显示面板和显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和具有该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.有机电致发光显示器(organic light-emitting display，简称为“oled”)是主动发光显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低以及易于彩色显示、大屏幕显示以及柔性显示等优点，有望成为下一代主流平板显示技术。目前，oled通常采用不同颜色作为基色，并通过调节不同颜色组合的混色比，产生真彩色，最终实现显示。但是，由于不同颜色的亮度寿命之间存在差异，尤其是在高亮度的模式下，不同颜色的亮度寿命差距会加大，因此，在产时间显示后，会出现偏色的问题。


技术实现要素：

3.本技术的第一方面提供一种显示面板。该显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素，多个子像素被划分为第一类子像素和第二类子像素，第一类子像素的亮度寿命小于第二类子像素的亮度寿命。每个子像素包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的发光层和载流子传输层，并且第一类子像素的载流子传输层的载流子迁移率与第二类子像素的载流子传输层的载流子迁移率不同。
4.在上述方案中，设计亮度寿命不同第一类子像素和第二子像素对应的载流子传输层中载流子的迁移率不同，调整了第一类子像素/第二子像素在对应的发光层中的载流子复合区域的大小，从而减少了第一类子像素的亮度寿命和第二子像素的亮度寿命之间的差异，改善显示偏色的问题。
5.结合第一方面，在一些实施方式中，载流子传输层包括电子传输层，位于阴极和发光层之间，且第一类子像素的电子传输层的电子迁移率小于第二类子像素的电子传输层的迁移率。
6.在上述方案中，第一类子像素的电子传输层的电子迁移率小于第二类子像素的电子传输层的电子迁移率，提高了亮度寿命小的第一类子像素的亮度寿命，从而改善了显示面板的显示偏色问题。
7.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层,第一类子像素的电子传输层还包括第二膜层，第二膜层的电子迁移率小于第一膜层的电子迁移率，且位于第一膜层和第一类子像素的发光层之间。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层的厚度越大。
8.在上述方案中，仅在亮度寿命小的第一类子像素的电子传输层的第一膜层和发光层之间设置了电子迁移率小的第二膜层，这增大了第一类子像素的发光层的载流子复合区，使得更多的电子与空穴发生复合产生更多的激子，从而提高了第一类子像素的亮度寿
命。
9.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层,第二类子像素的电子传输层还包括第二膜层，第二膜层的电子迁移率大于第一膜层的电子迁移率，且位于第一膜层和第二类子像素的发光层之间。进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层的厚度越小。
10.在上述方案中，通过在第二类子像素中设置电子迁移率大的第二膜层，减小了第二类子像素的发光层中的载流子复合区的，进而减少了第二类子像素的亮度寿命，最终缩减第一类子像素与第二类子像素之间的亮度寿命的差异，改善了显示偏色的问题。
11.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层和第二膜层，第二膜层的电子迁移率小于第一膜层的电子迁移率，分别位于第一膜层与第一类子像素以及第二类子像素的发光层之间，并且第一类子像素的第二膜层的厚度大于第二类子像素的第二膜层的厚度。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层越厚；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层越厚。
12.在上述方案中，对像素内所有的子像素的亮度寿命进行调节，能够均衡不同颜色子像素的亮度寿命的差异，更高效地改善了显示偏色的问题。
13.结合第一方面，在一些实施方式中，在第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层和第二膜层的情况下，不同子像素之间的第一膜层和第二膜层的总厚度相等，且第一类子像素的第二膜层的厚度大于第二类子像素的第二膜层的厚度。
14.在上述方案中，第一膜层和第二膜层在第一类子像素和第二类子像素之间厚度的设计，不仅通过使第一类子像素有更多的电子以慢的速度进入到发光层中，有更多的电子和更多空穴发生复合，更大程度的提高了第一类子像素的亮度寿命，缩短了第一类子像素和第二类子像素之间的亮度寿命的差异。并且，第一膜层和第二膜层的设置，便于显示面板的生产加工，节约了生产成本。
15.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的电子传输层的材料为掺杂有第二类材料构成的基材层，基材层由第一类材料构成，第二类子像素的电子传输层的材料为第一类材料，在第一类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第二类材料，第二类材料的电子迁移率小于第一类材料的电子迁移率。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越大。
16.在上述方案中，通过掺杂的方式减少第一类像素对应的电子传输层的电子迁移率，增大了载流子复合区的大小，提高了第一类子像素的亮度寿命，减少了第一类子像素和第二类子像素的亮度差异，改善了显示偏色的问题。并且，掺杂方式简单便于实现，节约生产成本。进一步地，对第一类子像素包含的所有的子像素进行掺杂处理，更有效地缓解了显示偏色的问题。
17.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的电子传输层的材料为第一类材料，第二类子像素的电子传输层的材料为掺杂有第二类材料构成的基材层，基材层由第
一类材料构成，在第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第二类材料，第二类材料的电子迁移率大于第一类材料的电子迁移率。进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越小。
18.在上述方案中，在第二类子像素的电子传输层掺杂电子迁移率大的第二类材料，降低了第二类子像素的亮度寿命。进一步地，根据第二类子像素中所有子像素出射的光的波长来掺杂不同浓度的第二类材料，使第二类子像素的所有子像素的亮度寿命得到合理地降低，更有效地缓解显示偏色的问题。
19.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的电子传输层的材料和第一类子像素的电子传输层的材料均为掺杂有第二类材料构成的基材层，基材层由第一类材料构成，在第一类子像素的基材层和第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧分别掺杂第二类材料，第二类材料的电子迁移率小于第一类材料的电子迁移率，且第二类材料在第一类子像素的基材层中的掺杂浓度大于在第二类子像素的基材层中的掺杂浓度。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越大；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越大。
20.在上述方案中，对第一类子像素和第二类子像素的电子传输层均掺杂不同浓度的电子迁移率小的第二类材料，使得第一类子像素的亮度寿命得到了提高，改善了显示偏色的问题。进一步地，对所有的子像素进行掺杂处理，并且根据子像素出射的光的不同波长关系来调节掺杂的第二材料的浓度，更高效地改善了显示偏色的问题。
21.结合第一方面，在一些实施方式中，载流子传输层包括空穴传输层，位于阳极和发光层之间，且第一类子像素的空穴传输层的空穴迁移率大于第二类子像素的空穴传输层的空穴迁移率。
22.在上述方案中，限制了第一类子像素的空穴传输层的空穴迁移率大于和第二类子像素的空穴传输层的空穴迁移率，提高了第一类子像素的载流子复合效率，产生更多的激子，进而提高了第一类子像素的亮度寿命。
23.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层，第一类子像素的空穴传输层还包括第四膜层，第四膜层的空穴迁移率大于第三膜层的空穴迁移率，且位于第三膜层和第一类子像素的发光层之间。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越大。
24.在上述方案中，第一类子像素对应的空穴传输层的复合膜层的设计，增大了该发光层中载流子复合区域的大小，提高了第一类子像素的亮度寿命。进一步地，对第一类子像素中所有的子像素的按照出射光的波长大小进行第四膜层的厚度设计，更有效地改善显示偏色的问题。
25.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层，第二类子像素的空穴传输层还包括第四膜层，第四膜层的空穴迁移率小于第三膜层的空穴迁移率，且位于第三膜层和第二类子像素的发光层之间。进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越小。
26.在上述方案中，第二类子像素设置的空穴迁移率小的第四膜层，使空穴以慢的速度进入到发光层中，并且还减少了单位时间内空穴进入到第二类子像素的发光层中的数量，减少了载流子复合区的大小，从而降低了第二类子像素的亮度寿命。
27.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层和第四膜层，第四膜层的空穴迁移率大于第三膜层的空穴迁移率，分别位于第三膜层与第一类子像素以及第二类子像素的发光层之间，并且第一类子像素的第四膜层的厚度大于第二类子像素的第四膜层的厚度。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越大，和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越大。
28.在上述方案中，第一类子像素和第二类子像素对应的空穴传输层的设计，不仅减低了二者之间的亮度寿命的差异，提高了显示面板的发光效率，还便于生产节约了成本。进一步地，对有所像素按照薄膜的，更有效地改善显示偏色的问题。
29.结合第一方面，在第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层和第四膜层的情况下，不同子像素之间的第三膜层和第四膜层的总厚度相等，且第一类子像素的第四膜层的厚度大于第二类子像素的第四膜层的厚度。
30.在上述方案中，有更多的空穴以快的速度进入到第一类子像素中，提高了第一类子像素的亮度寿命，并且还简化了空穴注入层的加工工艺，便于生产。
31.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的空穴传输层的材料为掺杂有第四类材料构成的基材层，基材层由第三类材料构成，第二类子像素的空穴传输层的材料为第三类材料，在第一类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第四类材料，第四类材料的空穴迁移率大于第三类材料的空穴迁移率。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越大。
32.在上述方案中，掺杂工艺简单，利于实现节约了生产成本。进一步地，针对不同亮度寿命的子像素进行不同浓度的掺杂，更有利于改善不同子像素之间亮度寿命的差异，从而有效地改善显示偏色的问题。
33.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的空穴传输层的材料为第三类材料，第二类子像素的空穴传输层的材料为掺杂有第四类材料构成的基材层，基材层由第三类材料构成，在第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第四类材料，第四类材料的空穴迁移率小于第三类材料的空穴迁移率。进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越小。
34.在上述方案中，通过掺杂降低第二类子像素的亮度寿命，减少了第一类子像素和第二类子像素之间的亮度差异，改善显示偏色问题。进一步地，对第二类子像素的亮度寿命都合理地降低，更有利于改善显示偏色的问题。
35.结合第一方面，在一些实施方式中，第一类子像素的空穴传输层的材料和第一类子像素的空穴传输层的材料均为掺杂有第四类材料构成的基材层，基材层由第三类材料构成，在第一类子像素的基材层和第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧分别掺杂第四类材料，第四类材料的空穴迁移率大于第三类材料的空穴迁移率，且第四类材料在第一类子像素的基材层中的掺杂浓度大于在第二类子像素的基材层中的掺杂浓度。进一步地，第一
类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越大；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越大。
36.在上述方案中，利用掺杂针对不同亮度寿命的子像素掺杂不同浓度的第四材料，有利于高效地减少所有子像素之间的亮度差异，有效地改善显示偏色的问题。
37.本技术第二方面提供了一种显示装置。该显示装置包含上述第一方面提供的任意一种显示面板。
附图说明
38.图1是本技术一实施例的显示面板的像素的结构示意图。
39.图2是本技术一实施例的显示面板的像素的结构示意图。
40.图3是本技术一实施例的显示面板的像素的结构示意图。
41.图4是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
42.图5是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
43.图6是本技术另一实施例的显示面板的像素的结构示意图。
44.图7是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
45.图8是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
46.图9是本技术一实施例显示面板的像素的结构示意图。
47.图10是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图
48.图11是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
49.图12是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
50.图13是本技术另一实施例显示面板的像素的结构示意图。
具体实施方式
51.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
52.由于材料特性的限制，显示面板中不同颜色的子像素对应的亮度寿命不一致，点亮时间达到时限后，某些颜色的子像素达到使用寿命，亮度逐步出现衰减，无法正常显示，最后在显示面板上出现显示异常的区域。由此可知，调节不同颜色的子像素的亮度寿命，就能缓解显示面板上出现显示异常例如显示偏色的问题。
53.本技术实施例提供了一种显示面板，通过在使具有亮度差异的子像素对应的载流子的迁移率不同，从而改变了具有亮度差异的子像素对应的载流子复合区的大小，从而改善显示偏色的问题。
54.如图1所示，该显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素，多个子像素被划分为第一类子像素和第二类子像素，第一类子像素的亮度寿命小于第二类子像素的亮度寿命。每个子像素包括阴极1、阳极2以及位于阴极1和阳极2之间的发光层3和载流子传输层4。载流子传输层位于发光层与阳极之间或发光层与阴极之间。第一类子像素的载
流子传输层的载流子迁移率与第二类子像素的载流子传输层的载流子迁移率不同。
55.基于子像素的发光机理：在电压的驱动下，载流子即阳极的空穴与阴极的电子迁移到发光层中复合产生激子而发光，产生激子的区域成为载流子复合区，可知改变复合区域的大小，就会影响到子像素的发光亮度，从而直接影响子像素的亮度寿命。而复合区域的大小与载流子的传输能力有关系，不同的载流子传输快的一方就会穿过发光层，达到其他功能膜层例如载流子阻挡层或对电极而引起猝灭。因此，调节不同子像素对应的载流子的传输能力就能够调节不同子像素的亮度寿命，从而缓解显示异常例如显示偏色的发生。
56.具体地，如图2所示，每个像素单元包括三个子像素即子像素r、子像素g和子像素b，其中子像素b为第一类子像素，子像素r和子像素g为第二类子像素。载流子传输层包括空穴传输层和电子传输层。子像素r包括阴极1、阳极2、位于阴极1与阳极2之间的发光层(简称r-eml)、位于发光层3与阳极2之间的空穴传输层42(简称r-htl)以及位于发光层3与阴极1之间的电子传输层41(简称r-etl)。子像素g包括阴极1、阳极2、位于阴极1与阳极2之间的发光层3(简称g-eml)、位于发光层3与阳极2之间的空穴传输层42(简称g-htl)以及位于发光层2与阴极1之间的电子传输层41(简称g-etl)。子像素b包括阴极1、阳极2、位于阴极1与阳极2之间的发光层3(简称b-eml)、位于发光层3与阳极2之间的空穴传输层42(简称b-htl)以及位于发光层3与阴极1之间的电子传输层41(简称b-etl)。根据rgb三种不同的颜色的子像素的亮度寿命，使得亮度最小的子像素b中的b-eml对应的载流子迁移率与子像素r中r-eml对应的载流子迁移率和子像素g中的g-eml对应的载流子迁移率不同，即提高最小寿命的子像素b的亮度寿命，缩小了不同颜色的子像素之间的亮度差异，改善了显示面板因不同颜色的子像素之间亮度寿命不同而出现的显示偏色的问题。
57.应理解的是，第一类子像素和/或第二类子像素代表了两类亮度寿命大小关系的子像素，并不仅包含单一的某个颜色的子像素。例如，第一类子像素可以包括出射蓝光的子像素(简称“b”)，第二类子像素可以包括出射绿光的子像素(简称“g”)和/或出射红光的子像素(简称“r”)，子像素bg和/或子像素br的亮度寿命均小于子像素bb。同理，第一类子像素也可以不仅是包含一个颜色的子像素，例如子像素b，还可以包括至少一个其他颜色的子像素例如子像素g。同时，每个像素单元包含的子像素的个数和颜色不局限于上述图2中描述的方案，还可以包括其他的设计方案，例如每个像素包含rgbg排布的多个子像素。可以根据显示面板的实际需求进行设计。
58.在显示面板中，载流子包括空穴和电子，因此，可通过改变空穴迁移率，或者改变电子迁移率，或者同时改变空穴迁移率或电子迁移率，来改变不同颜色的子像素之间的亮度寿命的差异大小，进而改善显示面板出现的显示偏色的问题。下面针对改变电子迁移率，使不同颜色的子像素中不同的电子传输层的电子迁移率的不同的方案进行详细描述。
59.考虑到在同一发光层中电子迁移率大于空穴迁移率，为了增大注入到发光层中的电子和空穴复合的数量，可通过减少电子的迁移率，使得空穴达到发光层时，更多的电子能够还在发光层迁移并没有穿过发光层。在一些实施例中，载流子传输层包括电子传输层，位于阴极和发光层之间，且第一类子像素的电子传输层的电子迁移率小于第二类子像素的电子传输层的迁移率。
60.通过限定了第一类子像素的电子传输层的电子迁移率小于第二类子像素的电子传输层的电子迁移率，使第一类子像素对应的发光层中的载流子复合区变大了，即更多的
电子和空穴复合产生激子。激子的数量的增多，提高了第一类子像素的亮度寿命，进而减少了第一类子像素的亮度寿命与第二类子像素的亮度寿命之间的差异，进而缓解了显示面板的显示偏色问题。
61.具体地，如图2所示，在rbg三色像素中，子像素b为第一类子像素，子像素r与子像素g为第二类子像素，对应的b-etl的电子迁移率小于r-etl和g-etl的电子迁移率。这就使亮度寿命最小的子像素b的载流子复合区变大，提高了子像素b的寿命，缩减了子像素b与子像素r和子像素g之间的亮度差异。
62.当然了按照亮度不同子像素之间的亮度寿命的大小还可以对rgb三个子像素进行重新分类。具体地，如图2所示，在rbg三色像素中，子像素b与子像素g为第一类子像素，子像素r为第二类子像素，b-etl和r-etl的电子迁移率小于g-etl的电子迁移率。同时提高了相对小的子像素的亮度寿命，缩短了它们与亮度寿命最大的子像素之间的亮度寿命的差异，缓解了显示偏色的问题。
63.在同一像素中，实现第一类子像素的电子传输层的电子迁移率小于第二类子像素的电子传输层的电子迁移率的方式有多种，使第一类子像素的电子传输层的电子迁移率变小和/或使第二类像素的电子传输层的电子迁移率变大的方案均可以。以下针对第一类子像素和/或第二类子像素的电子传输层设计进行详细介绍。
64.在一些实施例中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层,第一类子像素的电子传输层还包括第二膜层，第二膜层的电子迁移率小于第一膜层的电子迁移率，且位于第一膜层和第一类子像素的发光层之间。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层的厚度越大。
65.仅将像素中的亮度寿命小的第一类子像素的电子传输层设置成复合膜层，将电子迁移率小的膜层复合在原有的第一膜层朝向发光层的一侧，这使第一类像素中的电子相对第二类像素中的电子以慢的速度进入到发光层中，并在发光层中以慢的速度就行纵向传输，不仅增大了载流子复合区，还减少了在单位时间内电子穿过第一类子像素的发光层的电子数，使更多的电子与空穴发生复合产生更多的激子，从而提高了第一类子像素的亮度寿命。进一步地，根据出射光的波长大小，对第一类子像素中增加的第二膜层进行厚度的设计，更加有改善显示面板的所有子像素之间的亮度差异，更有效地改善显示偏色的问题。
66.如图3所示，在rbg三色像素中，子像素b为第一类子像素，子像素r与子像素g为第二类子像素，三个子像素r、b、g对应的电子传输层均包含第一膜层411，并且在b-etl层与b-eml之间设有电子迁移率更小的第二膜层412。电子迁移率大的第一膜层411位于阴极1与b-eml之间，电子迁移率小的第二膜层412位于第一膜层411和b-eml之间。在靠近或紧邻b-eml的膜层结构中电子迁移率由大变小，使电子以慢的速度进入到b-eml中，使b-eml的载流子复合区向从b-eml靠近阴极1的外边缘向靠近阳极2方向移动且变大，即使复合区朝向b-eml的中间位置移动了，提高了载流子复合效率，从而提高了子像素b的亮度寿命。
67.根据亮度寿命的大小关系还可以对rgb的子像素的类别进行重新的划分，具体地，如图4示，子像素b和子像素g为第一类子像素，子像素r为第二类子像素。那么就分别在b-etl层和g-etl层的第一膜层411和发光层(b-eml和g-eml)之间设置电子迁移率小的第二膜层412，通过减少子像素b和子像素g的电子迁移率，提高子像素b和子像素g的亮度寿命缩减
了rgb像素之间的亮度差异。同时，考虑到子像素b的亮度寿命小于子像素g的亮度寿命，因此出射光的波长大的子像素b的第二膜层411的厚度d
b2
大于出射光的波长小的子像素g的第二膜层412的厚度d
g2
，即d
b2
＞d
g2
，缩减了第一类子像素内不同出射不同颜色的光的子像素之间的亮度寿命的差异，从而进一步的缩减了同一像素内不同子像素的亮度寿命的差异，进一步缓解了显示偏色的问题。
68.除了增大提高第一类子像素的亮度寿命外，减少第二类子像素的亮度寿命也能减少第一类子像素和第二类子像素之间的亮度差异。在另一些实施例中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层,第二类子像素的电子传输层还包括第二膜层，第二膜层的电子迁移率大于第一膜层的电子迁移率，且位于第一膜层和第二类子像素的发光层之间。进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层的厚度越小。
69.在第二类子像素对应的电子传输层的第一膜层与其发光层之间，增加了一个电子迁移率大的比第一膜层大的电子传输层即第二膜层，在不影响第一类子像素的电子迁移率的同时，增大了第二类子像素对应的电子进入传输层的平均电子迁移率，使更多的电子穿过了发光层不参与载流子复合，因此，减少了第二类子像素的发光层中的载流子复合区同时还减少了第二类子像素中发光层中激子复合的总量，进而减少了第二类子像素的亮度寿命，最终缩减第一类子像素与第二类子像素之间的亮度寿命的差异，改善了显示偏色的问题。
70.根据不同子像素的亮度寿命，将rgb三个子像素分别划分成两类子像素，其包括两种分类方案，具体如下。
71.在第一方案中，如图5所示，将子像素b和子像素g划分成第一类子像素，将子像素r划分成第二类子像素。在r-etl的第一膜层411和r-eml之间设置电子迁移率大的第二膜层422，而在g-etl的第一膜层411和g-eml以及b-etl的第一膜层411和g-bml之间不设置，这样就增大了子像素r的电子迁移率，使单位时间内停留在子像素r的电子的数量变小了，并且电子在r-eml层的运动速度更快，使载流子复合区变小，减少了子像素r的亮度寿命。
72.在第二方案中，如图6所示，在rgb像素中，子像素b为第一类子像素，子像素r和子像素g为第二类子像素，并且三个子像素的电子传输层均包括第一膜层411，子像素r和子像素g的电子传输层还设有位于r-eml和第一膜层411以及g-eml和第一膜层411之间的电子迁移率大的第二膜层412。提高了子像素r和子像素g的电子迁移的速度，降低了子像素r和子像素g的亮度寿命。虽然r-etl包括第一膜层411和第二膜层412，g-etl也包括第一膜层411和第二膜层412，但考虑到子像素r亮度寿命大于子像素g的亮度寿命，因此为了能够更进一步地缩减像素内所有子像素的亮度寿命的差异，子像素r和子像素g对应的第二膜层412设置成不同的膜层厚度。子像素g出射的光的波长大，因此子像素g的第二膜层的厚度d
g2
小于子像素r的第二膜层的厚度d
r2
，即亮度寿命小的子像素g的设置的第二膜层412的厚度小，相对于子像素r来说，少的电子被加速，子像素g的寿命降低的比子像素r的少，更有利于平衡不同亮度寿命的子像素之间的亮度寿命的差异，更进一步的改善了显示偏色的问题。
73.为了更高效的改善显示偏色的问题，在另一些实施例中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层和第二膜层，第二膜层的电子迁移率小于第一膜层的电子迁移率，且分别位于第一膜层与第一类子像素以及第二类子像素的发光
层之间；第一类子像素的第二膜层的厚度大于第二类子像素的第二膜层的厚度。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层越厚；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二膜层越厚。
74.在上述方案中，第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层均设置电子迁移率小的第二膜层的设计方案，使得第一类子像素中更多的电子以慢的速度进入到发光层中，使得载流子复合区变大，有更多的电子参与复合产生激子，提高了第一类子像素的亮度的寿命。并且，不同子像素的电子传输层采用相同膜层结构的限定，便于生产，节约成本。进一步地，同一类型的子像素中包含的不同发光颜色的子像素之间，根据子像素之间出射的光的波长的大小，其设置的第二膜层的厚度也不一样，减少了同一类型的子像素的中的不同颜色的子像素的亮度寿命的差异，属于更精细的设计，进而更加均衡地减少了像素中不同子像素的亮度寿命的差异，进而更有效缓解了显示偏色的问题。
75.具体地，如图7所示，第一类子像素包括子像素b，第二类子像素包括子像素r和子像素g，不同颜色的子像素对应的电子传输层均包括第一膜层411和电子迁移率小的第二膜层412，并且按照子像素r、g、b出射的光的波长大小的排列即r＜g＜b，出射的光的波长最大的子像素b对应的第二膜层412的厚度d
b2
最大，出射的光的波长最小的子像素r对应的第二膜层412的厚度d
r2
最小。这样设计使得像素内的所有子像素的亮度寿命都进行了调整，有利于均衡不同颜色的子像素之间的亮度寿命差异，高效地改善显示偏色的问题。
76.为了节约生产工艺，在一些实施例中，在第一类子像素的电子传输层和第二类子像素的电子传输层都包括第一膜层和第二膜层的情况下，不同子像素之间的第一膜层和第二膜层的总厚度相等，且第一类子像素的第二膜层的厚度大于第二类子像素的第二膜层的厚度。
77.具体地，如图7所示，三个子像素r、g和b对应的电子传输层41分别包括第一膜层411和电子迁移率小的第二膜层412。不同子像素的第一膜层411和不同子像素的第二膜层412的材料相等，并且厚度之和相同，即d
r1
d
r2
＝d
g1
d
g2
＝d
b1
d
b2
，子像素r、子像素g和子像素b对应的电子传输层41的不同膜层的厚度是否它们本身的亮度寿命有关的，亮度寿命越大的子像素对应的迁移率高的子膜层就越厚，相应的其对应的迁移率第的子膜层就越薄，即d
b1
＜d
g1
＜d
r1
，d
b2
＞d
g2
＞d
r2
。根据对显示面板的显示需求计算可得：
78.d
b1
＝π/2*d
ebl
，d
b2
＝πn/2*d
ebl
d
bml
79.其中，n、k:hole only device(单空穴器件，简称hod)和electron only device(单电子器件，简称eod)结果的调制系数，n为折射率，k为消光系数，二者随着电子传输层的材料和厚度的变化而变化，d
ebl
:电子组单层的厚度，d
bml
:蓝色发光层的厚度。该计算方法也适用于红色子像素和绿色子像素中对应的电子传输层的厚度的计算。
80.改变第一类子像素/或第二类子像素的电子传输层的电子迁移率除了采用增设复合膜层之外，在另一些实施例中还可以考虑采用掺杂的方式，来减少第一类子像素和第二类子像素之间的亮度寿命，具体的方案如下。
81.第一方案，第一类子像素的电子传输层的材料为掺杂有第二类材料构成的基材层，基材层由第一类材料构成，第二类子像素的电子传输层的材料为第一类材料，在第一类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第二类材料，第二类材料的电子迁移率小于第一类
材料的电子迁移率。具体地，如图2所示，仅在子像素b的b-etl位于b-eml的一侧掺杂电子迁移率小的第二类材料，增大了子像素b的亮度寿命。
82.进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越大。具体地，如图2所示，在子像素b的b-etl位于b-eml的一侧掺杂第一浓度的第二类材料，在子像素g的g-etl位于g-eml的一侧掺杂第二浓度的第二类材料，由于子像素b出射的光的波长大于子像素g出射的光的波长，因此，第一浓度大于第二浓度。同时对第一类子像中的所有子像素进行不同浓度的掺杂处理，减少了第一类子像素中的子像素之间的亮度寿命的差异，更有利于改善显示偏色的问题。
83.在第一方案中，通过掺杂的方式减少第一类像素对应的电子传输层的电子迁移率，使第一类像素对应的电子以慢的速度进入其发光层中，增大了载流子复合区的大小，使更多的电子和空穴产生复合，提高了第一类子像素的亮度寿命，减少了第一类子像素和第二类子像素的亮度差异，改善了显示偏色的问题。并且，掺杂方式简单便于实现，节约生产成本。进一步地，对第一类子像素包含的所有的子像素进行掺杂处理，能够均衡的改善第一类子像素和第二子像素之间的亮度寿命差异，更有效地缓解了显示偏色的问题。
84.第二方案，第一类子像素的电子传输层的材料为第一类材料，第二类子像素的电子传输层的材料为掺杂有第二类材料构成的基材层，基材层由第一类材料构成，在第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第二类材料，第二类材料的电子迁移率大于第一类材料的电子迁移率。例如，图2所示，仅在r的r-etl位于r-eml的一侧掺杂电子迁移率大的第二类材料，减少了r的亮度寿命。
85.进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越小。具体地，如图2所示，在子像素r的r-etl位于r-eml的一侧掺杂第一浓度的第二类材料，在子像素g的g-etl位于g-eml的一侧掺杂第二浓度的第二类材料，由于子像素g出射的光的波长大于子像素r出射的光的波长，因此，第二浓度小于第一浓度。
86.在第二方案中，在第二类子像素的电子传输层掺杂电子迁移率大的第二类材料，降低了第二类子像素的亮度寿命。进一步地通过根据第二类子像素中所有子像素出射的光的波长来掺杂不同浓度的第二类材料，能够使第二类子像素的所有子像素的亮度寿命得到合理地降低，更有利于实现减少第一类子像素和第二类子像素之间的亮度寿命差异，更有效地缓解显示偏色的问题。
87.第三方案，在一些实施例中，第一类子像素的电子传输层的材料和第一类子像素的电子传输层的材料均为掺杂有第二类材料构成的基材层，基材层由第一类材料构成，在第一类子像素的基材层和第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧分别掺杂第二类材料，第二类材料的电子迁移率小于第一类材料的电子迁移率，且第二类材料在第一类子像素的基材层中的掺杂浓度大于在第二类子像素的基材层中的掺杂浓度。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越大；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第二类材料的掺杂浓度越大。
88.具体地，如图2所示，在子像素r的r-etl位于r-eml的一侧掺杂第一浓度的第二类材料，在子像素g的g-etl位于g-eml的一侧掺杂第二浓度的第二类材料，在子像素b的b-etl
位于b-eml的一侧掺杂第三浓度的第二类材料。由于子像素b出射的光的波长大于子像素g出射的光的波长，子像素g出射的光的波长大于子像素r出射的光的波长因此，第三浓度大于第二浓度，第二浓度大于第一浓度。
89.在第三方案中，对第一类子像素和第二类子像素的电子传输层均掺杂了电子迁移率小的第二类材料，但是第一类子像素的掺杂浓度大于第二类子像素的掺杂浓度，这使得第一类子像素的中电子以更慢的速度进入到发光层中，使得第一类子像素的亮度寿命得到了提高，改善了显示偏色的问题。进一步地，对所有的子像素进行掺杂处理，并且根据子像素出射的光的不同波长关系来调节掺杂的第二材料的浓度，更有利于高效地减少所有子像素之间的亮度寿命的差异，更高效地改善了显示偏色的问题。
90.考虑到第一类子像素和/第二子像素对应的发光层中的载流子的复合区的大小因素还包括空穴。在一些实施例中，载流子传输层包括空穴传输层，位于阳极和发光层之间，且第一类子像素的空穴传输层的空穴迁移率大于第二类子像素的空穴传输层的空穴迁移率。限制了第一类子像素的空穴传输层的空穴迁移率大于和第二类子像素的空穴传输层的空穴迁移率，能够使第一类子像素对应的空穴更快的进入到第一类子像素的发光层中与电子发生复合反应，提高了第一类子像素的载流子复合效率产生更多的激子，进而提高了第一类子像素的亮度寿命。
91.具体地，如图2所示，b-htl的空穴迁移率大于r-htl和g-htl的空穴迁移率。这就使子像素b的载流子复合区变大，提高了子像素b的寿命，缩减了子像素b与子像素r和子像素g之间的亮度差异。
92.关于第一类子像素的空穴传输层和/或第二类子像素的空穴传输层的设计，从节约生产成本和提高显示面板的性能的角度考虑，关于对空穴传输层的具体设计方案如下。
93.在一些实施例中，第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层，第一类子像素的空穴传输层还包括第四膜层，第四膜层的空穴迁移率大于第三膜层的空穴迁移率，且位于第三膜层和第一类子像素的发光层之间。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越大。
94.第一类子像素对应的空穴传输层的复合膜层的设计，使得空穴以快的速度进入第一类子像素的发光层中，增大了该发光层中载流子复合区域的大小，提高了第一类子像素的亮度寿命。进一步地对第一类子像素中所有的子像素的按照出射光的波长大小即亮度寿命的大小在进行第四膜层的设计，能够更均衡的改善第一类子像素的所有子像素与第二类子像素之间的亮度寿命的差异，更有效地改善显示偏色的问题。
95.具体的，如图8所示，在rbg三色像素中，子像素b为第一类子像素，子像素r与子像素g为第二类子像素，rbg对应的空穴传输层均包含第三膜层421，并且在b-htl层与b-eml之间设有空穴迁移率更大的第四膜层422。空穴迁移率小的第三膜层421位于阳极2与b-eml之间，空穴迁移率大的第二膜层422位于第一膜层421和b-eml之间。在靠近或紧邻b-eml的膜层结构中空穴迁移率由小变大，使空穴以快的速度进入到b-eml中，使b-eml的载流子复合区向从b-eml靠近阴极的外边缘向靠近阳极方向移动且变大，即使复合区朝向b-eml的中间位置移动了，提高了子像素b的载流子复合效率，从而提高了子像素b的亮度寿命。
96.为了进一步的改善rgb子像素之前的亮度差异，改善显示偏色的问题，如图9所示，
将亮度寿命不是最大的子像素b和子像素g作为第二类子像素，在子像素b的第三膜层421和b-eml之间设有第四膜层422，在子像素g的第三膜层421和g-eml之间设有第四膜层422，且子像素b的第四膜层421的厚度d
b4
大于子像素g的第四膜层422的厚度d
g4
。缩减了子像素b与子像素g的亮度寿命与最大亮度寿命的子像素r之间的差异，更有效地改善了显示偏色的问题。
97.在一些实施例中，第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层，第二类子像素的空穴传输层还包括第四膜层，第四膜层的空穴迁移率小于第三膜层的空穴迁移率，且位于第三膜层和第二类子像素的发光层之间。进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越小。
98.第二类子像素设置的空穴迁移率小的第四膜层，使空穴以慢的速度进入到发光层中，并且还减少了单位时间内空穴进入到第二类子像素的发光层中的数量，减少了载流子复合区的大小，还降低了载流子复合的效率，即减少了激子的产生，从而降低了第二类子像素的亮度寿命。
99.在具体地以rgb像素为例做介绍时，包括如图10和图11的两种情况。
100.在第一种情况中，如图10所示，将子像素b和子像素g划分成第一类子像素，将子像素r划分成第二类子像素。仅在r-htl的第三膜层421和r-eml之间设置空穴迁移率小的第四膜层422，相对其他子像素来说，子像素r的空穴迁移率变小，使单位时间内停留在子像素r的空穴的数量变小了，并且空穴在r-eml层的运动速度更慢，使载流子复合区变小，减少了子像素r的亮度寿命。
101.在第二种情况中，如图11所示，不仅针对r的空穴传输层进行了设计，还在子像素g的g-htl层进行了设计，即在子像素g的第三膜层421和g-eml之间设置了空穴迁移率更小的第四膜层422。这样子像素r和子像素g的空穴迁移的类别都降低了，进而减少了子像素r和子像素g的亮度寿命。为了能够更进一步地缩减像素内所有子像素的亮度寿命的差异，出射的光的波长大子像素g的第四膜层的厚度d
g4
小于子像素r的第四膜层的厚度d
r4
，因此，相对于来子像素r来说，少的空穴迁移的速度变慢，子像素g的寿命降低的比子像素r的少，更有利于平衡不同亮度寿命的子像素之间的亮度寿命的差异，更有效地改善了显示偏色的问题。
102.在一些实施例中，第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层和第四膜层，第四膜层的空穴迁移率大于第三膜层的空穴迁移率，分别位于第三膜层与第一类子像素以及第二类子像素的发光层之间，并且第一类子像素的第四膜层的厚度大于第二类子像素的第四膜层的厚度。进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越大；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四膜层的厚度越大。
103.在上述方案中，第一类子像素和第二类子像素对应的空穴传输层的设计，不仅减低了二者之间的亮度寿命的差异，提高了显示面板的发光效率，还便于生产节约了成本。进一步地，对有所像素按照薄膜的，更有效地改善显示偏色的问题。
104.具体地，如图12所示，在rgb的像素中，第一类子像素包括子像素b，第二类子像素
包括子像素r和子像素g，不同颜色的子像素对应的空穴传输层均包括第三膜层和空穴迁移率小的第四膜层，并且按照子像素r、子像素g和子像素b出射的光的波长大小的排列即r＜g＜b，出射的光的波长最大的子像素b对应的第四膜层的厚度最大，出射的光的波长最小的子像素r对应的第四膜层的厚度最小。这样设计使得像素内的所有子像素的亮度寿命都进行了调整，有利于均衡不同颜色的子像素之间的亮度寿命差异，高效地改善显示偏色的问题。
105.为了更高效的改进显示面板的偏色的问题，同时降低对显示面板的寿命或者亮度，在一些实施例中，在第一类子像素的空穴传输层和第二类子像素的空穴传输层都包括第三膜层和第四膜层的情况下，不同子像素之间的第三膜层和第四膜层的总厚度相等，且第一类子像素的第四膜层的厚度大于第二类子像素的第四膜层的厚度。有更多的空穴以快的速度进入到第一类子像素中，提高了第一类子像素的亮度寿命，并且还简化了空穴注入层的加工工艺，便于生产。
106.具体地，如图12所示，三个子像素r、g和b对应的电子传输层均包括第三膜层和第四膜层，且不同子像素对应的第三膜层的厚度和第四膜层的总厚度相等即d
r3
d
r4
＝d
g3
d
g4
＝d
b3
d
b4
，但是子像素之间相同的膜层的厚度不等。子像素r、子像素g和子像素b对应的电子传输层41的不同膜层的厚度是否它们本身的亮度寿命有关的，亮度寿命越大的子像素对应的迁移率高的子膜层就越厚，相应的其对应的迁移率第的子膜层就越薄，即d
b3
＜d
g3
＜d
r3
，d
b4
＞d
g4
＞d
r4
，d
b3
为子像素b的第三膜层的厚度，d
b4
为子像素b的第四膜层的厚度，d
g3
为子像素g的第三膜层的厚度，d
g4
为子像素g的第四膜层的厚度，d
r3
为子像素r的第三膜层的厚度，d
r4
为子像素r的第四膜层的厚度。根据对显示面板的显示要求计算可得：
107.d
b3
＝π/2*d
ebl
，d
b4
＝πn/2*d
ebl
d
bml
108.其中，n、k:hole only device(单空穴器件，简称hod)和electron only device(单电子器件，简称eod)结果的调制系数，n为折射率，k为消光系数，二者随着电子传输层的材料和厚度的变化而变化，d
ebl
:电子组单层的厚度，d
bml
:蓝色发光层的厚度。该计算方法也适用于红色子像素和绿色子像素中空穴传输层的膜层厚度的计算。
109.对于空穴传输层的设计，除了增设不同空穴迁移率的子膜层外，还可以采用掺杂的方式，来提高第一类子像素的空穴迁移率或降低第二类子像素的空穴迁移率，具体的方案如下。
110.在一些实施例中，第一类子像素的空穴传输层的材料为掺杂有第四类材料构成的基材层，基材层由第三类材料构成，第二类子像素的空穴传输层的材料为第三类材料，在第一类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第四类材料，第四类材料的空穴迁移率大于第三类材料的空穴迁移率。具体地，如图2所示，仅在子像素b的b-htl位于b-eml的一侧掺杂空穴迁移率大的第四类材料。提高了进入b-eml层的空穴的迁移率，增大了载流子复合区的大下，提高了子像素b的寿命。
111.进一步地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越大。具体地，如图2所示，在子像素b的b-htl位于b-eml的一侧掺杂第一浓度的第四类材料，在子像素g的g-htl位于g-eml的一侧掺杂第二浓度的第四类材料，由于子像素b出射的光的波长大于子像素g出射的光的波长，因此，第一浓度大于第二浓度。减少了所有子像素之间的亮度差异，更有效地改善了显示偏色的问题。
112.在另一些实施例中，第一类子像素的空穴传输层的材料为第三类材料，第二类子像素的空穴传输层的材料为掺杂有第四类材料构成的基材层，基材层由第三类材料构成，在第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧掺杂第四类材料，第四类材料的空穴迁移率小于第三类材料的空穴迁移率。例如，图2所示，仅在子像素r的r-htl位于r-eml的一侧掺杂空穴迁移率小的第四类材料，减少了子像素r的亮度寿命。
113.进一步地，第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越小。具体地，如图2所示，在子像素r的r-htl位于r-eml的一侧掺杂第一浓度的第四类材料，在子像素g的g-htl位于g-eml的一侧掺杂第二浓度的第四类材料，由于子像素g出射的光的波长大于子像素r出射的光的波长，因此，第二浓度小于第一浓度，除了最小亮度寿命的子像素b，其他子像素的亮度寿命均被减少，更有效地减少了所有子像素之间的亮度寿命的差异，从而有效地改善了显示偏色的问题。
114.在另一些实施例中，第一类子像素的空穴传输层的材料和第一类子像素的空穴传输层的材料均为掺杂有第四类材料构成的基材层，基材层由第三类材料构成，在第一类子像素的基材层和第二类子像素的基材层朝向发光层的一侧分别掺杂第四类材料，第四类材料的空穴迁移率大于第三类材料的空穴迁移率，且第四类材料在第一类子像素的基材层中的掺杂浓度大于在第二类子像素的基材层中的掺杂浓度；优选地，第一类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越大；和/或第二类子像素包含多个出射不同波长的光的子像素，出射光的波长越大的子像素的第四类材料的掺杂浓度越大。
115.具体地，如图2所示，在r的r-htl位于r-eml的一侧掺杂第一浓度的第四类材料，在子像素g的g-htl位于g-eml的一侧掺杂第二浓度的第四类材料，在子像素b的b-htl位于b-eml的一侧掺杂第三浓度的第四类材料。由于子像素b出射的光的波长大于子像素g出射的光的波长，子像素g出射的光的波长大于子像素r出射的光的波长因此，第三浓度大于第二浓度，第二浓度大于第一浓度。均衡地改善了不同子像素之间的亮度寿命，更有效地减少所有子像素之间亮度寿命的差异，有效地改善了显示偏色的问题。
116.应当理解的是，对于电子传输掺杂的第二类材料和空穴传输层掺杂的第四类材料的具体种类以及具体的掺杂浓度，以及不同子像素之间的进行掺杂时的差异，这些均可以根据显示面板的功能需求进行设计，例如不同子像素的电子传输层掺杂不同浓度的相同的第二类材料，或者不同子像素的空穴传输层掺杂相同浓度的不同种类的第四类材料。显示面板还可以包括其他功能层结构，例如位于阳极和空穴传输层之间的空穴注入层、位于空穴传输层和发光层之间的电子阻挡层，位于阴极和电子传输层之间的电子注入层以及位于电子传输层和发光层之间的空穴阻挡层。显示面板采用多层结构使得阳极和阴极的载流子更容易注入到有机功能膜薄膜中，提高显示面板的发光效率。
117.除了可以分别对子像素的电子传输层和空穴传输层进行改进，还可以如图13所示，同时对电子传输层和空穴传输层进行设计改进，具体方案已经在上述进行详细说明，在此就不做赘述。应当理解的是，对于子像素的电子传输层和空穴传输层都做改进的方案并不局限与图13中的方案，也可以对电子传输层和空穴传输层某个膜层进行改进，具体改进方案在此不做赘述。
118.本实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包含上述第一方面提供的任意一种
显示面板。该显示装置是手机、平板电脑、电视机、导航仪、车载应用等任何具有显示功能的产品或部件。
119.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。