过施加静电、机械或磁力连接到分配体10。
[0064]
图3a和3b示意性且示例性地示出了设置在分配系统中的屏蔽元件30的实施例。特别地，图3a显示了没有屏蔽元件30的分配体10。相反，图3b示出了分配体10，其中开口11的至少一个阵列被板状屏蔽元件30覆盖。开口11的覆盖范围可以由加工单元(未示出)基于待处理的基底20局部的预设局部沉积率和/或要施加在基底20局部的结构的局部密度来确定和控制。
[0065]
屏蔽元件30对应于分配体10，特别是形状和尺寸。如图3b所示，屏蔽元件30覆盖开口11的特定部分，使得仅剩余未被覆盖的开口可以将工艺流体或电流直接喷射至基底20。被覆盖的开口11被屏蔽元件30覆盖，使得从这些开口11流出的工艺流体可能不会直接到达基底20和/或电流可能不会直接到达基底20(继续参照图4a和4b)。屏蔽元件30的块状材料可以覆盖例如30％、50％或70％的分配体10的开口11。
[0066]
图4a和4b示出了屏蔽元件30的两种设计。如图4a所示，屏蔽元件30包括一个孔32。如图4b所示，屏蔽元件30包括根据，例如预设的电流分布设计的多个孔32。
[0067]
作为另一示例，图5示出了包括多个模板33的屏蔽元件30，所述模板33至少部分地插入分配体10的多个开口11中的至少一些中。进一步地，至少有一个模板可以包括孔洞(未
示出)。通过改变通孔的直径，所述孔洞可以对覆盖范围或电流分布进行额外调整。
[0068]
需要指出的是，本发明的实施方例是参照不同的主题事项来描述的。特别是，一些实施例参照方法类型的权利要求进行描述，而其他实施例则参照装置类型的权利要求进行描述。然而，本领域的技术人员将从上述和以下描述中了解到，除非另有说明，否则除了属于一种主题的特征的任何组合外，与不同主题有关的特征之间的任何组合也被视为与本技术公开。然而，所有的特征都可以结合起来，提供比特征的简单叠加更多的协同效应。
[0069]
虽然本发明已在附图和前述描述中进行了详细说明和描述，但这种说明和描述应被视为说明性或示例性的，而不是限制性的。本发明不限于所公开的实施例。通过对附图、公开内容和从属权利要求书的研究，本领域的技术人员可以理解并实现所公开的实施方案的其他变化。
[0070]
在权利要求中，“包括”一词并不排除其他元素或步骤，而不定项“一个”或“一种”并不排除多个。一个处理器或其他单元可以实现权利要求中重新引用的几个项目的功能。仅仅是某些措施在相互不同的从属权利要求中被重新引用这一事实，并不表明这些措施的组合不能被用来发挥优势。权利要求中的任何参考标识都不应被理解为对保护范围的限制。