带电粒子操纵器装置的制作方法

带电粒子操纵器装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年2月7日提交的ep申请20156253.5的优先权，该ep申请通过引用被整体并入本文中。
技术领域
3.本文中所提供的实施例总体涉及在多束带电粒子设备中对带电粒子的操纵。实施例提供多对电极，其中每对电极被布置为同时操纵多个带电粒子子束。


背景技术：

4.当制造半导体集成电路(ic)芯片时，作为例如光学效应和附带粒子的结果，在制造工艺期间在衬底(即晶片)或掩模上不可避免地出现不期望的图案缺陷，由此降低了良率。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的重要过程。更一般地，对衬底或其它物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
5.具有带电粒子束的图案检查工具已经用于检查物体，例如用于检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，处于相对高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对低着落能量落在样品上。电子束作为探测斑被聚焦在样品上。探测斑处的材料结构与来自电子束的着落电子之间的相互作用使电子从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。所生成的次级电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上扫描作为探测斑的初级电子束，可以跨样品表面发射次级电子。通过从样品表面收集这些发射的次级电子，图案检查工具可以获得表示样品表面的材料结构的特征的图像。
6.带电粒子束的另一应用是光刻。带电粒子束与衬底表面上的抗蚀剂层反应。通过控制带电粒子束指向的抗蚀剂层上的位置，可以在抗蚀剂中产生期望的图案。
7.带电粒子设备可以是用于生成、照射、投射和/或检测一个或多个带电粒子束的设备。在带电粒子设备内，通常需要改进用于操纵一个或多个带电粒子束的已知技术。


技术实现要素：

8.本文中所提供的实施例公开了一种用于操纵一个或多个带电粒子束的操纵器装置。操纵器装置可以是用于使多束中的多个子束同时偏转的偏转器。带电粒子设备可以包括操纵器装置。带电粒子设备可以是用于生成、照射、投射和/或检测一个或多个带电粒子束的设备。
9.根据本发明的第一方面，提供了一种多束操纵器装置，该多束操纵器装置被配置为在带电粒子的多束中的多个子束的路径上操作以由此使多个子束路径偏转，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，多束操纵器装置包括：包括多个平行平面电极表面对的电极组；其中：该组中的第一平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着子束线中的一条线的一侧来布置，该第二平面
电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着子束路径线中的所述线的相对侧来布置；该组中的第二平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着子束路径线中的一条不同线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着子束路径线中的所述一条不同线的相对侧来布置；第一平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够在第一方向上向子束路径施加第一偏转量；第二平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够在第二方向上向子束路径施加第二偏转量；并且第一方向与第二方向相反。
10.根据本发明的第二方面，提供了一种多束操纵器布置，包括：根据第一方面的第一多束操纵器装置；以及一个或多个另外的多束操纵器装置，其中一个或多个另外的多束操纵器装置中的每个多束操纵器装置是根据第一方面的多束操纵器装置；其中，每个多束操纵器装置沿着多束操纵器布置的带电粒子光学轴被布置在不同的位置处。
11.根据本发明的第三方面，提供了一种带电粒子系统，包括：带电粒子源，被布置为发射束；多束生成器，被布置为根据该束生成多束，其中多束包括多个子束；以及根据第一方面的多束操纵器装置、或根据第二方面的多束操纵器布置，被配置为操纵由多束生成器生成的多束中的子束的路径。
12.根据本发明的第四方面，提供一种电子束检查工具，包括根据第三方面的带电粒子系统。
13.根据本发明的第五方面，提供一种电子束光刻工具，包括根据第三方面的带电粒子系统。
14.根据本发明的第六方面，提供了一种多束操纵器装置，被配置为在多束带电粒子中的多个子束路径上操作，以便使多个子束路径偏转，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以一系列线来布置，多束操纵器装置包括：多个平行平面电极表面对；其中：第一平行平面电极表面对包括两个相对的平面平行电极表面，两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少一条子束线被布置在任一侧；第二平行平面电极表面对包括两个相对的平面平行电极表面，两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少另一条子束线被布置在任一侧；第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对跨多束而延伸以与阵列交叉，并且在操作中被配置为与在表面对之间的线中的相应子束路径静电相互作用。
15.根据本发明的第七方面，提供了一种多束操纵器，该多束操纵器被配置为操纵多束带电粒子的子束路径的阵列，这些子束以该阵列中的线来布置，这些线在至少两个不同的线方向上，该多束操纵器装置包括：多个偏转器装置，该多个偏转器装置与阵列中的线方向的数目相对应并且被布置在多束的路径上的不同位置处，其中，每个偏转器装置包括多个平行平面电极表面对，每个偏转器装置的平行平面电极表面与不同的线方向对准，多个平行平面电极表面对包括：第一平行平面电极表面对，包括两个相对的平面平行电极表面，该两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少一条子束线被布置在任一侧；第二平行平面电极表面对，包括两个相对的平面平行电极表面，该两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少另一条子束线被布置在任一侧，子束线中的至少另一条子束线与子束线中的至少一条子束线平行；以及第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对，该第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对跨多束而延伸以与阵列交叉，并且在操作中被配置为与表面对之间的线中的相应子束路径静电相互作用。
16.根据本发明的第八方面，提供了一种多束操纵器，该多束操纵器被配置为操纵多束带电粒子的子束路径的阵列，这些子束以该阵列中的线进行布置，这些线在至少两个不同的线方向上，该多束操纵器装置包括：多个偏转器装置，多个偏转器装置与阵列中的线方向的数目相对应并且沿着多束路径来定位，其中每个偏转器装置包括多个平面平行相对电极表面，每个偏转器装置的平面平行电极表面与不同的线方向对准，多个平行平面电极表面对包括：至少两个相对的平行平面电极表面对，其中每个相对的平面平行表面对被配置为在子束路径中不同的至少一条线的任一侧横跨多束阵列，使得在操作中，每个相对的平行平面电极表面对与所述表面之间的相应的至少一条线中的所有子束路径静电相互作用。
17.根据本发明的第九方面，提供了一种使带电粒子的多束中的多个子束的路径偏转的方法，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，该方法包括：与多束中的第一子束整线静电相互作用，使得第一偏转量在第一方向被施加到子束的路径；以及与多束中的第二子束整线静电相互作用，使得第二偏转量在第二方向上被施加到子束的路径，其中第一方向与第二方向相反。
18.从以下结合附图的描述中，本发明的其它优势将变得显而易见，其中通过说明和示例的方式阐述了本发明的某些实施例。
附图说明
19.通过结合附图对示例性实施例的描述，本公开的上述和其它方面将变得更加明显。
20.图1是图示了示例性带电粒子束检查设备的示意图。
21.图2是图示了作为图1的示例性带电粒子束检查设备的部分的示例性多束设备的示意图。
22.图3是图示了图1的示例性带电粒子束检查设备的源转换单元的例示性配置的示例性多束设备的示意图。
23.图4是根据实施例的操纵器装置的示意图。
24.图5是根据实施例的操纵器装置的示意图。
25.图6示出了根据实施例的两个操纵器装置的布置。
26.图7a是在子束线的布置中的子束的示意图。
27.图7b示出了多个操纵器装置根据实施例是可以如何被对准的。
28.图8示出了包括用于操纵子束的多个操纵器的操纵器阵列。
29.图9是示出了通过带电粒子设备的部分的横截面的示意图。
具体实施方式
30.现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中示出。以下描述参考附图，其中不同附图中的相同数字表示相同或类似的元件，除非另有说明。在示例性实施例的以下描述中所阐述的实现并不代表与本发明一致的所有实现。相反，它们仅仅是与所附权利要求中所述的与本发明相关的方面一致的设备和方法的示例。
31.可以通过显著增加ic芯片上的电路组件(诸如晶体管、电容器、二极管等)的封装密度来实现电子装置的经增强计算能力(减小装置的物理尺寸)。这已通过增加的分辨率来
实现，增加的分辨率能够制造更小的结构。例如，智能电话的ic芯片可以包括20亿个以上的晶体管，每个晶体管的尺寸小于人类头发的1/1000，ic芯片具有拇指指甲的尺寸并且在2019年或更早是可用的。因此，半导体ic制造是具有数百个单独步骤的复杂且耗时的工艺并不令人惊讶。即使在一个步骤中的误差也有可能显著影响最终产品的功能。仅一个“致命缺陷”会导致器件故障。制造工艺的目标是提高工艺的总良率。例如，对于50步工艺(其中一步可以指示在晶片上形成的层数)，为了获得75％的良率，每个单独的步骤必须具有大于99.4％的良率。如果单独的步骤具有95％的良率，则总工艺良率将低至7％。
32.虽然在ic芯片制造设施中需要高的工艺良率，但是维持高的衬底(即晶片)吞吐量(被定义为每小时处理的衬底数目)也是重要的。缺陷的存在会影响高工艺良率和高衬底吞吐量。这尤其是在需要操作员干预来检查缺陷的情况。因此，通过检查工具(例如扫描电子显微镜(“sem”))对微米级和纳米级缺陷的高吞吐量检测和标识对于维持高良率和低成本是重要的。
33.sem包括扫描装置和检测器设备。该扫描装置包括照射设备和投影设备，该照射设备包括用于生成初级电子的电子源，该投影设备用于利用初级电子的一个或多个聚焦束来扫描诸如衬底的样品。初级电子与样品相互作用并生成次级电子。当扫描样品时，检测设备捕获来自样品的次级电子，使得sem可以创建样品的扫描区域的图像。对于高吞吐量检查，一些检查设备使用多个聚焦束，即多束初级电子。多束中的组成束可以被称为分束或子束。多束可以同时扫描样品的不同部分。因此，多束检查设备能够以比单束检查设备高得多的速度检查样品。
34.在多束检查设备中，初级电子束中的一些初级电子束的路径偏离扫描装置的中心轴，即初级电子光学轴的中点。为了确保所有电子束以基本相同的入射角、和/或期望间距和/或样品表面上的期望位置到达样品表面，需要操纵距中心轴具有更大径向距离的子束路径，以移动通过比路径更靠近中心轴的子束路径更大的角度。这种更强的操纵可能引起像差，该像差导致样品衬底的模糊和离焦图像。特别地，对于不在中心轴上的子束路径，子束的像差可能随着距中心轴的径向位移而增加，因为这些子束路径的操纵器需要在更大的电压下工作。当检测到次级电子时，这种像差可能保持与次级电子相关联。因此，这种像差降低了在检查期间创建的图像的质量。
35.下面描述已知的多束检查设备的实现。
36.附图是示意性的。因此，为了清楚起见，附图中的组件的相对尺寸被放大。在附图的以下描述中，相同或相似的附图标记是指相同或相似的组件或实体，并且仅描述关于各个实施例的差异。虽然描述和附图针对电子光学设备，但是应理解，这些实施例不用于将本公开限于特定的带电粒子。因此，在本文件中对电子的引用可以更一般地被认为是对带电粒子的引用，其中带电粒子不一定是电子。
37.现在参考图1，图1是图示了示例性带电粒子束检查设备100的示意图。图1的带电粒子束检查设备100包括主室10、装载锁定室20、电子束工具40、设备前端模块(efem)30和控制器50。电子束工具40位于主室10内。
38.efem 30包括第一装载口30a和第二装载口30b。efem 30可以包括附加的(多个)装载口。例如，第一装载口30a和第二装载口30b可以接纳包含衬底(例如，半导体衬底或由其它(多个)材料制成的衬底)或待检查的样品(衬底、晶片和样品在下文被统称为“样品”)的
衬底前开式整合舱(foup)。efem 30中的一个或多个机械臂(未示出)将样品输送到装载锁定室20。
39.装载锁定室20用于去除样品周围的气体。这创建了局部气体压力低于周围环境中的压力的真空。装载锁定室20可以被连接到装载锁定真空泵系统(未示出)，该装载锁定真空泵系统去除装载锁定室20中的气体粒子。装载锁定真空泵系统的操作使装载锁定室能够达到低于大气压力的第一压力。在达到第一压力后，一个或多个机械臂(未示出)将样品从装载锁定室20输送到主室10。主室10被连接到主室真空泵系统(未示出)。主室真空泵系统去除主室10中的气体粒子，使得样品周围的压力达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，样品被输送到电子束工具，通过该电子束工具可以检查样品。电子束工具40可以包括单束或多束电子光学设备。
40.控制器50被电连接到电子束工具40。控制器50可以是被配置为控制带电粒子束检查设备100的处理器(诸如计算机)。控制器50还可以包括被配置为执行各种信号和图像处理功能的处理电路系统。虽然控制器50在图1中被示出为在包括主室10、装载锁定室20和efem 30的结构的外部，但是应理解，控制器50可以是该结构的部分。控制器50可以位于带电粒子束检查设备的组成元件中的一个元件中，或者它可以分布在组成元件中的至少两个元件上。虽然本公开提供了容纳电子束检查工具的主室10的示例，但是应注意，本公开的各方面在其最广泛的意义上不限于容纳电子束检查工具的室。当然，应理解，上述原理也可以应用于在第二压力下操作的其它工具和设备的其它布置。
41.现在参考图2，图2是图示了包括作为图1的示例性带电粒子束检查设备100的部分的多束检查工具的示例性电子束工具40的示意图。多束电子束工具40(本文中也被称为设备40)包括电子源201、枪孔径板271、聚束透镜210、源转换单元220、初级投影设备230、机动化台209和样品保持器207。电子源201、枪孔径板271、聚束透镜210、源转换单元220是多束电子束工具40所包括的照射设备的组件。样品保持器207由机动化台209支撑，以便保持用于检查的样品208(例如，衬底或掩模)。多束电子束工具40还可以包括次级投影设备250和相关联的电子检测装置240。初级投影设备230可以包括物镜231。电子检测装置240可以包括多个检测元件241、242和243。束分离器233和偏转扫描单元232可以位于初级投影设备230内。
42.用于生成初级束的组件可以与设备40的初级电子光学轴对准。这些组件可以包括：电子源201、枪孔径板271、聚束透镜210、源转换单元220、束分离器233、偏转扫描单元232和初级投影设备230。次级投影设备250及其相关联的电子检测装置240可以与设备40的次级电子光学轴251对准。
43.初级电子光学轴204由作为照射设备的电子束工具40的部分的电子光学轴组成。次级电子光学轴251是作为检测设备的电子束工具40的部分的电子光学轴。初级电子光学轴204在本文中也可以被称为初级光学轴(为了便于参考)或带电粒子光学轴。次级电子光学轴251在本文中也可以被称为次级光学轴或次级带电粒子光学轴。
44.电子源201可以包括阴极(未示出)和提取器或阳极(未示出)。在操作期间，电子源201被配置为从阴极发射电子作为初级电子。初级电子被提取器和/或阳极提取或加速以形成初级电子束202，该初级电子束202形成初级束交叉(虚的或实的)203。初级电子束202可以被可视化为从初级束交叉203发射。
45.在这种布置中，初级电子束在其到达样品时(并且优选地在其到达投影设备之前)是多束的。这种多束可以以多种不同的方式从初级电子束生成。例如，多束可以由位于交叉之前的多束阵列、位于源转换单元220中的多束阵列或位于这些位置之间的任何点处的多束阵列生成。多束阵列可以包括跨束路径以阵列来布置的多个电子束操纵元件。每个操纵元件可以影响初级电子束以生成子束。因此，多束阵列与入射初级束路径相互作用以生成在多束阵列下游的多束路径。
46.在操作中，枪孔径板271被配置为阻挡初级电子束202中的外围电子以减小库仑效应。库仑效应可以放大初级子束211、212、213的探测斑221、222和223中的每个探测斑的尺寸，因此降低了检查分辨率。枪孔径板271也可以被称为库仑孔径阵列。
47.聚束透镜210被配置为使初级电子束202聚焦。聚束透镜210可以被设计为将初级电子束202聚焦成平行束并垂直入射到源转换单元220上。聚束透镜210可以是可移动的聚束透镜，其可以被配置为使得其第一主平面的位置是可移动的。可移动的聚束透镜可以被配置为是磁性的。聚束透镜210可以是抗旋转聚束透镜和/或它可以是可移动的。
48.源转换单元220可以包括图像形成元件阵列、像差补偿器阵列、束限制孔径阵列和预弯曲微偏转器阵列。预弯曲微偏转器阵列可以使初级电子束202的多个初级子束211、212、213偏转以垂直地进入束限制孔径阵列、图像形成元件阵列和像差补偿器阵列。在这种布置中，图像形成元件阵列可以用作多束阵列，以在多束路径中生成多个子束，即初级子束211、212、213。图像形成阵列可以包括多个电子束操纵器，诸如微偏转器或微透镜(或两者的组合)，以影响初级电子束202的多个初级子束211、212、213并形成初级束交叉203的多个平行图像(虚的或实的)，初级子束211、212和213中的每个初级子束对应一个平行图像。像差补偿器阵列可以包括场曲补偿器阵列(未示出)和像散补偿器阵列(未示出)。场曲补偿器阵列可以包括多个微透镜以补偿初级子束211、212和213的场曲像差。像散补偿器阵列可以包括多个微消像散器以补偿初级子束211、212和213的像散像差。束限制孔径阵列可以被配置为限制各个初级子束211、212和213的直径。图2示出了三个初级子束211、212和213作为示例，并且应理解，源转换单元220可以被配置为形成任何数目的初级子束。控制器50可以被连接到图1的带电粒子束检查设备100的各种部件，诸如源转换单元220、电子检测装置240、初级投影设备230或机动化台209。如下面进一步详细解释的，控制器50可以执行各种图像和信号处理功能。控制器50还可以生成各种控制信号以管控带电粒子束检查设备(包括带电粒子多束设备)的操作。
49.聚束透镜210还可以被配置为通过改变聚束透镜210的聚焦能力来调整在源转换单元220下游的初级子束211、212、213的电流。备选地，或附加地，初级子束211、212、213的电流可以通过更改与各个初级子束相对应的束限制孔径阵列内的束限制孔径的径向尺寸来改变。电流可以通过更改束限制孔径的径向尺寸和聚束透镜210的聚焦能力来改变。如果聚束透镜是可移动的和磁性的，则离轴子束212和213可以导致以旋转角度照射源转换单元220。旋转角度随着可移动聚束透镜的聚焦能力或第一主平面的位置而改变。作为抗旋转聚束透镜的聚束透镜210可以被配置为在聚束透镜210的聚焦能力改变时保持旋转角度不变。当聚束透镜210的聚焦能力和其第一主平面的位置变化时，这种也可移动的聚束透镜210可以使旋转角度不改变。
50.物镜231可以被配置为将子束211、212和213聚焦到样品208上以用于检查，并且可
以在样品208的表面上形成三个探测斑221、222和223。
51.束分离器233例如可以是包括静电偏转器的维恩滤波器，该静电偏转器生成静电偶极场和磁偶极场(图2中未示出)。在操作中，束分离器233可以被配置为通过静电偶极场在初级子束211、212和213的各个电子上施加静电力。静电力在大小上相等，但在方向上与由束分离器233的磁偶极场施加在各个电子上的磁力相反。因此，初级子束211、212和213可以以至少基本上零偏转角至少基本上直线通过束分离器233。
52.在操作中，偏转扫描单元232被配置为使初级子束211、212和213偏转，以跨在样品208的表面部分中的各个扫描区域扫描探测斑点221、222和223。响应于初级子束211、212和213或探测斑221、222和223在样品208上的入射，从样品208生成包括次级电子和背散射电子的电子。次级电子在三个次级电子束261、262和263中传播。次级电子束261、262和263通常具有次级电子(具有≤50ev的电子能量)，并且还可以具有背散射电子(具有在50ev和初级子束211、212和213的着落能量之间的电子能量)中的至少一些。束分离器233被布置为使次级电子束261、262和263的路径朝向次级投影设备250偏转。次级投影设备250随后使次级电子束261、262和263的路径聚焦到电子检测装置240的多个检测区域241、242和243上。检测区域可以是被设置为检测对应的次级电子束261、262和263的单独的检测元件241、242和243。检测区域生成对应的信号，该对应的信号被发送到控制器50或信号处理系统(未示出)，例如以构建样品208的对应扫描区域的图像。
53.检测元件241、242和243可以检测对应的次级电子束261、262和263。在次级电子束入射到检测元件241、242和243时，这些元件可以生成对应的强度信号输出(未示出)。输出可以被引导到图像处理系统(例如，控制器50)。每个检测元件241、242和243可以包括一个或多个像素。检测元件的强度信号输出可以是由检测元件内的所有像素生成的信号的总和。
54.控制器50可以包括图像处理系统，该图像处理系统包括图像获取器(未示出)和存储装置(未示出)。例如，控制器可以包括处理器、计算机、服务器、大型主机、终端、个人计算机、任何类型的移动计算设备等、或它们的组合。图像获取器可以包括控制器的处理功能的至少部分。因此，图像获取器可以包括至少一个或多个处理器。图像获取器可以被通信地耦合到允许信号通信的设备40的电子检测装置240，诸如电导体、光纤电缆、便携式存储介质、ir、蓝牙、因特网、无线网络、无线电等等、或它们的组合。图像获取器可以从电子检测装置240接收信号，可以处理被包括在信号中的数据，并且可以从其构建图像。因此，图像获取器可以获取样品208的图像。图像获取器还可以执行各种后处理功能，诸如生成轮廓，在所获取的图像上叠加指示符等。图像获取器可以被配置为执行对所获取图像的亮度和对比度等的调整。存储装置可以是诸如硬盘、闪速驱动器、云存储、随机存取存储器(ram)、其它类型的计算机可读存储器等的存储介质。存储装置可以与图像获取器耦合，并且可以用于将被扫描的原始图像数据保存为初始图像和保存后处理图像。
55.图像获取器可以基于从电子检测装置240接收的成像信号来获取样品的一个或多个图像。成像信号可以与用于进行带电粒子成像的扫描操作相对应。所获取的图像可以是包括多个成像区域的单个图像。单个图像可以被存储在存储装置中。单个图像可以是可以被划分为多个区域的初始图像。这些区域中的每个区域可以包括一个成像区域，该一个成像区域包含样品208的特征。所获取的图像可以包括在一定时间段内被多次采样的样品208
的单个成像区域的多个图像。多个图像可以被存储在存储装置中。控制器50可以被配置为利用样品208的相同位置的多个图像执行图像处理步骤。
56.控制器50可以包括测量电路系统(例如，模数转换器)以获得检测到的次级电子的分布。在检测时间窗期间收集的电子分布数据可以与入射到样品表面上的初级子束211、212和213中的每个初级子束的对应扫描路径数据结合使用，以重建样品结构在检查下的图像。经重建的图像可以用于揭示样品208的内部或外部结构的各种特征。因此，经重建的图像可以用于揭示样品中可能存在的任何缺陷。
57.控制器50可以控制机动化台209以在检查样品208期间移动样品208。至少在样品检查期间，控制器50可以使机动化台209在某方向上例如以恒定的速度优选连续地移动样品208。控制器50可以控制机动化台209的移动，使得它根据各种参数来改变样品208的移动速度。例如，控制器可以根据扫描过程的检查步骤的特性来控制工作台速度(包括其方向)。
58.尽管图2示出了设备40使用三个初级电子子束，但是应理解，设备40可以使用两个或更多数目的初级电子子束。本公开不限制在设备40中使用的初级电子束的数目。
59.现在参考图3，图3是图示了图1的示例性带电粒子束检查设备的源转换单元的示例性配置的示例性多束设备的示意图。设备300可以包括电子源301、预子束形成孔径阵列372、聚束透镜310(类似于图2的聚束透镜210)、源转换单元320、物镜331(类似于图2的物镜231)和样品308(类似于图2的样品208)。电子源301、预子束形成孔径阵列372、聚束透镜310可以是设备300所包括的照射设备的组件。源转换单元320、物镜331可以是设备300所包括的投影设备的组件。源转换单元320可以类似于图2的源转换单元220，其中图2的图像形成元件阵列是图像形成元件阵列322，图2的像差补偿器阵列是像差补偿器阵列324，图2的束限制孔径阵列是束限制孔径阵列321，图2的预弯曲微偏转器阵列是预弯曲微偏转器阵列323。电子源301、预子束形成孔径阵列372、聚束透镜310、源转换单元320和物镜331与设备的初级电子光学轴304对准。电子源301生成总体沿着初级电子光学轴304并具有源交叉(虚的或实的)301s的初级电子束302。预子束形成孔径阵列372切割初级电子束302中的外围电子以减小随之发生的库仑效应。库仑效应是由于不同子束路径中的电子之间的相互作用而引起的子束的像差的来源。通过预子束形成机构的预子束形成孔径阵列372，可以将初级电子束302修整成指定数目的子束，诸如三个子束311、312和313。尽管在前面和后面的描述中提到了三个子束和它们的路径，但是应理解，该描述旨在以任何数目的子束应用设备、工具或系统。
60.源转换单元320可以包括具有束限制孔径的子束限制孔径阵列321，该束限制孔径被配置为限制初级电子束302的子束311、312和313。源转换单元320还可以包括具有图像形成微偏转器322_1、322_2和322_3的图像形成元件阵列322。存在与每个子束的路径相关联的相应的微偏转器。微偏转器322_1、322_2和322_3被配置为使子束311、312和313的路径朝向电子光学轴304偏转。被偏转的子束311、312和313形成源交叉301s的虚像。虚像通过物镜331被投影到样品308上，并且在其上形成探测斑，它们是三个探测斑391、392和393。每个探测斑与子束路径在样品表面上的入射位置相对应。源转换单元320还可以包括像差补偿器阵列324，像差补偿器阵列324被配置为补偿子束中的每个子束的像差。每个子束的像差通常存在于将形成在样品表面上的探测斑391、392和393。像差补偿器阵列324可以包括具有微透镜的场曲补偿器阵列(未示出)。场曲补偿器和微透镜被配置为针对探测斑391、392和
393中明显的场曲像差补偿子束。像差补偿器阵列324可以包括具有微消像散器的像散补偿器阵列(未示出)。微消像散器被控制以对子束进行操作来补偿像散像差，该像散像差以其他方式存在于探测斑391、392和393中。
61.源转换单元320还可以包括具有预弯曲微偏转器323_1、323_2和323_3的预弯曲微偏转器阵列323，以分别弯曲子束311、312和313。预弯曲微偏转器323_1、323_2和323_3可以将子束的路径弯曲到子束限制孔径阵列321上。入射到子束限制孔径阵列321上的子束路径可以与子束限制孔径阵列321的取向的平面正交。聚束透镜310可以将子束的路径引导到子束限制孔径阵列321上。聚束透镜310可以将三个子束311、312和313聚焦成沿初级电子光学轴304的平行束，使得其垂直入射到源转换单元320上，源转换单元320可以对应于子束限制孔径阵列321。
62.图像形成元件阵列322、像差补偿器阵列324和预弯曲微偏转器阵列323可以包括多层子束操纵装置，其中一些可以是阵列的形式，例如：微偏转器、微透镜或微消像散器。
63.在源转换单元320中，初级电子束302的子束311、312和313分别被图像形成元件阵列322的微偏转器322_1、322_2和322_3朝向初级电子光学轴304偏转。应理解，子束311路径在到达微偏转器322_1之前可能已经对应于电子光学轴304，因此子束311路径可能不被微偏转器322_1偏转。
64.物镜331将子束聚焦到样品308的表面上，即，它将三个虚像投影到样品表面上。由样品表面上的三个子束311至313形成的三个图像在其上形成三个探测斑391、392和393。子束311至313的偏转角由物镜311调整，以减小三个探测斑391至393的离轴像差。三个被偏转的子束因此通过或接近物镜331的前焦点。
65.图2和图3中的上述组件中的至少一些组件可以单独地或彼此组合地被称为操纵器阵列或操纵器，因为它们操纵带电粒子的一个或多个束或子束。
66.上述多束检查工具包括具有单个带电粒子源的多束带电粒子设备(可以被称为多束带电粒子光学设备或多束带电粒子系统)。多束带电粒子设备包括照射设备和投影设备。照射设备可以从来自源的电子束生成多束带电粒子。该投影设备朝向样品投射多束带电粒子。利用多束带电粒子扫描样品表面的至少部分。
67.上述多束带电粒子设备可能遇到许多问题，这些问题使得对多束中的子束应用同时操纵变得复杂。
68.为了使单独的子束路径中的每个子束路径适当地指向样品表面，可以在例如操纵器阵列中提供单独的组件，用于分别操纵每个子光束的路径。所施加的操纵例如可以是对子束路径的偏转。操纵器阵列可以是例如参考ep 2715768a2的图2至图4和图6所描述的操纵器阵列。
69.为了使单独的组件能够适当地对子束施加操纵而应当满足的要求是由操纵引起的像差不会过大。像差的程度取决于电场在操纵组件内的均匀性、操纵组件的填充因子以及电场在操纵组件内的大小。电场的大小取决于被施加到操纵组件内的电极的电压。
70.像差的程度取决于子束路径行进通过的电场的均匀性。跨组件的理想电场将是线性的。然而，在平面图中，开口是圆形的，并且线性电场仅通过在开口周围提供多个电极并且在每个电极处适当地施加电压来近似。随着使用的电极的数目的增加，可以实现的线性场的近似质量增加。然而，增加组件内的电极的数目会增加其尺寸。增加电极的数目还增加
了为每个组件的所有电极和相关联的驱动器电路系统提供布线的复杂性。
71.填充因子是操纵组件内的子束的直径与操纵组件内的开口的直径的比率。在平面图中，组件内最均匀的电场在开口的中间，电场朝向开口的边缘是最不均匀的。像差的程度随着填充因子的增加而增加，因为远离开口中部的子束的比例增加。对于特定的子束直径，填充因子可以通过增加组件的开口的直径来减小。
72.像差的程度还取决于被施加在组件内以生成电场的电压的大小。在更大的电压下，电场中的不均匀性对子束路径具有更大的影响，并且这增加了像差。
73.至少由于上述低填充因子和/或具有大量电极的要求，每个单独的组件必须相对较大，并且布线和驱动器电路系统要求复杂。当需要相对大的单独组件来操纵每个子束时，带电粒子设备内的空间约束对可以被提供的子束的数目和子束的密度都施加了限制。
74.此外，为了将相对大的偏转施加到子束路径中的一些子束路径，需要相对大的电压来生成电场。然而，如以上所说明的，使用相对大的电压增加了像差的程度。
75.实施例提供了一种用于同时向多束中的多个子束的路径的一些或全部施加基本上恒定的偏转的操纵器装置。
76.根据实施例的操纵器装置可以减少操纵器阵列的操纵要求中的至少一些操纵要求，特别是偏转要求，该操纵器阵列包括用于每个子束的单独组件。根据实施例的操纵器装置可以提供被偏转的子束路径的全部的主偏转。这既降低了提供操纵器阵列的复杂性，又改善了对带电粒子设备内的子束路径的控制。根据实施例的操纵器装置可以对子束线施加基本恒定的偏转，并且不需要复杂的控制电路系统。
77.当使用根据实施例的操纵器装置时，仅要求操纵器阵列来向单独子束路径施加精细偏转。不要求单独阵列内的组件施加大的偏转，因此可以使用更简单的组件设计，在该更简单的组件设计中仅需要施加相对小的电压。更简单的组件设计可以包括更少的电极，由此降低布线的复杂性和对组件中的每个组件的驱动器要求。与使用较大电压相比，使用低电压减小了像差的程度。这允许针对每个子束使用更小的单独分量，因为对于特定程度的像差，可以增加分量的填充因子并且减少电极的数目。在操纵器阵列中使用较小的单独组件增加了子束的密度和/或可以被支持的子束的数目。
78.根据实施例的操纵器装置特别适于提供无源电子光学操纵装置，诸如带电粒子设备内的带电粒子路径的预弯曲操纵。预弯曲操纵可以包括在整个操作条件范围内基本不变的被施加的偏转。预弯曲可以使带电粒子束的路径会聚。另一个无源元件是准直器，准直器对带电粒子束的路径进行准直。经准直的多束可以从会聚或发散的子束路径生成。
79.图4是根据实施例的操纵器装置的示意图。图4是可以沿着带电粒子轴的多束的平面图。操纵器装置包括第一电极对402、第二电极对403和第三电极对404。在这些平行平面电极对的每个平行平面电极对之间是多束的三个子束401的不同线的路径。每个平行平面电极对可以被称为带电极。
80.每个电极可以是平板。每个电极可以在其端部中的每个端部或其端部中的一个端部处被机械支撑。每个电极可以仅其端部中的一个端部或两个端部处被机械支撑。每个电极可以至少在其端部中的至少一个端部处被电连接。每个电极可以是金属的，诸如金属板或金属化或金属涂覆的表面。每个电极例如可以各自是电极的支撑结构或主体的表面上的金属涂层。每个电极对可以包括彼此平行且面对布置的两个这种平板。在每个电极对之间
施加电场e。对于每个电极对，在既正交于电极(即平板)表面又基本上正交于电极对之间的每个子束的路径的方向上施加电场。由此每个电极对可以与在它们之间通过的多个子束静电相互作用，并且由此可以使子束的路径偏转。
81.带电粒子的多束包括多个子束线。因此，多束是子束的二维阵列，其可以是一系列的多个子束线。每个电极对被布置为使所有子束在子束整线中的路径偏转。
82.由每个电极对施加的对每条子束线的路径的偏转量取决于电极之间的电势差。因此，带电粒子束的路径线在束路径线的任一侧的偏转幅度可以由施加在平行板之间的电势差的大小来确定。因此，通过在相对的电极表面之间施加较大的电势差可以实现相对较大的偏转。
83.每个电极对之间的电势差可以被单独和分开控制。这允许电极对中的每个电极对将不同的偏转量施加到子束线的路径。因此，跨阵列而施加的偏转量是可设置的并且是可主动控制的。此外，被施加的电场的方向在电极对之间可以不同。这允许在相反方向上对子束线的路径施加偏转量。
84.在一个实施例中，在操作期间，操纵器阵列中的一个或多个电极对可以被设置为在它们之间具有零电势差。因此，尽管每个电极对可以使子束在子束线中的路径偏转，但是可以操作电极对中的一个或多个电极对，使得在电极之间不施加电场。这种电极对不会使在它们之间行进的子束的路径偏转。
85.图5是根据实施例的操纵器装置的示意图。图5示出了子束路径的五条分开的线。对于每条线，示出了子束路径在该线中的两个子束路径。对于每条子束线，存在子束线在其间行进的相应的电极对。电极由电极支撑件501、502、503、504、505和506支撑。每个电极支撑件可以在其端部中的每个端部处或在其端部的一个端部处被机械地支撑。每个电极支撑件可以仅在其端部中的一个端部或两个端部处被机械地支撑。电极支撑件中的每个电极支撑件可以由例如玻璃或制造电极的衬底材料(例如硅)制成。每个电极对之间的电势差可以在大小和/或方向上不同。实施例包括在电极对中的一个或多个电极对之间没有电势差。如图所示的示例是在中间电极对之间(参见e0)。在电极对之间施加的电势差在图5中被示为e1、e2、e3和e4。电场e1的大小大于e2的大小，而e2又大于e0。同样，e4在电场大小上大于e3，e3又大于e0。e3和e4具有呈现出与e1和e2中的每一者在方向上相反的场。实际上，e1和e4可以具有相似或实际上相同的电场大小，但具有相反的方向；并且e3和e4可以具有相似或相同的大小，但具有相反的方向。在备选布置中，可以跨中间电极对施加电势差，使得e0不为零。
86.如图5所示，所施加的电势差的作用可以是生成用于子束的分开线的路径的下束交叉点。在中间子束线行进通过的电极对之间不施加电势差，即e0。因此，中间子束线的路径基本上不被一个电极对偏转。被施加在图中最左边的子束线行进通过的电极对之间的电势差e1可以具有与被施加在最右边的子束线行进通过的电极对之间的电势差e4相同的大小和相反的符号。被施加在第二最左边的子束线行进通过的电极对之间的电势差e2可以具有与被施加在第二最右边的子束线行进通过的电极对之间的电势差e3相同的大小和相反的符号。电势差e1和e4的大小可以大于电势差e2和e3，使得最左边和最右边的子束线的路径比第二最左边和第二最右边的子束线的路径偏转得更多。
87.在操纵器下游的第一子束在每条子束线中的路径可以在基本相同的第一下束位
置处与第一子束在其它条子束线中的路径相交。第二子束在每条子束线中的路径可以在基本相同的第二下束位置处与其它第二子束在其它条子束线中的路径相交。第一下束位置可以不同于第二下束位置。
88.尽管图5示出了每条子束线中的两个子束，但是实施例包括在每条子束线中存在任意数目的子束。
89.尽管图5示出了5条分开的子束线，但是实施例包括存在任意数目的子束线、以及用于每条子束线的相应的电极对。
90.实施例还包括被施加到一个或多个电极对的电势差，使两条或多条子束线在子束线中的路径发散而不是会聚。
91.在图5中，示意性地示出了子束线在其间通过的平行结构。应理解，这些平行结构表示子束线在其之间行进的两个电极以及用于电极的支撑结构。电极如何由支撑结构支撑的具体布置可以通过多种不同的技术。
92.如图4和图5所示，子束仅在用于使子束路径偏转的电极对中的相邻电极之间行进。当电极中的每个电极在用于使子束路径偏转的不同电极对中时，子束不在相邻电极之间行进。对于电极中的每个电极在不同电极对中的相邻电极，相邻电极可以由固体支撑结构(诸如衬底)支撑，如图5所示。备选地，相邻电极可以由如图4所示的间隙分开。
93.在每个相邻电极之间，可以在电极的支撑结构中提供高压屏蔽，用于将接触支撑结构的电极的端部彼此电隔离。
94.实施例还包括存在多于一组的电极对，用于使子束线的路径偏转。每组电极对可以是一组平行板电极对，如上面参考图4和图5所描述的。每组电极对可以被设置在沿带电粒子轴(即多束的路径)的不同位置处。
95.在每组电极对(或电极对阵列)内，并且对于其中存在被施加的电场的电极对，所有被施加的电场可以与该组电极对的相同轴正交地对准。尽管在电极对之间施加的电势差可能导致一些被施加的电场在彼此相反的方向上，但是被施加的电场仍然与相同的轴正交地对准。每组中的平行电极对平行于该组的轴来对准。如图5所示，在面对的平行板对之间施加的电势差可以取决于距阵列的中点的距离。例如，电场可以与距平行板阵列的中点的距离成比例。因此，所施加的偏转可以将在操纵器阵列下游的束路径引导到某点，在该点处，路径线与在彼此交叉的每个相应线位置处的束路径交叉。
96.实施例包括存在沿多束路径串联布置的多组电极对。两组或更多组的轴可以在不同的方向上对准。所有组的轴可以在不同的方向上对准。当两组或更多组的轴在不同的方向上对准时，不同对准的组将对多束中的子束的路径施加不同方向的偏转。因此，具有多于一组的电极对增加了可以被施加到子束路径的控制量。
97.如图6所示，可以存在第一组或阵列的电极对601和第二组或阵列的电极对602。这两个阵列可以使其平行板对彼此正交对准，并且也与多束路径正交对准。第一和第二组电极对被设置在沿着多束的路径603的不同位置处。第一和第二组电极对中的每一组的轴在不同的方向上对准。尽管图6示出了两组电极，但是实施例包括存在任何数目的电极组。
98.尽管电极阵列被描述为彼此正交(在正交平面中)，但是它们可以相对于彼此具有任何相对角度，只要这样的轴表示在讨论时本发明所使用的轴或者在安排讨论时已知的轴。
99.实施例包括多组电极对的多个不同布置，如每组电极对所需要的，以便能够偏转子束线的不同布置。
100.图7a是子束线布置中的子光束的示意性平面图(即，沿着带电粒子光学轴)。所示的子束布置可以被称为六边形布置，因为基本上所有的子束位于多个六边形环的顶点处。束的布置可以符合六边形密堆积布置，该六边形密堆积布置可以是二维阵列的期望的规则形式。子束以多条不同的线来布置。相对于图7a所示的水平和垂直轴，所有的子束在平行于水平轴的线和平行于垂直轴的线上对准。子束也以与水平轴和垂直轴成斜线的线来对准。在一种变型中，可以通过使束布置被调整束布置的偏置、移位或歪斜，例如以防止子束路径的重叠，可以针对扫描配置来优化阵列。
101.因此，多束布置中的所有子束可以利用与多束布置的图案的轴对准的轴被一组电极对偏转。对于图7a所示的布置，轴是水平的、垂直的、以及沿着相对于水平和垂直轴的斜线中的任一。
102.图7b示出了根据具有六边形束布置的实施例多组电极对如何被对准。每个电极对阵列位于沿着多束路径的不同位置处。即，电极对的阵列可以沿着多束路径被循序地布置。如图7b所示，可以存在第一、第二和第三组电极对。第一组的轴可以平行于水平轴线来对准，第二组的轴可以沿斜线中的一条斜线来对准，第三组的轴可以沿斜线中的另一条斜线来对准。当使用三组电极对进行这种对准时，每组内的不同电极对之间的间距(即间隔)可以小于当仅使用两组正交对准的电极对时所需的间距。如图7b所示，每组内的电极对也可以相对于彼此稍微不对准。也就是说，一组内的每个电极对在相同的方向上对准并且彼此具有相同的长度。然而，每个电极对的端部在某方向上不被彼此对准，该方向与该组内的每个电极对在其上被对准的方向正交。
103.使用多组不同对准的电极对允许改进对多束的子束的路径方向的控制。此外，它允许电极对的阵列容易地被集成到针对六边形束布置而设计的电子光学架构中。
104.应注意，没有反向偏转的带电粒子束偏转可能在被偏转的带电粒子束中引起像差。在这种布置中，距电子光学轴更远的子束被偏转更多，因此表现出更大的像差。因此，在多个平行板阵列的操纵器将带电粒子子束带到焦点之后，这样的多束可能包括像差。这些像差可以通过针对由一个或多个消像散器操纵的子束进行布置来校正，该一个或多个消像散器被布置在多束的路径中。
105.实施例还包括对多束中的子束的其它布置。当沿着带电粒子光学轴观察时，多束内的子束的位置可以基本上与基本上方形栅格、基本上菱形栅格、基本上歪斜的方形栅格、基本上移位的方形栅格、基本上压扁的方形栅格、基本上偏置的方形栅格、基本上六边形栅格、基本上移位的六边形栅格、基本上压扁的六边形栅格、基本上偏置的六边形栅格和/或基本上歪斜的六边形栅格的顶点相对应。每个操纵器装置中的平面电极表面对的布置可以根据多束中的子束的布置来确定，使得每个电极对被布置为使子束线偏转。
106.特别地，当多束内的子束的位置与基本上正方形栅格的顶点相对应时，可以提供两组电极对。它们可以是第一组电极对601和第二组电极对602。第一和第二电极对可以在正交方向上对准，使得所有子束路径可以朝向带电粒子光学轴和单个交叉地点被偏转。当子束在多束内的位置备选地与基本上六边形栅格的顶点相对应时，可以提供三组电极对。这些可以在不同的方向上对准，其中所有相邻对准之间的角间隔是相同的，使得所有子束
路径可以朝向带电粒子光学轴和单个交叉地点被偏转。在这种布置中，多束操纵器可以具有多个串联布置的平行板阵列，每个阵列与多束的束布置的不同轴相对应并与之对准。
107.实施例还包括子束在多束内的位置，这些位置与基本上六边形栅格的顶点相对应，但是仅提供两组正交对准的电极对。在图7b内是指示子束的子集的正方形，从正方形的侧面可以明显看出，尽管有子束的基础六边形图案，子束仍然在正交方向上被线性对准，正交方向是图7b所示的表示中的水平线和垂直线。例如，基于图7b中所示的表示，子束的所有水平线可以被第一组电极对偏转，并且子束的所有垂直线可以被第二组电极对偏转。应注意，在第一组电极对中，在被布置为使不同子束线偏转的相邻电极之间的间距(即间隔)大于第二组电极对内的对应间距。当子束的位置对应于规则六边形栅格时，间距的比例差可以是然而，实施例包括通过使用以基本偏置、移位、歪斜和/或压扁的六边形栅格进行布置的子束来减小和/或增大该间距差。
108.因此，实施例提供了用于使多束带电粒子中的多个子束的路径偏转的一个或多个多束操纵器装置。到子束路径的主偏转可以由每个多束操纵器装置来施加。子束以阵列来布置，在该阵列中子束以多条线来布置。每个多束操纵器装置包括电极组，该电极组包括多个平行平面电极表面对。每个电极对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着子束线之一的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着该子束线之一的相对侧来布置。每个平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够向子束的路径施加偏转量。在该组电极内，所有电极对可以在相同方向上使多束中的子束的路径偏转。备选地，一个或多个电极对可以在与一个或多个其它电极对相反的方向上使子束的路径偏转。该组内的一个或多个电极对可以不向子束的路径施加任何偏转。
109.每个多束操纵器装置内的电极对可以被布置为向子束施加不同的偏转量。
110.每个多束操纵器装置内的所有电极对可以被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，以由此对子束的路径施加偏转。备选地，每个多束操纵器装置内的一个或多个但不是全部电极对可以被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，以由此对子束的路径施加偏转。
111.多束内的子束线可以全部彼此平行，并且每个多束操纵装置内的所有电极对可以被配置为使得多束内的所有子束可以被偏转。
112.每个多束操纵器装置内的所有电极对可以被配置为使得每个电极对能够仅使多束中的一条子束线偏转。备选地，每个多束操纵器装置内的一个或多个电极对可以被配置为使得它们能够使多束中的两条或多条子束线偏转。
113.每个多束操纵器装置内的所有电极对可以被配置为使得它们被布置在彼此相同的平面中，该平面基本上与多束的带电粒子光学轴(即，多束的路径)正交。
114.每个多束操纵器装置内的所有电极对可以被配置为使得在每个电极对之间施加的电场基本上正交于带电粒子光学轴。当多束操纵器装置工作时，在每个电极对之间施加的电场可以基本上恒定。
115.每个多束操纵器装置内的每个电极对可以被配置为使得所施加的电场在方向和/或大小上不同于由其它电极对施加的电场。因此，被施加到多束中的子束线的路径中的任
一路径的偏转可以在方向和/或大小上不同于由子束线的路径中的任何其它路径施加的偏转。每个被施加的电场可以在大小上与由另一个被施加的电场施加的电场相等，并且在方向上相反。在多束操纵器装置中施加的电场可以被布置为使子束线的路径偏转，使得每个子束线的路径与来自多束操纵器装置的所有其它子束线的路径交叉。在一种布置中，被施加的电场可以取决于相应的平行板对距阵列的中间点的距离，并且附加地或备选地，在平行板对之间施加的电场的方向可以取决于该对平行板到阵列的中间点的方向。中间点可以对应于电子光学轴在跨平行板阵列的方向上的位置(相对于特定阵列沿束线相对)。
116.如以上所描述的，实施例还包括多束操纵器布置。多束操纵器布置包括沿着带电粒子光学轴和/或多束路径被设置在不同位置处的多个多束操纵器装置。每个多束操纵器装置的轴可以在不同的方向上对准。例如，多束操纵器布置可以包括具有彼此正交对准的轴的多束操纵器装置和/或具有彼此以30、60、90、120或150度对准的轴的多束操纵器装置。
117.多束带电粒子设备(诸如照射器)可以包括被设置为发射带电粒子束的带电粒子源、以及被设置为根据该束生成多束带电粒子的多束生成器。带电粒子设备可以包括根据上述实施例的多束操纵器装置和/或多束操纵器布置，该多束操纵器装置和/或多束操纵器布置能够操纵多束带电粒子中的子束线。
118.多束带电粒子设备的带电粒子光学轴可以被定义为平行于从多束生成器输出的多束中的子束的平均方向。
119.针对子束中的每个子束，多束带电粒子设备还可以包括用于操纵子束和/或子束的路径的一个或多个操纵器。由此，所有的子束或子束路径可以由操纵器阵列单独操纵。操纵器阵列可以被配置为基本上对多束中的子束的路径进行准直，或者应用任何其它类型的操纵。操纵器阵列中的每个单独的操纵器可以包括例如四极、八极或十二极电极布置。如以上所描述的，对根据实施例的一个或多个操纵器装置的使用可以导致仅需要操纵器对子束路径施加精细操纵，并且这可以提供许多优势，诸如简化操纵器阵列的设计和实现以及增加操纵器阵列中的单独操纵器的数目和密度。可以在低工作电压下实现精细操纵，降低了布线和布线要求。
120.如图8所示，用于操纵子束的单独操纵器可以被布置在操纵器阵列中。图8示出了用于操纵以正方形栅格来布置的25个子束的操纵器阵列。操作器阵列可以包括不同数目和布置的操作器，如以多束中的子束的数目和布置进行操作所需的。
121.图9是示出了在z-y平面中通过带电粒子设备的部分的截面的示意图。如图9所示，902可以是根据实施例的沿x轴对准的操纵器装置。904可以是根据实施例的沿y轴对准的操纵器装置。操纵器阵列可以被设置在多束路径中的位置901、903或905中的一个或多个位置处。因此，可以提供多于一个的操纵器阵列。当通过操纵器的子束路径都基本上垂直于操纵器阵列的平面时，由操纵器阵列中的操纵器引起的像差量可以是最小的。这可以是沿着带电粒子轴将操纵器阵列中的一个或多个操纵器阵列定位在这些位置的优势，例如所有的操纵器阵列可以位于操纵器装置的上游(例如，在图9中的位置901处)。
122.图9中所示的带电粒子设备的部分被布置为将多个子束会聚到焦点。由于子束的会聚，对于位于903的操作器阵列，操作器阵列中的相邻组件之间的间距(即分隔)在y方向上可以比位于901的操作器阵列低。类似地，对于位于905处的操纵器阵列，操纵器阵列中的相邻组件之间的间距可以在x方向上比位于901和/或903处的操纵器阵列小。
123.操纵器装置和/或操纵器阵列的驱动信号可以是变化的，以便控制子束的焦点沿带电粒子光学轴的位置和/或控制焦点在x-y平面中的位置。操纵器装置还可以被配置为对子束的x位置和/或y位置中的任何误差施加校正。
124.实施例还包括进入带电粒子设备的部分的子束是发散的，使得多束是展宽束。操纵器装置可以被设置为对发散的子束进行准直，在这种配置中，操纵器阵列的组件之间的间距可以备选地随着操纵器阵列的下游位置而增加。
125.应注意，图9不是按比例绘制的。在带电粒子设备的典型实现中，操纵器阵列中的每个操纵器阵列与操纵器装置之间在z方向上的分隔可以是几毫米。在z方向上到子束焦点的距离可以是距操纵器装置的位置的几百毫米。
126.实施例还包括在多束路径中提供一个或多个消像散器。具有操纵器阵列结构的消像散器阵列可以位于图9中的地点901、903和905中的一个或多个地点处、和/或在带电粒子设备的该部分的上游和/或下游。每个消像散器元件是多极电极装置。每个消像散器可以包括用于保护的屏蔽件。该屏蔽件可以在消像散器元件阵列的直接向上游，以保护消像散器元件免受滞留电子的影响。屏蔽件可以采用具有在位置上与消像散器阵列中的那些相对应的孔径的衬底的形式。
127.实施例包括在多束内存在任意数目和布置的子束。例如，多束中的子束的布置可以是n
×
m，其中：n为3、11、1000或更高；以及m为3、11、1000或更高。
128.操纵器装置的每个电极的高度(即沿着带电粒子光学轴的长度)可以是几百微米，诸如大约300μm。
129.电极对中的两个电极之间的间隔可以在约50μm与几百微米之间。
130.每个电极可以由例如金属涂覆的硅或高掺杂的硅制成。
131.实施例包括对上述技术的许多修改和变化。
132.多束带电粒子设备可以是检查(或度量检查metro-inspection)工具的组件或电子束光刻工具的部分。根据实施例的多束带电粒子设备可以用于许多不同的应用中，这些应用通常包括电子显微镜，而不仅仅是sem和光刻。
133.实施例包括多束检查和/或量测工具，其包括上述根据实施例的操纵器装置。操纵器装置可以是扫描装置的部分，该扫描装置被设置为将多束带电粒子投射到样品上。多束检查工具可以包括检测器，该检测器被设置为检测从被照射的样品接收的带电粒子，诸如二次电子。
134.实施例还包括多束光刻工具，该多束光刻工具包括根据实施例的上述操纵器装置。
135.特别地，多束带电粒子设备可以包括根据实施例的操纵器装置和上面参考图1至图3所描述的设备中的任何组件。
136.多束带电粒子设备可以包括单个带电粒子源，如图1至图3所示。备选地，多束带电粒子设备可以包括多个带电粒子源。可以存在用于每个源的分开列和根据在每一列中提供的实施例的操纵器装置。备选地，多束带电粒子设备可以包括多个带电粒子源和仅单个列。根据实施例的一个或多个操纵器装置可以被提供在该单个列中。
137.在整个实施例中，描述了带电粒子光学轴。该轴描述了带电粒子通过照射设备和从照射设备输出的路径。输出多束的子束可以都基本上平行于带电粒子光学轴。带电粒子
光学轴可以与照射设备的机械轴相同或不同。
138.实施例包括以下陈述。
139.根据本发明的第一方面，提供了一种多束操纵器装置，该多束操纵器装置被配置为在多束带电粒子中的多个子束的路径上操作以由此使多个子束路径偏转，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，多束操纵器装置包括：包括多个平行平面电极表面对的电极组；其中：该组中的第一平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着子束线中的一条线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着子束路径线中的所述线的相对侧来布置；该组中的第二平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着子束路径线中的不同线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着子束路径线中的所述不同线的相对侧来布置；第一平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够在第一方向上向子束路径施加第一偏转量；第二平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够在第二方向上向子束路径施加第二偏转量；并且第一方向与第二方向相反。
140.优选地，第一偏转量的大小不同于第二偏转量的大小。
141.优选地，该组中的每个平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用以由此对子束路径施加偏转。
142.优选地，多个平行平面电极表面对被配置为使得它们能够使阵列中的所有子束线偏转，子束线跨阵列基本上彼此平行。
143.优选地，多个平行平面电极表面对被配置为使得它们能够使阵列中的子束线中的至少两条(但不是全部)线偏转，子束线跨阵列基本上彼此平行。
144.优选地，该组中的每个平行平面电极表面对被配置为使得其能够仅使多束中的一条子束线偏转。
145.优选地，其中平行平面电极表面对的全部被布置在彼此相同的平面中，该平面基本上正交于带电粒子光学轴。
146.优选地，每个平行平面电极表面对被配置为在其第一和第二平面表面之间施加电场以用于使子束线中的所有子束路径静电偏转；并且被施加的电场基本上正交于带电粒子光学轴。
147.优选地，当使用时，每个平行平面电极表面对在其第一和第二平面表面之间施加基本恒定的电场以用于使子束线中的所有子束路径偏转。
148.优选地，每个平行平面电极表面对被配置为施加一定电场，该电场在方向和/或大小上不同于由其它平行平面电极表面对施加的电场，使得被施加到多束中的每条子束线的偏转在方向和/或大小上不同。
149.优选地，对于一个或多个平行平面电极表面对中的每个平行平面电极表面对，由一个平行平面电极表面对施加的电场与由另一平行平面电极表面对施加的电场大小相等且方向相反。
150.优选地，当沿着带电粒子光学轴观察时，子束在多束内的位置基本上与基本上正方形栅格、基本上菱形栅格和/或基本上歪斜或移位的正方形栅格的顶点相对应。
151.优选地，当沿着带电粒子光学轴观察时，子束在多束内的位置基本上与基本上六
边形栅格和/或基本上歪斜或移位的六边形栅格的顶点相对应。
152.根据本发明的第二方面，提供了一种多束操纵器布置，包括：根据第一方面的第一多束操纵器装置；以及一个或多个另外的多束操纵器装置，其中一个或多个另外的多束操纵器装置中的每个多束操纵器装置是根据第一方面的多束操纵器装置；其中，每个多束操纵器装置沿着多束操纵器布置的带电粒子光学轴被布置在不同的位置处。
153.优选地，平面电极表面对在每个多束操纵器装置内在相同方向上对准；以及在每个多束操纵器装置中在不同的方向上对准。
154.优选地，多束操纵器布置包括第二多束操纵器装置；并且第二多束操纵器装置中的平面电极表面对相对于第一多束操纵器装置基本上正交地并且沿路径向下对准。
155.优选地，多束操纵器布置包括第二多束操纵器装置；多束操纵器布置包括第三多束操纵器装置；以及在第一、第二和第三多束操纵器装置中的平面电极表面对各自在不同的方向上对准。
156.优选地，该阵列包括三组不同的线，其中每组线在不同的方向上对准。
157.优选地，对于多束操纵器装置中的至少一个多束操纵器装置，一个或多个平行电极表面对被配置为使每条子束线的路径偏转，使得每条子束线的路径与在多束操纵器装置中的至少一个多束操纵器装置下游的所有其它子束线的路径交叉。
158.根据本发明的第三方面，提供了一种带电粒子系统，包括：带电粒子源，被布置为发射束；多束生成器，被布置为根据该束生成多束，其中多束包括多个子束；以及根据第一方面的多束操纵器装置、或根据第二方面的多束操纵器布置，被配置为操纵由多束生成器生成的多束中的子束的路径。
159.优选地，带电粒子光学轴被定义为平行于从多束生成器输出的多束中的子束的平均方向。
160.优选地，对于子束中的每个子束，该系统还包括一个或多个操纵器，以用于操纵子束的路径，使得子束路径可以被单独地操纵。
161.优选地，用于操纵子束的操纵器被配置为基本上对多束中的子束路径进行准直。
162.优选地，带电粒子是电子。
163.根据本发明的第四方面，提供一种电子束检查工具，包括根据第三方面的带电粒子系统。
164.根据本发明的第五方面，提供一种电子束光刻工具，包括根据第三方面的带电粒子系统。
165.根据本发明的第六方面，提供了一种多束操纵器装置，被配置为在多束带电粒子中的多个子束路径上操作，以便使多个子束路径偏转，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以一系列线来布置，多束操纵器装置包括：多个平行平面电极表面对；其中：第一平行平面电极表面对包括两个相对的平面平行电极表面，两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少一条子束线被布置在任一侧；第二平行平面电极表面对包括两个相对的平面平行电极表面，两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少另一条子束线被布置在任一侧；第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对跨多束而延伸以跨过阵列，并且在操作中被配置为与在表面对之间的线中的相应子束路径静电相互作用。
166.根据本发明的第七方面，提供了一种多束操纵器，该多束操纵器被配置为操纵多
束带电粒子的子束路径的阵列，这些子束以该阵列中的线来布置，这些线在至少两个不同的线方向上，该多束操纵器装置包括：多个偏转器装置，该多个偏转器装置与阵列中的线方向的数目相对应并且被布置在多束的路径上的不同位置处，其中，每个偏转器装置包括多个平行平面电极表面对，每个偏转器装置的平行平面电极表面与不同的线方向对准，多个平行平面电极表面对包括：第一平行平面电极表面对，包括两个相对的平面平行电极表面，该两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少一条子束线被布置在任一侧；第二平行平面电极表面对，包括两个相对的平面平行电极表面，该两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少另一条子束线被布置在任一侧，子束线中的至少另一条子束线与子束线中的至少一个子束线平行；以及第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对，该第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对跨多束而延伸以跨过阵列，并且在操作中被配置为与表面对之间的线中的相应子束路径静电相互作用。
167.根据本发明的第八方面，提供了一种多束操纵器，该多束操纵器被配置为操纵多束带电粒子的子束路径的阵列，这些子束以该阵列中的线进行布置，这些线在至少两个不同的线方向上，该多束操纵器装置包括：多个偏转器装置，多个偏转器装置与阵列中的线方向的数目相对应并且沿着多束路径来定位，其中每个偏转器装置包括多个平面平行相对电极表面，每个偏转器装置的平面平行电极表面与不同的线方向对准，多个平行平面电极表面对包括：至少两个相对的平行平面电极表面对，其中每个相对的平面平行表面对被配置为在子束路径线中不同的至少一条线的任一侧跨过多束阵列，使得在操作中，每个相对的平行平面电极表面对与所述表面之间的相应的至少一条线中的所有子束路径静电相互作用。
168.优选地，多束操纵器被配置为将子束偏转到焦点。
169.根据本发明的第九方面，提供了一种使多束带电粒子中的多个子束的路径偏转的方法，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，该方法包括：与多束中的第一子束整线静电相互作用，使得第一偏转量在第一方向被施加到子束的路径；以及与多束中的第二子束整线静电相互作用，使得第二偏转量在第二方向上被施加到子束的路径，其中第一方向与第二方向相反。
170.虽然已经结合各种实施例描述了本发明，但是通过考虑本文中所公开的本发明的说明书和实践，本发明的其它实施例对于本领域技术人员而言将是明显的。说明书和示例仅被认为是示例性的，本发明的真实范围和精神由所附权利要求指示。
171.以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域的技术人员而言明显的是，在不脱离以下阐述的权利要求的范围的情况下，可以如所描述的进行修改。
172.在根据以下条款的布置中公开了：
173.条款1：一种多束操纵器装置，被配置为在多束带电粒子中的多个子束的路径上操作以由此使多个子束路径偏转，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，多束操纵器装置包括：包括多个平行平面电极表面对的电极组；其中：
174.该组中的第一平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着子束线中的一条线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着子束路径线中的所述线的相对侧来布置；
175.该组中的第二平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，
该第一平面电极表面沿着子束路径线中的不同线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着子束路径线中的所述不同线的相对侧来布置；
176.第一平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够在第一方向上向子束路径施加第一偏转量；
177.第二平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用，使得其能够在第二方向上向子束路径施加第二偏转量；以及
178.第一方向与第二方向相反。
179.条款2：根据条款1的多束操纵器装置，其中第一偏转量的大小不同于第二偏转量的大小。
180.条款3：根据条款1或2的多束操纵器装置，其中该组中的每个平行平面电极表面对被配置为与多束中的子束整线静电相互作用以由此对子束路径施加偏转。
181.条款4：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中多个平行平面电极表面对被配置为使得它们能够使阵列中的所有子束线偏转，子束线跨阵列基本上彼此平行。
182.条款5：根据条款1至3中任一项的多束操纵器装置，其中多个平行平面电极表面对被配置为使得它们能够使阵列中的子束线中的至少两条(但不是全部)线偏转，子束线跨阵列基本上彼此平行。
183.条款6：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中该组中的每个平行平面电极表面对被配置为使得其能够仅使多束中的一条子束线偏转。
184.条款7：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中平行平面电极表面对中的全部被布置在彼此相同的平面中，该平面基本上正交于带电粒子光学轴。
185.条款8：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中每个平行平面电极表面对被配置为在其第一和第二平面表面之间施加电场以用于使子束线中的所有子束路径静电偏转；并且被施加的电场基本上正交于带电粒子光学轴。
186.条款9：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中当使用时，每个平行平面电极表面对在其第一和第二平面表面之间施加基本恒定的电场以用于使子束线中的所有子束的路径偏转。
187.条款10：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中每个平行平面电极表面对被配置为施加一定电场，该电场在方向和/或大小上不同于由其它平行平面电极表面对施加的电场，使得被施加到多束中的每条子束线的偏转在方向和/或大小上不同。
188.条款11：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中对于一个或多个平行平面电极表面对中的每个平行平面电极表面对，由一个平行平面电极表面对施加的电场与由另一平行平面电极表面对施加的电场大小相等且方向相反。
189.条款12：根据前述条款中任一项的多束操纵器装置，其中当沿着带电粒子光学轴观察时，子束在多束内的位置基本上与基本上正方形栅格、基本上菱形栅格和/或基本上歪斜或移位的正方形栅格的顶点相对应。
190.条款13：根据条款1至11中任一项的多束操纵器装置，其中当沿着带电粒子光学轴观察时，子束在多束内的位置基本上与基本上六边形栅格和/或基本上歪斜或移位的六边形栅格的顶点相对应。
191.条款14：一种多束操纵器布置，包括：根据前述条款中任一项所述的第一多束操纵
器装置；以及一个或多个另外的多束操纵器装置，其中该一个或多个另外的多束操纵器装置中的每个多束操纵器装置是根据前述条款中任一项的多束操纵器装置；其中，每个多束操纵器装置沿着多束操纵器布置的带电粒子光学轴被布置在不同的位置处。
192.条款15：根据条款14的多束操纵器布置，其中平面电极表面对在每个多束操纵器装置内在相同方向上对准；以及在每个多束操纵器装置中在不同的方向上对准。
193.条款16：根据条款14或15的多束操纵器布置，其中多束操纵器布置包括第二多束操纵器装置；并且第二多束操纵器装置中的平面电极表面对相对于第一多束操纵器装置基本上正交地并且沿路径向下对准。
194.条款17：根据条款14或15中任一项的多束操纵器布置，其中：多束操纵器布置包括第二多束操纵器装置；多束操纵器布置包括第三多束操纵器装置；以及在第一、第二和第三多束操纵器装置中的平面电极表面对各自在不同的方向上对准。
195.条款18：根据条款17的多束操纵器布置，其中该阵列包括三组不同的线，其中每组线在不同的方向上对准。
196.条款19：根据条款14至18中任一项的多束操纵器布置，其中对于多束操纵器装置中的至少一个多束操纵器装置，一个或多个平行电极表面对被配置为使每条子束线的路径偏转，使得每条子束线的路径与在多束操纵器装置中的至少一个多束操纵器装置下游的所有其它子束线的路径交叉。
197.条款20：一种带电粒子系统，包括：带电粒子源，被布置为发射束；多束生成器，被布置为根据该束生成多束，其中多束包括多个子束；以及根据条款1至13中任一项所述的多束操纵器装置、或根据条款14至19中任一项所述的多束操纵器布置，被配置为操纵由多束生成器生成的多束中的子束的路径。
198.条款21：根据条款20的带电粒子系统，其中带电粒子光学轴被定义为平行于从多束生成器输出的多束中的子束的平均方向。
199.条款22：根据条款20或21的带电粒子系统，其中对于子束中的每个子束，该系统还包括一个或多个操纵器，以用于操纵子束的路径，使得子束路径可以被单独地操纵。
200.条款23：根据条款20至22中任一项的带电粒子系统，其中用于操纵子束的操纵器被配置为基本上对多束中的子束路径进行准直。
201.条款24：根据条款20至23中任一项的带电粒子系统，其中带电粒子是电子。
202.条款25：一种电子束检查工具，包括根据条款20至24中任一项所述的带电粒子系统。
203.条款26：一种电子束光刻工具，包括根据条款20至24中任一项所述的带电粒子系统。
204.条款27：一种多束操纵器装置，被配置为在带电粒子的多束中的多个子束路径上操作，以便使多个子束路径偏转，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以一系列线来布置，多束操纵器装置包括：多个平行平面电极表面对；其中：
205.第一平行平面电极表面对包括两个相对的平面平行电极表面，两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少一条子束线被布置在任一侧；
206.第二平行平面电极表面对包括两个相对的平面平行电极表面，两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少另一条子束线被布置在任一侧；
207.第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对跨多束而延伸以与阵列交叉，并且在操作中被配置为与在表面对之间的线中的相应子束路径静电相互作用。
208.条款28：一种多束操纵器，被配置为操纵多束带电粒子的子束路径的阵列，这些子束以该阵列中的线来布置，这些线在至少两个不同的线方向上，该多束操纵器装置包括：多个偏转器装置，该多个偏转器装置与阵列中的线方向的数目相对应并且被布置在多束的路径上的不同位置处，其中，每个偏转器装置包括多个平行平面电极表面对，每个偏转器装置的平行平面电极表面与不同的线方向对准，多个平行平面电极表面对包括：第一平行平面电极表面对，包括两个相对的平面平行电极表面，该两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少一条子束线被布置在任一侧；第二平行平面电极表面对，包括两个相对的平面平行电极表面，该两个相对的平面平行电极表面沿着子束线中的至少另一条子束线被布置在任一侧，子束线中的至少另一条子束线与子束线中的至少一条子束线平行；以及第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对，该第一平行平面电极表面对和第二平行平面电极表面对跨多束而延伸以与阵列交叉，并且在操作中被配置为与表面对之间的线中的相应子束路径静电相互作用。
209.条款29：一种多束操纵器，被配置为操纵多束带电粒子的子束路径的阵列，这些子束以该阵列中的线进行布置，这些线在至少两个不同的线方向上，该多束操纵器装置包括：多个偏转器装置，多个偏转器装置与阵列中的线方向的数目相对应并且沿着多束路径来定位，其中每个偏转器装置包括多个平面平行相对电极表面，每个偏转器装置的平面平行电极表面与不同的线方向对准，多个平行平面电极表面对包括：至少两个相对的平行平面电极表面对，其中每个相对的平面平行表面对被配置为在子束路径中不同的至少一条线的任一侧横跨多束阵列，使得在操作中，每个相对的平行平面电极表面对与所述表面之间的相应的至少一条线中的所有子束路径静电相互作用。
210.条款30：根据条款29的多束操纵器，其中多束操纵器被配置为将子束偏转到焦点。
211.条款31：一种使多束带电粒子中的多个子束的路径偏转的方法，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，该方法包括：与多束中的第一子束整线静电相互作用，使得第一偏转量在第一方向被施加到子束的路径；以及与多束中的第二子束整线静电相互作用，使得第二偏转量在第二方向上被施加到子束的路径，其中第一方向与第二方向相反。
212.条款32：一种使多束带电粒子中的多个子束的路径偏转的方法，其中子束以阵列来布置，子束在该阵列中以多条线来布置，子束线跨阵列基本上彼此平行，该方法包括：使用包括多个平行平面电极表面对的电极组中的第一平行平面电极表面对，与多束中的第一子束整线静电相互作用，使得第一偏转量在第一方向上被施加到子束路径，第一平行平面电极表面对被配置为使得它们能够使第一子束线中的所有子束偏转；以及使用该电极组中的第二平行平面电极表面对，与多束中的第二子束整线静电相互作用，使得第二偏转量在第二方向上被施加到子束路径，其中第一方向与第二方向相反，第二平行平面电极表面对被配置为使得它们能够使第二子束线中的所有子束偏转。
213.条款33：其中该组中的第一平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着第一子束线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着所述第一子束线的相对侧来布置。
214.条款34：其中该组中的第二平行平面电极表面对包括第一平面电极表面和第二平面电极表面，该第一平面电极表面沿着第二子束线的一侧来布置，该第二平面电极表面平行于第一平面电极表面并且沿着所述第二子束线的相对侧来布置。