一种具备高可靠度的高速芯片的制作方法

技术特征：
1.一种具备高可靠度的高速芯片，其特征在于，包括：基板(1)、抗反射膜(2)和高反射膜(3)，所述基板(1)上方从下至上依次设置有n-披覆层(4)、主动层区(5)、p-披覆层(6)、接触层(7)和p极金属电极层(8)，所述基板(1)的下方设有n极金属电极层(9)；所述主动层区(5)包含光栅，所述主动层区(5)的左右两端分别设置有透光开窗层(10)，两个所述透光开窗层(10)的厚度皆大于所述主动层区(5)的厚度，两个所述透光开窗层(10)分别与所述主动层区(5)完全贴覆；所述抗反射膜(2)位于芯片的出光端面，所述高反射膜(3)位于芯片的背光端面。2.根据权利要求1所述的一种具备高可靠度的高速芯片，其特征在于：两个所述透光开窗层(10)的水平长度不小于所述主动层区(5)水平长度的10％。3.根据权利要求1所述的一种具备高可靠度的高速芯片，其特征在于：两个所述透光开窗层(10)的下端面皆不高于所述主动层区(5)的下端面。4.根据权利要求1所述的一种具备高可靠度的高速芯片，其特征在于：所述主动层区(5)之水平长度不大于200μm。5.根据权利要求1所述的一种具备高可靠度的高速芯片，其特征在于：两个所述透光开窗层(10)的材质吸收波长小于所述主动层区(5)发光波长30nm以上。6.根据权利要求5所述的一种具备高可靠度的高速芯片，其特征在于：两个所述透光开窗层(10)的材质均为磷化铟。

技术总结
本实用新型公开了一种具备高可靠度的高速芯片，包括：基板、抗反射膜和高反射膜，基板上方从下至上依次设置有N-披覆层、主动层区、P-披覆层、接触层和P极金属电极层，基板的下方设有N极金属电极层；主动层区包含光栅，主动层区的左右两端分别设置有透光开窗层，两个透光开窗层的厚度皆大于主动层区的厚度，两个透光开窗层分别与主动层区完全贴覆；抗反射膜位于芯片的出光端面，高反射膜位于芯片的背光端面。该通过设置两个透光开窗层为芯片提供更好之散热机制，使得芯片在长时间运作下，仍可维持良好之光电性表现，另外所加设的透光开窗层可转换光子路径之聚焦模式，而降低光场强度，此可减少热能积聚，进而提高芯片之可靠度。进而提高芯片之可靠度。进而提高芯片之可靠度。


技术研发人员：刘岳泓 余辉 周瑞帏
受保护的技术使用者：常州瀚镓半导体有限公司
技术研发日：2022.06.07
技术公布日：2022/9/13