基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法

技术特征：
1.一种基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、利用切图软件将需要曝光的样品版图文件进行切图；步骤2、在基底上匀上光刻胶之后用烘胶台进行烘烤，再放置到黑暗处进行冷却；步骤3、将匀好胶的基底放置于光刻机的样品平台之上，设置好光刻参数、使镜头对焦后便进行图形的自动光刻；步骤4、使用正胶显影液对光刻好的基底进行显影，一段时间后，被曝光的图形因为变质导致溶解于显影液，露出下层金属，利用去离子水洗掉显影液；步骤5、利用金属刻蚀液对裸露的金属进行刻蚀操作，将基底放入流动的去离子中，洗掉刻蚀液和多余的杂质；步骤6、最后将制作于基底上的样品用划片机划切分离，并去胶清洗后便可得到光子晶体，并将其封装于样品盒内进行测试。2.根据权利要求1所述的基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，其特征在于，在步骤1中，所述样品版图文件为利用l-edit软件进行设计并导出对应光刻机的.gds文件。3.根据权利要求1所述的基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，其特征在于，在步骤2中，所述基底为硅基底或者蓝宝石基底。4.根据权利要求3所述的基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，其特征在于，在步骤2中，在基底上匀上光刻胶之后用烘胶台进行烘烤的时间为60s-120s，放置到黑暗处进行冷却的时间为2min-4min。5.根据权利要求1所述的基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，其特征在于，在步骤4中，使用正胶显影液对光刻好的基底进行显影的显影时间为14s-18s。6.根据权利要求1所述的基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，其特征在于，在步骤5中，利用金属刻蚀液对裸露的金属进行刻蚀操作的刻蚀时间为8min-10min。

技术总结
本发明公开了一种基于激光直写光刻机制备光子晶体的方法，包括将需要曝光的样品版图文件进行切图；在基底上匀上光刻胶之后用烘胶台进行烘烤，并进行冷却；再放置于光刻机的样品平台之上，设置好光刻参数、使镜头对焦后便进行图形的自动光刻；使用正胶显影液对光刻好的基底进行显影，被曝光的图形因为变质导致溶解于显影液，露出下层金属，利用去离子水洗掉显影液；利用金属刻蚀液对裸露的金属进行刻蚀操作，将基底放入流动的去离子中，洗掉刻蚀液和多余的杂质；最后将制作于基底上的样品用划片机划切分离，并去胶清洗后便可得到光子晶体，并将其封装于样品盒内进行测试；本发明大大减小了光子晶体样品的尺寸，并且提高了制备的精度。的精度。的精度。


技术研发人员：韦联福 刘洋 欧阳鹏辉 和穗荣 王翼卓 李玉芬 柳红英
受保护的技术使用者：西南交通大学
技术研发日：2022.06.15
技术公布日：2022/9/13