光刻用组合物和图案形成方法与流程

技术特征：
1.一种光刻用组合物，其包含具有选自由碘、碲和氟组成的组中的至少1种元素的化合物、或包含具有源自所述化合物的结构单元的树脂，所述化合物中的所述原子的总质量为15质量％以上且75质量％以下。2.根据权利要求1所述的光刻用组合物，其中，所述至少1种元素为选自由碘和碲组成的组中的至少1种元素。3.根据权利要求1或2所述的光刻用组合物，其中，所述至少1种元素为碘，所述化合物中的所述碘的质量为15质量％以上且75质量％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用组合物，其中，所述化合物由式(a-4a)表示，式(a-4a)中，x表示氧原子、硫原子、单键或无桥连，y为碳数1～60的2n价基团或单键，此处，x为无桥连时，y为所述2n价基团，r0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、任选具有取代基的碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基或羟基，此处，r0中的至少1个为羟基，m各自独立地为1～9的整数，q表示碘、碲、氟、或至少包含碘或碲或氟的碳数1～30的烷基、或至少包含碘或碲或氟的碳数6～40的芳基，n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数，q、r0、y中的至少一个包含碘、碲、氟中的至少1种元素，q各自独立地为0～(4 2
×
p-m)的整数。5.根据权利要求4所述的光刻用组合物，其中，y为任选具有取代基的、具有碳数6～60的芳基的2n价烃基。6.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用组合物，其中，所述化合物由式(a-4c)表示，
式(a-4c)中，x表示氧原子、硫原子、单键或无桥连，y为碳数1～60的2n价基团或单键，此处，x为无桥连时，y为所述2n价基团，r0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、任选具有取代基的碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基或羟基，此处，r0中的至少1个为羟基，r0中的至少1个为碘、或含有碘的基团，m各自独立地为1～9的整数，n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。7.根据权利要求6所述的光刻用组合物，其中，y为任选具有取代基的、具有碳数6～60的芳基的2n价烃基。8.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用组合物，其中，所述化合物由通式(am1)表示，式(am1)中，r1表示氢原子、甲基、或卤素基团，r2各自独立地表示氢原子、碳数1～20的直链状的有机基团、碳数3～20的支链状的有机
基团、或碳数3～20的环状的有机基团，a表示碳数1～30的有机基团，n1表示0或1，n2表示1～20的整数。9.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用组合物，其中，所述化合物由通式(a-7)表示，式(a-7)中，x各自独立地表示碲、i、f、或具有1个以上且5个以下的选自由碲、i、和f组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团，且至少1个x为碲或i，l1表示单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、亚磷基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，m为1以上的整数，y各自独立地表示羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、亚磷基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，n为0以上的整数，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、或碳酸酯基，r为0以上的整数，a为碳数1～30的有机基团，r
a
、r
b
、和r
c
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，p为1以上的整数。10.根据权利要求1～9中任一项所述的光刻用组合物，其还含有溶剂。11.根据权利要求1～10中任一项所述的光刻用组合物，其还含有产酸剂。12.根据权利要求1～11中任一项所述的光刻用组合物，其还含有酸扩散促进剂。13.根据权利要求1～12中任一项所述的光刻用组合物，其还含有酸扩散抑制剂。14.根据权利要求1～13中任一项所述的光刻用组合物，其还含有交联剂。15.根据权利要求1～14中任一项所述的光刻用组合物，其在薄膜形成后固化。16.根据权利要求1～15中任一项所述的光刻用组合物，其用于形成抗蚀层接触膜。17.根据权利要求1～15中任一项所述的光刻用组合物，其用于形成下层膜。18.一种抗蚀图案形成方法，其包括如下工序：下层膜形成工序，使用权利要求17所述的光刻用组合物在基板上形成下层膜；光致抗蚀膜形成工序，在通过该下层膜形成工序形成的下层膜上形成至少一层光致抗蚀膜；及
对通过该光致抗蚀膜形成工序而形成的光致抗蚀膜的规定区域照射辐射性，进行显影的工序。19.一种电路图案形成方法，其包括如下工序：下层膜形成工序，在基板上形成下层膜；抗蚀层接触膜形成工序，使用权利要求16所述的光刻用组合物在通过该下层膜形成工序而形成的下层膜上形成抗蚀层接触膜；光致抗蚀膜形成工序，在通过该抗蚀层接触膜形成工序而形成的抗蚀层接触膜上形成至少一层光致抗蚀膜；抗蚀图案形成工序，对通过该光致抗蚀膜形成工序而形成的光致抗蚀膜的规定区域照射辐射线，进行显影而形成抗蚀图案；图案形成工序，将通过该抗蚀图案形成工序而形成的抗蚀图案作为掩模，对所述抗蚀层接触膜、或所述抗蚀层接触膜和所述下层膜进行蚀刻而形成图案；及基板图案形成工序，将通过该图案形成工序而形成的图案作为掩模对所述基板进行蚀刻而在基板上形成图案。20.一种式(a-4a)所示的化合物，式(a-4a)中，x表示氧原子、硫原子、单键或无桥连，y为碳数1～60的2n价基团或单键，此处，x为无桥连时，y为所述2n价基团，r0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、任选具有取代基的碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基或羟基，此处，r0中的至少1个为羟基，m各自独立地为1～9的整数，q表示碘、碲、氟、或至少包含碘或碲或氟的碳数1～30的烷基、或至少包含碘或碲或氟的碳数6～40的芳基，n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数，
q、r0、y中的至少一个包含碘、碲、氟中的至少1种元素，q各自独立地为0～(4 2
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p-m)的整数。21.根据权利要求20所述的化合物，其中，y为任选具有取代基的具有碳数6～60的芳基的2n价烃基。22.一种式(a-4c)所示的化合物，式(a-4c)中，x表示氧原子、硫原子、单键或无桥连，y为碳数1～60的2n价基团或单键，此处，x为无桥连时，y为所述2n价基团，r0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、任选具有取代基的碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基或羟基，此处，r0中的至少1个为羟基，r0中的至少1个为碘、或含有碘的基团，m各自独立地为1～9的整数，n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。23.根据权利要求22所述的化合物，其中，y为任选具有取代基的、具有碳数6～60的芳基的2n价烃基。

技术总结
本发明的目的在于提供：能形成曝光灵敏度优异的图案、且可以得到与抗蚀层接触的膜、下层膜的光刻用组合物等。前述目的可以通过前述光刻用组合物而实现，所述光刻用组合物包含具有选自由碘、碲和氟组成的组中的至少1种元素的化合物、或包含具有源自前述化合物的结构单元的树脂，前述化合物中的前述原子的总质量为15质量％以上且75质量％以下。15质量％以上且75质量％以下。


技术研发人员：大松祯 松本正裕 佐藤隆 越后雅敏
受保护的技术使用者：三菱瓦斯化学株式会社
技术研发日：2021.02.02
技术公布日：2022/9/13