一种启动电路和带隙基准电路的制作方法

技术特征：
1.一种启动电路，其特征在于，包括电源输入端、偏置电压设置单元、第一控制开关、调流电阻r7、压降单元和第二控制开关；所述偏置电压设置单元和第一控制开关的输入端分别与所述电源输入端电连接；所述偏置电压设置单元的电压输出端与所述第一控制开关的控制端电连接，向所述第一控制开关的控制端提供偏置电压；所述第一控制开关的输出端通过所述调流电阻r7与所述压降单元的输入端电连接，所述偏置电压大于所述压降单元的压降，所述压降单元的输入端与所述第二控制开关的控制端电连接。2.根据权利要求1所述的一种启动电路，其特征在于，所述偏置电压设置单元包括调流电阻r5和二极管支路，所述二极管支路包括至少三个串联的二极管，所述调流电阻r5一端与所述电源输入端电连接，所述电阻r5另一端分别与所述第一控制开关的控制端和二极管支路电连接。3.根据权利要求2所述的一种启动电路，其特征在于，所述压降单元包括mos管n5和第二二极管支路，所述第二二极管支路包括至少一个二极管，当所述第二二极管支路包括两个以上二极管时，第二二极管支路的所有二极管依次串联，所述mos管n5的漏极分别与所述mos管n5的栅极、第二控制开关的控制端和调流电阻r7电连接。4.根据权利要求3所述的一种启动电路，其特征在于，所述二极管支路包括二极管d4、二极管d5和二极管d6，所述二极管d4的正极与所述调流电阻r5电连接，所述二极管d4的负极与二极管d5的正极电连接，二极管d5的负极与二极管d6的正极电连接，二极管d6的负极接地。5.根据权利要求1所述的一种启动电路，其特征在于，所述第一控制开关是nmos管，所述第二控制开关是nmos管。6.一种带隙基准电路，包括mos管p1、mos管p2、mos管p3、mos管p4、mos管p5、mos管p6、mos管n1、mos管n2、mos管n3、mos管n4、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、二极管d1、二极管d2和二极管d3，其特征在于，应用权利要求1-5任一项所述的启动电路，所述mos管p5的源极、mos管p1的源极和mos管p2的源极均与所述电源输入端电连接；所述mos管p5的栅极分别与mos管p1的栅极、mos管p2的栅极、mos管p4的漏极和电阻r2一端电连接；所述mos管p5的漏极与mos管p6的源极电连接，mos管p6的栅极分别与mos管p3的栅极、mos管p4的栅极、电阻r2另一端、mos管n2的漏极和第二控制开关的输入端电连接；所述mos管p6的漏极分别与电阻r4一端、mos管n8的栅极和第二控制开关的输出端电连接；所述电阻r4另一端与二极管d3的正极电连接，所述二极管d3的负极与mos管n8的源极电连接；所述mos管p1的漏极与mos管p3的源极电连接；mos管p3的漏极分别与电阻r1一端、mos管n1的栅极和mos管n2的漏极电连接，电阻r1另一端分别与mos管n1的漏极、mos管n3的栅极和mos管n4的栅极电连接；mos管n1的源极与mos管n3的漏极电连接；mos管n3的源极与二极管d1的正极电连接；二极管d1的负极与mos管n8的源极电连接；所述mos管p2的漏极与mos管p4的源极电连接，mos管n2的源极与mos管n4的漏极电连接，mos管n4的源极与电阻r3一端电连接，电阻r3另一端与二极管d2的正极电连接，二极管d2的负极与mos管n8的源极电连接。

技术总结
本实用新型涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种启动电路和带隙基准电路，启动电路包括电源输入端、偏置电压设置单元、第一控制开关、调流电阻R7、压降单元和第二控制开关；偏置电压设置单元和第一控制开关的输入端分别与所述电源输入端电连接；偏置电压设置单元向第一控制开关的控制端提供偏置电压；第一控制开关的输出端通过调流电阻R7与压降单元的输入端电连接，压降单元的输入端与第二控制开关的控制端电连接，在实际使用时，本实用新型的启动电路可以在电源输入端输入的电压大于2.8V时，仍能正常关闭，不影响采用本实用新型的带隙基准电路的正常使用。隙基准电路的正常使用。隙基准电路的正常使用。


技术研发人员：刘刚 潘浩 郭天生 王贵来 李凤玲 郑理 赵鹏
受保护的技术使用者：江苏乾合微电子有限公司
技术研发日：2022.05.31
技术公布日：2022/9/9