一种切割铯铋溴碘(cs3bi2br3i6)晶片的方法
技术领域
1.本发明涉及材料加工方法，特别涉及一种切割铯铋溴碘(cs3bi2br3i6)晶片的方法。
背景技术：
2.铯铋碘(cs3bi2i9)、铯铋溴碘(cs3bi2br3i6)等是一类具有层状结构的纯无机钙钛矿材料，具有优良的光电性能。用熔体法生长cs3bi2br3i6晶锭，有利于得到大尺寸的晶锭，借助于晶体的解理特性，容易得到具有解理面的大尺寸晶片。但自然解理所得的晶片厚度是随机形成的，尚不能有效控制。采用剥离方法虽然可以有效地调整晶片的厚度，但会降低晶锭利用率，在剥离大块晶片时还可能在晶片内部留下机械损伤，降低晶片质量。鉴于此，特提出本发明。
技术实现要素：
3.发明目的：本发明目的在于提供一种解理制备具有期望厚度的cs3bi2br3i6晶片的方法。
4.技术方案：解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，包含以下步骤，
5.(1)将晶锭的解理面剥离出来；
6.(2)装夹晶锭，使所在解理面的一个边缘用双面粘附摇摆杆，摇摆杆两端支撑在垫块上，解理面水平向上放置，
7.(3)在摇摆杆上施加左右摇摆的静力作用，让双面胶将施加的静力传递到晶锭，使晶锭解理成晶片；
8.(4)去除双面胶，从摇摆杆上取下晶片。
9.进一步地，根据预定的晶片厚度，在晶锭解理面边缘的侧面刻制平行于所述解理面的预制裂纹，然后将摇摆杆粘附在预制裂纹处的解理面上，施加左右摇摆的静力作用，使晶锭解理成预定厚度的晶片。
10.进一步地，静力的方向垂直于解理裂纹的扩展方向。
11.进一步地，静力是通过摩擦作用施加到摇摆杆上的。
12.进一步地，预制裂纹深度为1-2mm。
13.进一步地，晶片厚度0.1-1mm。
14.本发明是根据螺旋位错的运动原理设计的，对于出现了解理裂纹的晶锭而言，其裂纹尖端类似于一根螺旋位错，由于施加平行于位错线的剪切力可以促使螺旋位错运动，因此施加平行于裂纹尖端的剪切力，可以促使裂纹扩展，进而实现晶体的解理剥离。本发明是这样实现的：用医用手术刀将晶锭的解理面剥离出来，将摇摆杆用双面胶粘附在解理面的一个边缘处，固定晶锭，用垫块支撑摇摆杆，在摇摆杆上施加左右摇摆的静力作用，使晶锭逐渐沿解理面开裂，形成晶片。
15.有益效果：本发明与现有技术相比，具有如下优势：
16.(1)通过预制裂纹，可以获得预期厚度的晶片，并提高晶锭利用率；
17.(2)左右摇摆的作用力较小，裂纹可以缓慢扩展，能够避免对晶片的机械损伤；
18.(3)得到的晶片厚度可达到0.1mm，具有完整的解理面，可以直接用于制作器件。
附图说明
19.图1为实施例1使用的制备铯铋溴碘晶片的装置原理图；
20.图2为实施例1中待解理的铯铋溴碘晶锭；
21.图3为实施例1中剥离出来的铯铋溴碘晶锭的解理面；
22.图4为实施例1获得的铯铋溴碘晶片；
23.图5为实施例2获得的铯铋溴碘晶片。
具体实施方式
24.实施例1
25.本实施例用石蜡粘附铯铋溴碘晶锭，然后进行解理制备晶片。
26.首先，用手术刀将晶锭的解理面剥离出来备用；
27.其次，选择一块长方体型的玻璃块，让玻璃块的长度大于晶锭的长度，玻璃块的宽度大于晶锭的直径；用熔融石蜡将晶锭粘附在玻璃块上，并让晶锭的解理面垂直于玻璃块的两个侧面；将玻璃块夹持在台钳上，并使晶锭的解理面处于水平状态，在台钳两侧分别布置支撑块，让两个支撑块与晶锭的解理面处于同一高度；
28.再次，选择一块长方体型的玻璃块作为摇摆杆，在摇摆杆的一个边缘贴上双面胶，通过双面胶将摇摆杆粘附在晶锭的解理面边缘，使粘附宽度为2-3mm，同时让摇摆杆支撑在台钳两边的支撑块上；
29.最后，用手压住摇摆杆，按附图1所示的方向左右推动摇摆杆，使晶锭逐渐解理，形成晶片，并从摇摆杆上取下晶片。
30.实施例2
31.本实施例制备具有期望厚度的晶片。
32.本实施例的操作与实施例1基本相同，不同之处在于，经晶锭的解理面剥离出来之后，在解理面的边缘处切割出一个垂直于解理面的小平面，在该小平面上制作平行于解理面的预制裂纹，预制裂纹的深度为1-2mm。本实施例中直接用手术刀刻画出预制裂纹，在其它实施例中，也可以用线切割、激光切割等方法制备预制裂纹。
33.制备预制裂纹后，按实施例1所述的方法将晶锭固定在玻璃块上，在预制裂纹的小平面处不用石蜡固定，将摇摆杆粘附在预制裂纹处的解理面边缘，便可开始解理操作。
34.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，其特征在于：包含以下步骤，(1)将晶锭的解理面剥离出来；(2)装夹晶锭，使所在解理面的一个边缘用双面粘附摇摆杆，摇摆杆两端支撑在垫块上，解理面水平向上放置，(3)在摇摆杆上施加左右摇摆的静力作用，让双面胶将施加的静力传递到晶锭，使晶锭解理成晶片；(4)去除双面胶，从摇摆杆上取下晶片。2.根据权利要求1所述的解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，其特征在于：根据预定的晶片厚度，在晶锭解理面边缘的侧面刻制平行于所述解理面的预制裂纹，然后将摇摆杆粘附在预制裂纹处的解理面上，施加左右摇摆的静力作用，使晶锭解理成预定厚度的晶片。3.根据权利要求1所述的解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，其特征在于：静力的方向垂直于解理裂纹的扩展方向。4.根据权利要求1所述的解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，其特征在于：静力是通过摩擦作用施加到摇摆杆上的。5.根据权利要求1所述的解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，其特征在于：预制裂纹深度为1-2mm。6.根据权利要求1所述的解理制备铯铋溴碘(cs3bi2i6br3)晶片的方法，其特征在于：晶片厚度0.1-1mm。
技术总结
本发明公开了一种切割铯铋溴碘(Cs3Bi2Br3I6)晶片的方法，是通过在晶锭侧面制备平行于解理面的预制裂纹、在解理面上粘附摇摆杆进而左右施加摇摆力实现的。解理过程中，外力的作用方向垂直于裂纹的扩展方向，有利于使用较小的外力实现晶体的解理开裂，采用该方法不仅能够获得具有预期厚度的晶片，还能够避免晶片承受垂直于解理面的外力作用，进而保障晶片的品质。晶片的品质。晶片的品质。
技术研发人员：蔡贞贞 陈伟
受保护的技术使用者：江苏博创翰林光电高科技有限公司
技术研发日：2022.05.24
技术公布日：2022/9/6
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