晶片的切削方法与流程

1.本发明涉及晶片的切削方法。


背景技术：

2.在器件芯片的制造工艺中，使用在正面侧具有器件区域的晶片，该器件区域中，在由呈格子状排列的多条间隔道(分割预定线)划分的多个区域内分别形成有器件。将该晶片沿着间隔道进行分割，由此得到分别具有器件的多个器件芯片。器件芯片搭载于移动电话、个人计算机等各种电子设备中。
3.近年来，伴随电子设备的小型化，要求器件芯片的薄型化。因此，有时在晶片的分割前实施将晶片薄化的加工。在晶片的薄化中，例如使用磨削装置。磨削装置具有对被加工物进行保持的卡盘工作台以及对被加工物实施磨削加工的磨削单元，在磨削单元中安装有包含磨削磨具的磨削磨轮。磨削装置使磨削磨具与卡盘工作台所保持的晶片的背面侧接触，由此将晶片磨削、薄化。
4.当对晶片进行磨削而薄化时，晶片的刚性降低，之后的晶片的操作(搬送、保持等)变难。因此，提出了仅对晶片的背面侧中的与器件区域重叠的区域进行磨削而薄化的方法。当使用该方法时，在晶片的中央部形成有凹部，另一方面晶片的外周部未被薄化而维持厚的状态，作为环状的凸部而残留。其结果是，晶片的外周部(凸部)作为增强部发挥功能，抑制磨削后的晶片的刚性降低。
5.薄化的晶片最终被分割成多个器件芯片。此时，预先去除残留于晶片的外周部的环状的凸部，以便不妨碍分割。在晶片的凸部的去除中，例如使用利用环状的切削刀具对被加工物进行切削的切削装置。利用切削刀具呈环状切削晶片，由此将晶片的中央部(凹部)与外周部(凸部)分离。
6.在通过切削装置对具有凹部的晶片进行加工时，通过搭载于切削装置的专用的卡盘工作台对晶片进行保持。在专利文献1中公开了具有嵌入晶片的凹部中的立起部(凸部)的卡盘工作台。当在该卡盘工作台上配置晶片时，晶片的凹部通过立起部支承，并且晶片的外周部通过设置于立起部的周围的垫片支承。由此，晶片以平坦的状态被卡盘工作台保持。
7.专利文献1：日本特开2013-98248号公报
8.通常认为为了利用切削装置适当地加工具有凹部的晶片，通过卡盘工作台保持晶片的整体是不可欠缺的。并且，代表性地使用上述那样的具有与晶片的凹部对应的凸部(立起部)的卡盘工作台。不过，当晶片的凹部的深度与卡盘工作台的凸部的突出量(高度)存在差距时，晶片成为未被平坦地保持而弯曲的状态，特别是在晶片的凹部与外周部的边界附近施加局部的应力。当在该状态下利用切削刀具切削晶片时，容易产生崩边(缺损)等加工不良。
9.因此，卡盘工作台的凸部按照突出量尽可能地与晶片的凹部的深度一致的方式形成。但是，晶片的厚度、晶片的凹部的深度、粘贴于晶片的带(划片带)的厚度、卡盘工作台的尺寸等存在偏差，用于在卡盘工作台上形成凸部的加工的精度也存在界限。由于这样的各
种原因，难以使晶片的凹部的深度与卡盘工作台的凸部的突出量严格地一致，现实中大多会在两者之间产生10μm以上的误差。其结果是，有时具有凹部的晶片以略微弯曲的状态固定于卡盘工作台，无法充分地抑制加工不良的产生。
10.另外，晶片的凹部的深度根据晶片的种类(直径、厚度、材质等)而不同。因此，每当变更作为加工对象的晶片的种类时，均需要变更卡盘工作台的凸部的突出量。由此，卡盘工作台的准备或更换会花费工夫和成本，切削装置对晶片的加工效率也会降低。


技术实现要素：

11.本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供晶片的切削方法，能够适当地切削具有凹部的晶片。
12.根据本发明的一个方式，提供晶片的切削方法，对在中央部具有圆形的凹部且在外周部具有围绕该凹部的环状的凸部的晶片进行切削，其中，该晶片的切削方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，沿着该凹部和该凸部而粘贴粘接带；保持步骤，利用具有直径比该凹部小的保持面的卡盘工作台的该保持面对粘贴于该凹部的该粘接带进行吸引，由此通过该卡盘工作台隔着该粘接带而保持该晶片；以及切削步骤，在该凸部未被固定的状态下，使旋转的切削刀具按照到达粘贴于该凹部的该粘接带的方式切入至该晶片并使该卡盘工作台旋转，由此将该凹部与该凸部分离。
13.另外，优选在该带粘贴步骤中，利用环状的框架借助该粘接带而支承该晶片，在该切削步骤中，在该凸部和该框架未被固定的状态下，使该切削刀具切入至该晶片。
14.在本发明的一个方式的晶片的切削方法中，在晶片的凸部(外周部)未被固定的状态下，使切削刀具切入至晶片而将凹部(中央部)与凸部(外周部)分离。由此，降低切削时的晶片的应力，抑制加工不良的产生。
附图说明
15.图1的(a)是示出晶片的正面侧的立体图，图1的(b)是示出晶片的背面侧的立体图。
16.图2的(a)是示出粘贴有粘接带的晶片的立体图，图2的(b)是示出粘贴有粘接带的晶片的剖视图。
17.图3是示出切削装置的立体图。
18.图4是示出卡盘工作台所保持的晶片的剖视图。
19.图5的(a)是示出切削刀具切入的状态的晶片的立体图，图5的(b)是示出切削刀具切入的状态的晶片的剖视图。
20.图6是示出晶片的外周部的放大剖视图。
21.图7的(a)是示出卡盘工作台旋转时的晶片的立体图，图7的(b)是示出卡盘工作台旋转时的晶片的剖视图。
22.图8是示出崩边尺寸的测量结果的图表。
23.标号说明
24.11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：切口(切开口)；13：间隔道(分割预定线)；15：器件；17a：器件区域；17b：外周剩余区域；19：凹部(槽)；19a：底面；19b：侧面(内壁)；21：凸
部(增强部)；23：粘接带；25：框架；25a：开口；2：切削装置；4：卡盘工作台(保持工作台)；4a：保持面；6：框体(主体部)；6a：上表面；6b：凹部(槽)；8：保持部件；8a：吸引面；10：切削单元；12：壳体；14：主轴；16：切削刀具；18：刀具罩；20：连接部；22：喷嘴。
具体实施方式
25.以下，参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。首先，对能够使用本实施方式的晶片的切削方法进行加工的晶片的结构例进行说明。图1的(a)是示出晶片11的正面侧的立体图，图1的(b)是示出晶片11的背面侧的立体图。
26.例如晶片11是由硅等半导体形成的圆盘状的基板，其具有相互大致平行的正面11a和背面11b。晶片11由按照相互交叉的方式呈格子状排列的多条间隔道(分割预定线)13划分成多个矩形状的区域。另外，在由间隔道13划分的区域的正面11a侧分别形成有ic(integrated circuit，集成电路)、lsi(large scale integration，大规模集成)、led(light emitting diode，发光二极管)、mems(micro electro mechanical systems，微机电系统)器件等器件15。
27.晶片11在正面11a侧具有形成有多个器件15的大致圆形的器件区域17a以及围绕器件区域17a的环状的外周剩余区域17b。外周剩余区域17b相当于包含正面11a的外周缘在内的规定的宽度(例如为2mm左右)的环状区域。在图1的(a)中用双点划线示出器件区域17a与外周剩余区域17b的边界。
28.另外，对于晶片11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如晶片11可以是由硅以外的半导体(gaas、inp、gan、sic等)、玻璃、陶瓷、树脂、金属等形成的基板。另外，对于器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。
29.将晶片11沿着间隔道13呈格子状进行分割，由此制造分别具有器件15的多个器件芯片。另外，对分割前的晶片11实施薄化处理，由此得到薄型化的器件芯片。
30.在晶片11的薄化中，例如使用磨削装置。磨削装置具有对被加工物进行保持的卡盘工作台(保持工作台)以及对被加工物实施磨削加工的磨削单元，在磨削单元中安装有包含磨削磨具的磨削磨轮。当通过卡盘工作台对晶片11进行保持并一边使卡盘工作台和磨削磨轮分别旋转一边使磨削磨具与晶片11的背面11b侧接触时，对晶片11的背面11b侧进行磨削，将晶片11薄化。
31.不过，当对晶片11的整个背面11b侧进行磨削时，晶片11整体薄化而使晶片11的刚性降低，之后的晶片11的操作(搬送、保持等)变难。因此，有时仅对晶片11的背面11b侧的一部分的区域实施薄化处理(磨削加工)。
32.例如对于晶片11，仅将中央部磨削、薄化。在该情况下，如图1的(b)所示，在晶片11的背面11b形成有圆形的凹部(槽)19。凹部19设置于与器件区域17a对应的位置。具体而言，凹部19的大小(直径)设定成与器件区域17a的大小(直径)大致相同，凹部19形成于与器件区域17a重叠的位置。
33.凹部19包含：与晶片11的正面11a和背面11b大致平行的圆形的底面19a；以及与晶片11的厚度方向大致平行且与背面11b和底面19a连接的环状的侧面(内壁)19b。另外，在晶片11的外周部残留有环状的凸部(增强部)21，该环状的凸部(增强部)21相当于未实施薄化处理(磨削加工)的区域。凸部21包含外周剩余区域17b，围绕器件区域17a和凹部19。
34.当仅将晶片11的中央部薄化时，晶片11的外周部(凸部21)维持厚的状态。由此，抑制晶片11的刚性降低，不容易产生操作晶片11时的晶片11的变形、破损等。即，凸部21作为增强晶片11的增强区域发挥功能。
35.接着，对用于将具有凹部19的晶片11分割成多个器件芯片的晶片的切削方法的具体例进行说明。在本实施方式中，首先在晶片11上粘贴粘接带(带粘贴步骤)。图2的(a)是示出粘贴有粘接带23的晶片11的立体图，图2的(b)是示出粘贴有粘接带23的晶片11的剖视图。
36.在晶片11的背面11b侧粘贴有大小能够覆盖晶片11的整个背面11b侧的粘接带23。例如按照覆盖晶片11的背面11b侧的方式粘贴直径比晶片11大的圆形的粘接带23。作为粘接带23，可以使用包含圆形的基材和设置于基材上的粘接层(糊料层)的柔软的膜。例如基材由聚烯烃、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂形成，粘接层由环氧系、丙烯酸系或橡胶系的粘接剂等形成。另外，作为粘接层，也可以使用通过紫外线的照射而硬化的紫外线硬化型的树脂。
37.粘接带23沿着晶片11的背面11b侧的轮廓进行粘贴。即，如图2的(b)所示，粘接带23沿着(效仿)凹部19的底面19a和侧面19b以及凸部21的背面(下表面)粘贴。另外，在图2的(b)中，示出了在凹部19的外周部有略微的间隙(空间)存在于底面19a和侧面19b与粘接带23之间的情况，但粘接带23也可以按照紧贴于底面19a和侧面19b的方式进行粘贴。
38.在粘接带23的外周部粘贴有由sus(不锈钢)等金属形成的环状的框架25。在框架25的中央部设置有在厚度方向上贯通框架25的圆形的开口25a。另外，开口25a的直径大于晶片11的直径。并且，将粘接带23的中央部粘贴于配置在开口25a的内侧的晶片11的背面11b侧，将粘接带23的外周部粘贴于框架25。由此，晶片11借助粘接带23而被框架25支承，构成晶片11、粘接带23和框架25一体化的框架单元(工件组)。
39.粘贴有粘接带23的晶片11通过切削装置进行切削。图3是示出切削装置2的立体图。在图3中，x轴方向(加工进给方向、第1水平方向)和y轴方向(分度进给方向、第2水平方向)是相互垂直的方向。另外，z轴方向(铅垂方向、上下方向、高度方向)是与x轴方向和y轴方向垂直的方向。切削装置2具有对晶片11进行保持的卡盘工作台(保持工作台)4以及对卡盘工作台4所保持的晶片11进行切削的切削单元10。
40.卡盘工作台4的上表面是与水平方向(xy平面方向)大致平行的平坦面，构成对晶片11进行保持的圆形的保持面4a(参照图4)。另外，在卡盘工作台4上连结有使卡盘工作台4沿着x轴方向移动的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)以及使卡盘工作台4绕与z轴方向大致平行的旋转轴旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。
41.在卡盘工作台4的上方配置有切削单元10。切削单元10具有筒状的壳体12，在壳体12中收纳有沿着y轴方向配置的圆柱状的主轴14(参照图4)。主轴14的前端部(一端部)露出到壳体12的外部，在主轴14的基端部(另一端部)连结有电动机等旋转驱动源。
42.在主轴14的前端部安装有环状的切削刀具16。切削刀具16通过从旋转驱动源经由主轴14而传递的动力，以规定的旋转速度绕与y轴方向大致平行的旋转轴旋转。
43.作为切削刀具16，例如使用轮毂型的切削刀具(轮毂刀具)。轮毂刀具使由金属等形成的环状的基台与沿着基台的外周缘形成的环状的切刃成为一体而构成。轮毂刀具的切刃由电铸磨具构成，该电铸磨具是通过镀镍层等结合材料固定由金刚石等形成的磨粒而得
的。不过，作为切削刀具16，也可以使用垫圈型的切削刀具(垫圈刀具)。垫圈刀具仅由环状的切刃构成，该环状的切刃是通过由金属、陶瓷、树脂等形成的结合材料固定磨粒而得的。
44.安装于切削单元10的切削刀具16被固定于壳体12的刀具罩18覆盖。刀具罩18具有：一对连接部20，它们与提供纯水等液体(切削液)的管(未图示)连接；以及一对喷嘴22，它们与一对连接部20连接，分别配置于切削刀具16的两个面侧(正面侧和背面侧)。在一对喷嘴22上分别形成有朝向切削刀具16开口的提供口(未图示)。
45.当向连接部20提供切削液时，切削液流入至一对喷嘴22，从一对喷嘴22的提供口朝向切削刀具16的两个面(正面和背面)提供切削液。通过该切削液，将晶片11和切削刀具16冷却，并且将由于切削加工而产生的屑(切削屑)冲掉。
46.在切削单元10上连结有滚珠丝杠式的移动机构(未图示)。移动机构使切削单元10沿着y轴方向和z轴方向移动。通过移动机构，调节切削刀具16的分度进给方向的位置和切削刀具16对晶片11的切入深度等。
47.在利用切削装置2对晶片11进行加工时，首先通过卡盘工作台4隔着粘接带23而保持晶片11(保持步骤)。图4是示出卡盘工作台4所保持的晶片11的剖视图。
48.卡盘工作台4具有由sus等金属、玻璃、陶瓷、树脂等形成的圆柱状的框体(主体部)6。在框体6的中央部的上表面6a侧形成有圆柱状的凹部(槽)6b，在凹部6b中嵌入有圆盘状的保持部件8。保持部件8是由多孔陶瓷等多孔质材料形成的部件，在保持部件8的内部包含从保持部件8的上表面连通至下表面的空孔(流路)。
49.保持部件8经由形成于框体6的内部的流路(未图示)、阀(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。另外，保持部件8的上表面构成对晶片11进行吸引的圆形的吸引面8a。框体6的上表面6a和保持部件8的吸引面8a配置于大致同一平面上，构成卡盘工作台4的保持面4a。
50.晶片11按照正面11a侧向上方露出的方式配置于卡盘工作台4上。另外，卡盘工作台4构成为能够利用保持面4a对晶片11的凹部19的底面19a进行保持。具体而言，保持面4a的直径小于凹部19的直径。并且，当在卡盘工作台4上配置晶片11时，卡盘工作台4的保持面4a侧嵌入至凹部19。由此，凹部19的底面19a隔着粘接带23而被保持面4a支承。
51.当在将晶片11配置于卡盘工作台4上的状态下对保持部件8作用吸引源的负压(吸引力)时，粘接带23中的粘贴于凹部19的底面19a的区域被吸引面8a吸引。由此，晶片11隔着粘接带23而被卡盘工作台4吸引保持。
52.另外，当在未对吸引面8a作用吸引力的状态下将晶片11配置于保持面4a上时，有时由于晶片11的凸部21的自重而使晶片11成为向上呈凸状弯曲的状态。但是，当对吸引面8a作用吸引力时，沿着保持面4a平坦地支承凹部19的底面19a。其结果是，校正了晶片11的弯曲，晶片11成为整体大致平坦的状态。
53.这里，在比卡盘工作台4的保持面4a的外周缘靠保持面4a的半径方向外侧的区域未设置对晶片11、粘接带23或框架25进行保持的部件(卡盘工作台4的一部分或其他保持部件等)。因此，在通过卡盘工作台4对晶片11进行保持时，晶片11的凸部21、粘接带23的外周部和框架25成为未被固定而漂浮的状态。
54.不过，切削装置2有时具有多个夹具(未图示)，这些夹具设置于卡盘工作台4的周围，对框架25进行把持并固定。在该情况下，在保持步骤和后述的切削步骤中，框架25成为
未被夹具把持而释放的状态。
55.接着，通过切削刀具16对晶片11进行切削而将晶片11的凹部19与凸部21分离(切削步骤)。在切削步骤中，在使切削刀具16切入至晶片11的状态下，使卡盘工作台4旋转，由此呈环状切削晶片11。另外，在切削步骤中，晶片11的凸部21、粘接带23的外周部和框架25维持未被固定而漂浮的状态(参照图4)。
56.首先，使旋转的切削刀具16切入至晶片11。图5的(a)是示出切削刀具16切入的状态的晶片11的立体图，图5的(b)是示出切削刀具16切入的状态的晶片11的剖视图。在使切削刀具16切入至晶片11时，将卡盘工作台4配置于切削单元10的下方。并且，按照切削刀具16与晶片11的凹部19的外周部重叠的方式调节卡盘工作台4和切削单元10的位置。
57.接着，一边使切削刀具16旋转一边使切削单元10朝向卡盘工作台4下降。由此，切削刀具16切入至晶片11的正面11a侧。并且，切削单元10下降至切削刀具16的下端到达粘贴于凹部19的底面19a的粘接带23为止。此时的晶片11的正面11a与切削刀具16的下端的高度差相当于切削刀具16对晶片11的切入深度。
58.图6是示出晶片11的外周部的放大剖视图。在晶片11中包含与晶片11的凹部19重叠的区域a～区域d。区域a是与保持部件8的吸引面8a重叠的区域，区域b是与框体6的上表面6a重叠的区域，区域c、区域d是不与保持面4a重叠的区域。另外，区域c是与凹部19的底面19a和粘接带23接触的区域重叠的区域。区域d是与凹部19的底面19a和粘接带23未接触的区域(底面19a和侧面19b与粘接带23之间的间隙)重叠的区域。
59.例如切削刀具16切入至晶片11的区域b。由此，能够在晶片11的中央部确保大面积的器件区域17a，并且能够切削晶片11中的通过框体6可靠地支承的区域。不过，切削刀具16也可以切入至区域a、区域c或区域d。
60.接着，在使切削刀具16旋转的状态下使卡盘工作台4旋转。图7的(a)是示出卡盘工作台4旋转时的晶片11的立体图，图7的(b)是示出卡盘工作台4旋转时的晶片11的剖视图。
61.当在使切削刀具16切入至晶片11的状态下使卡盘工作台4旋转一周时，呈环状切削晶片11。其结果是，在器件区域17a与外周剩余区域17b的边界的附近形成有从晶片11的正面11a至凹部19的底面19a的环状的切口(切开口)11c。其结果是，将晶片11的中央部(凹部19)与外周部(凸部21)分离。
62.另外，在利用切削刀具16对晶片11进行切削时，假设晶片11的凸部21固定于特定的位置，则由于卡盘工作台4的保持面4a与凸部21的固定位置的位置关系的误差，有时晶片11会意外地弯曲。在该情况下，对晶片11作用应力，在使切削刀具16切入至晶片11时，容易产生崩边(缺损)等加工不良。
63.另一方面，在本实施方式中，在实施切削步骤时，晶片11的凸部21、粘接带23的外周部和框架25维持未被固定而漂浮的状态。因此，避免在凸部21固定于特定的位置时会产生的晶片11的意外的弯曲。另外，在切削刀具16与晶片11接触时，根据施加至晶片11的负荷，能够使凸部21略微地移位。由此，与凸部21被固定的情况相比，可降低晶片11的应力。其结果是，抑制利用切削刀具16切削晶片11时的加工不良的产生。
64.当将从晶片11分离的环状的凸部21去除时，在卡盘工作台4上残留有薄化的器件区域17a。然后，例如利用切削刀具16将晶片11沿着间隔道13进行切削而分割，由此得到分别具有器件15的多个器件芯片。
65.如上所述，在本实施方式的晶片的切削方法中，在晶片11的凸部21未被固定的状态下，使切削刀具16切入至晶片11而将凹部19与凸部21分离。由此，降低切削时的晶片11的应力，抑制加工不良的产生。
66.另外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。
67.(实施例)
68.接着，说明对使用本发明的晶片的切削方法进行了切削的晶片进行评价的结果。在本实施例中，观察并比较在利用以往的方法进行保持的状态下通过切削刀具16进行切削的比较例的晶片11和在利用本发明的方法进行保持的状态下通过切削刀具16进行切削的实施例的晶片11。
69.作为晶片11，使用8英寸的硅晶片(厚度为0.725mm)。另外，事先对晶片11实施薄化处理(磨削加工)，形成凹部19(参照图1的(b)等)。凹部19按照在晶片11的外周部残留有宽度为2.1mm的环状凸部(增强部)21且晶片11的器件区域17a的厚度为0.1mm的方式形成。准备四张上述晶片11，将两张用作比较例的晶片(晶片a1、a2)，将剩余的两张用作实施例的晶片(晶片b1、b2)。
70.接着，在晶片a1、a2、b1、b2上分别粘贴粘接带23(参照图2的(a)和图2的(b))。然后，使用切削装置2(参照图3)分别切削晶片a1、a2、b1、b2。
71.比较例的晶片a1、a2利用以往的方法进行保持并进行切削。具体而言，晶片a1、a2的凹部19的底面19a利用卡盘工作台4的保持面4a进行保持(参照图4)。另外，在卡盘工作台4的保持面4a的外侧设置有对晶片a1、a2的凸部21的下表面侧进行支承的环状的支承部件(垫片)，利用支承部件的上表面(保持面)对凸部21进行保持。
72.另外，支承部件的保持面定位于比卡盘工作台4的保持面4a靠下方的位置，保持面4a与支承部件的保持面的高度差与凹部19的深度一致。并且，利用支承部件的保持面对粘接带23中的粘贴于凸部21的下表面侧的区域进行吸引保持。即，比较例的晶片a1、a2成为凹部19的底面19a和凸部21被保持的状态。
73.另一方面，实施例的晶片b1、b2利用本发明的方法进行保持并进行切削。具体而言，如图4所示，晶片b1、b2的凹部19的底面19a利用卡盘工作台4的保持面4a进行保持，晶片b1、b2的凸部21成为未被保持而漂浮的状态。
74.接着，利用切削刀具分别切削晶片a1、a2、b1、b2。具体而言，首先使切削刀具16切入至晶片a1、a2、b1、b2(参照图5的(a)和图5的(b))。另外，切削刀具16切入至与卡盘工作台4的框体6重叠的区域(图6的区域b)。另外，切削刀具16的转速(主轴14的转速)设定为30000rpm。
75.然后，在维持切削刀具16的旋转的状态下，使卡盘工作台4旋转一周，呈环状切削晶片a1、a2、b1、b2(参照图7的(a)和图7的(b))。另外，在对比较例的晶片a1和实施例的晶片b1进行切削时，将卡盘工作台4的旋转速度设定为低速(3deg/s)。另一方面，在对比较例的晶片a2和实施例的晶片b2进行切削时，将卡盘工作台4的旋转速度设定为高速(15deg/s)。
76.并且，观察残留于切削后的晶片a1、a2、b1、b2的底面19a侧的主要的8个崩边(缺损)，测量崩边的尺寸。具体而言，将从切口11c(参照图7的(a)和图7的(b))沿着底面19a进展的崩边的、与切口11c垂直的方向(晶片的径向)上的长度作为崩边尺寸而测量。另外，根
据所测量的8个崩边的尺寸计算出崩边尺寸的最大值(最大崩边尺寸)和平均值(平均崩边尺寸)。
77.图8是示出崩边尺寸的测量结果的图表。另外，图表中的点(黑圆标记)、
×
标记、白圆标记分别示出崩边尺寸、最大崩边尺寸、平均崩边尺寸。
78.如图8所示，当比较将卡盘工作台4的旋转速度设定为低速(3deg/s)而进行切削的晶片a1、b1时，利用本发明的切削方法对晶片进行切削，由此最大崩边尺寸从55μm降低至30μm，平均崩边尺寸从39μm降低至20μm。另外，当比较将卡盘工作台4的旋转速度设定为高速(15deg/s)而进行切削的晶片a2、b2时，最大崩边尺寸从88μm降低至29μm，平均崩边尺寸从65μm降低至17μm。
79.以往，为了不产生加工不良而对具有凹部19的晶片11进行切削，考虑优选在对晶片11的凹部19和凸部21这双两方进行保持的状态下对晶片11进行切削。但是，根据上述结果确认到：当在凸部21未被固定而漂浮的状态下对晶片11进行切削时，有效地降低晶片11的应力，大幅降低崩边的尺寸。
80.另外，在利用以往的方法对晶片11进行保持的情况下，当卡盘工作台4的旋转速度上升时，虽然加工时间变短，但是崩边的尺寸趋于增加(参照晶片a1、a2)。另一方面，当在凸部21未被固定而漂浮的状态下对晶片11进行切削时，即使使卡盘工作台4的旋转速度上升，也未发现崩边的尺寸增大(参照晶片b1、b2)。由此，确认到本发明的晶片的切削方法对于加工进给速度的高速化也极为有效。